ここに記載されているのは、組み込まれたＰＮダイオードを挟み込み素子として有するＴＪＢＳ（Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode）を備えた半導体装置であり、この半導体装置は、殊に自動車のジェネレータシステムに使用される約２０Ｖの降伏電圧を有するツェナーダイオードに適している。このＴＪＢＳは、ショットキーダイオードおよびＰＮダイオードの組み合わせから構成されている。降伏電圧に対して当てはまるのは、ＰＮダイオードの降伏電圧ＢＶ＿ｐｎが、ショットキーダイオードの降伏電圧ＢＶ＿schottkyよりも低いことである。したがってこの半導体装置は、降伏時に大きな電流で動作させることができる。
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【課題】オン電圧を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層の上に前記第２の半導体層と接して設けられた前記第１の半導体層よりも不純物濃度の高い第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層に接続された第１の金属層と、前記第３の半導体層に接続され前記第１の金属層とは異なる金属からなる第２の金属層と、を有する第１の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。
【解決手段】 n型半導体領域２２と、n型半導体領域２２の表面の一部に設けられているp型半導体領域１４と、n型半導体領域２２の表面とp型半導体領域１４の表面に接しており、少なくともn型半導体領域２２の表面にショットキー接合Ｊｂしているアノード電極２（表面電極）と、n型半導体領域２２に接する右側面３０ｂ（第１側面）及び左側面３０ａ（第２側面）を有する絶縁領域３０を備えている。右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのＳＢＤ１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２と、ｎ型層１２上に配置されたアノード電極１４と、アノード電極１４に接続され、ｎ型層１２に突出するｐ型領域１３とを備えている。ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 （もっと読む）

半導体装置および装置を製造する方法が記載される。前記装置は、接合障壁ショットキー（JBS）ダイオードまたはPiNダイオードなどの、接合電界効果トランジスター（JFET）またはダイオードであり得る。前記装置は、エピタキシャル成長によって形成された、傾斜したp型半導体層及び／又はp型半導体領域を有する。前記方法は、イオン注入を必要としない。前記装置は、炭化ケイ素(SiC)などの広バンドギャップの半導体材料から製造され得、高温度および高電力の用途で使用され得る。 （もっと読む）

【課題】バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ショットキー電極４のうちＳｉＣと直接接触する部分を酸化物層４ａにて構成する。これにより、ＳｉＣとバリアハイトを高くすることが可能となり、逆方向リーク電流値を低減することができる。さらに、このような酸化物層４ａの平均酸素濃度（重量％）を変化させることにより、バリアハイトの値を制御することができる。したがって、バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】サージ耐量の向上が図れ、かつ、順方向における抵抗値の低減も図ることが可能な構造のＳＢＤを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ⁺型不純物層３の側面部に沿ってｎ型不純物層６を形成することで、ｐ⁺型不純物層３の側面部からｎ^-型ドリフト層２に伸びる空乏層の広がりを小さくする。これにより、ＰＮ接合で形成される空乏層幅を狭めることができ、順方向における抵抗値を低減させることが可能となる。そして、順方向における抵抗値の低減が図れることで、ＳｉＣ半導体装置の単位面積当りのｐ⁺型不純物層３の面積を大きく取ることができ、サージ耐量の向上と順方向における抵抗値の低減の両立を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】強度を保持しつつ、導通時の抵抗を低減可能な電力用の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板領域１と、基板領域１上に設けられ、炭化珪素を含む半導体材料からなり、複数の凹部が形成されたドリフト領域２と、側壁に配設されたアノード電極３と、凹部の側壁を挟んでアノード電極３と互いに対面するように側壁に配設され、かつ、アノード電極３と絶縁されたカソード電極４とを有する。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング特性と低オン抵抗特性とを有し、オン抵抗−リーク電流間のトレードオフ関係を改善する超接合ショットキーダイオードを提供すること。
【解決手段】n型半導体層３の一方の主面上に垂直に形成される層状またはコラム状のn型ドリフト領域１ａとp型仕切り領域１ｂとを、前記主面に平行方向に交互に配置した並列ｐｎ層１を備え、前記n型ドリフト領域１ａの主面に接し、該n型ドリフト領域１ａの比抵抗より高比抵抗のｎ型第一表面領域２ａと、前記ｐ型仕切り領域１ｂの主面と前記ｎ型第一表面領域１ａの側面とに接し、前記ｎ型第一表面領域１ａより高比抵抗のｎ型第二表面領域２ｂとを備え、前記ｎ型の第一表面領域２ａと第二表面領域２ｂとの主面にショットキー接触するアノード電極４と前記ｎ型半導体層の他方の主面にオーミック接触するカソード電極５を有する超接合ショットキーダイオード１０とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度の高速化と順方向電圧の低減を進展させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１の層（ｎ^＋型のシリコン基板１）と、前記第１の層の一方の面上に形成された前記第１の層と同じ導電型で前記第１の層よりも不純物濃度が低くかつ格子定数が異なる複数の主成分からなる第２の層（ｎ⁻型のＳｉＧｅ層２）と、前記第２の層の表面から深さ方向へ延在する前記第２の層とは異なる導電型で前記第２の層よりも不純物濃度が高くかつ前記第２の層とは異なる格子定数を有する埋込層（ｐ型のシリコン層３）を備える。 （もっと読む）

【課題】低い接触抵抗と良好な表面状態とを併せ持つオーミック性電極を備えた炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。オーミック性電極は、少なくともチタンとアルミニウムと珪素とを含む合金層を有する。合金層のチタンとアルミニウムと珪素との割合が、Ａｌ：４０〜７０質量％、Ｔｉ：２０〜５０質量％、Ｓｉ：１〜１５質量％である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを素材として採用することで本来得られる特性をより確実に得ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＪＦＥＴ１は、少なくとも上部表面１４Ａが炭化珪素からなるウェハ１０と、上部表面１４Ａ上に形成されたゲートコンタクト電極２１とを備える。ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。第１のｐ型領域１６は、上部表面１４Ａを含むように配置されるベース領域１６Ａと、突出領域１６Ｂとを含む。ベース領域１６Ａは、上部表面１４Ａに沿った方向における幅ｗ_１が、突出領域１６Ｂの幅ｗ_２よりも広い。ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ^＋型のカソード領域１１２及びｎ⁻型のドリフト領域１１４を有する半導体基板１１０と、絶縁層１２４を介して導電性材料１２６が埋め込まれた構造を有する複数の第２主面側トレンチ領域１２２及び複数のｐ型の第１主面側トレンチ領域１２０を有するトレンチ領域１１６と、ドリフト領域１１４において隣接するトレンチ領域１１６間に挟まれた部分に位置するメサ領域１１８と、半導体基板１１０の第２主面上に形成され、メサ領域１１８との間でショットキ接合を形成するバリア金属層１２８とを備えるトレンチショットキバリアダイオード１００。 （もっと読む）

【課題】現在、半導体集積回路で使用されているバイポーラトランジスタとＭＯＳトランジスタは最初に発明された時よりその構造は変わっておりません。構造と原理を根本的に見直し、高速化・低消費電力化・微細化を進展させる。
【解決手段】サブミクロンスケールの微細加工技術を用い、新しい原理と構造のトランジスタによる半導体集積回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板が薄型化されるとともに、微細パターンからなる半導体領域が形成された半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１にＮ型エピタキシャル層２を形成した後、ステッパーによるフォトリソグラフィー法を用いて微細パターンからなるＰ型不純物領域３、４及び表面オーミックコンタクト電極５を形成する工程と、表面オーミックコンタクト電極５を覆うように保護膜を形成し、前記保護膜の平坦化を行う工程と、ＳｉＣ単結晶基板１を薄くする基板薄型化工程と、ＳｉＣ単結晶基板１に裏面オーミックコンタクト電極７を形成する工程と、Ｐ型不純物領域３、４及び表面オーミックコンタクト電極５と接続されたショットキー金属部８を形成し、ショットキー金属部８を覆う表面パッド電極９を形成する工程と、を具備する半導体デバイス１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】極の位置合わせが容易な太陽電池セルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型の半導体基板１と、半導体基板１の受光面側に形成されたｎ型の拡散層と、ｎ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極７とから構成される太陽電池セルであって、ｎ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域５と、それら高濃度拡散領域５間に位置する低濃度拡散領域６が形成され、受光面グリッド電極７は、高濃度拡散領域５に形成され、隣接する高濃度拡散領域５の中心間距離Ｌが１．５〜３．０ｍｍであり、高濃度拡散領域５の幅Ｍが、中心間距離Ｌの２０〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】インパクトイオン化領域にてキャリアがゲート絶縁膜に入り込むことがない半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ部分２２と、ダイオード部分２３を具備し、トランジスタ部分２２は、第１導電型又は真性の半導体領域であるチャネル形成領域６と、チャネル形成領域６に接するゲート絶縁膜７と、チャネルを形成させるゲート電極８と、第２導電型あり、チャネル形成領域６に接し、ドレイン電圧が供給されるドレイン領域４と、第２導電型であり、チャネル形成領域６を介してドレイン領域４に対向し、チャネル形成領域６にチャネルが形成されたときにチャネル形成領域６を介してドレイン電圧が供給されるソース領域５とを含み、ダイオード部分２３は、ソース領域５に電気的に接続されており、ソース領域５にドレイン電圧が供給されたときに、ダイオード部分２３はインパクトイオン化現象が発生する領域を含む。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接合面積を維持しつつ、設定耐圧値に相応する逆方向バイアスの印加時に、メサ部よりも先に活性領域でブレークダウンを発生させることで、ＥＳＤ耐量を向上して安定した特性と高信頼性を実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の外周縁部に斜面をなすメサ部１０７を形成したものであって、第２の半導体領域１０６は、第１の電極１０２と接触して半導体基板１０１の一方の主面側の活性領域に配置する主領域部１０６ａを有し、主領域部１０６ａが外縁の環状部１０６ｃと環状部１０６ｃに囲まれた内側域に分散配置する分散部１０６ｄとからなり、分散部１０６ｄの相互間および分散部１０６ｄと環状部１０６ｃとの間に第１の半導体領域１０５の一部が介在するものにおいて、分散部を小ピッチ領域と大ピッチ領域とで構成し、順方向電圧を所望の値に維持しつつ、所望の耐圧を達成する。 （もっと読む）

【課題】広い電流密度範囲で、動作電圧の小さい半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板１と、半導体基板１上に半導体基板１より低ドーピング濃度で形成された第１導電型の半導体層２と、半導体層２の表層に所定間隔を有して並置された第２導電型の第１の半導体領域３と、半導体層２および第１の半導体領域３上に形成され、半導体層２とはショットキ接触、第１の半導体領域３とはオーミック接触する第１の電極５と、半導体基板１の裏面に形成された第２の電極６と、を備え、第１の半導体領域３の幅Ｗｐ（μｍ）と半導体層２のドーピング濃度Ｎ（ｃｍ^-3）とが、Ｗｐ＞−７２×ｌｎ（Ｎ）＋２６８５の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐ−ｉ−ｎ接合とショットキー接合を備えるダイオードを有する炭化珪素パワー半導体装置において、逆方向漏れ電流を抑制した上で、素子のオン抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型炭化珪素半導体基板上に設けられたｎ型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面の一部領域にｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型不純物領域を形成する工程と、ｎ型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面に、ｎ型エピタキシャル炭化珪素半導体層との間にショットキー障壁を形成する第１の金属層を堆積する工程と、第１の金属層上にアルミニウムを含有する第２の金属層を堆積する工程と、第２の金属層を堆積する工程の後に熱処理する工程とを有し、熱処理により第２の金属層に含有されるアルミニウムを選択的に前記ｐ型不純物領域に拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）