【課題】ジャンクションバリアショットキー構造をもつダイオードにおいて、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ガードリング層１５に隣接した第二半導体層１６１と、この第二半導体層１６１に隣接する第二半導体層１６２との間に跨るように、基板１１の中心領域Ａｃにおいて第三絶縁層２３が形成されている。即ち、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で、基板１１の一面（一方の主面）１１ａに露呈された第一半導体層１３を覆うように第三絶縁層２３が形成される。これによって、第三絶縁層２３は、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で基板１１の一面１１ａに露呈された第一半導体層１３と、金属層１４との間を電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置において、不純物添加工程や表面保護膜形成におけるプロセス条件のばらつきがあっても、簡便に逆方向耐圧に大きな影響を与えないターミネーション構造（接合終端構造）を提供する。
【解決手段】素子の外周端部に、第１導電型の耐圧維持層および有限長さの前記第１導電型とは異なる第２導電型の領域からなる接合終端構造を備えたＳｉＣ半導体素子であって、前記接合終端構造の一部において、第１の方向である層方向に対して均一ではなく、前記接合終端領域の内側端であって前記素子の外周端から前記接合終端領域の外側端に向かって、前記第１導電型領域の不純物濃度が空間的に変調され、不純物濃度が徐々に減少する傾向を持って形成された接合終端構造を有することを特徴とするＳｉＣ半導体素子。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を利用したワイヤボンディングの際にオーミック電極が破壊されない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に形成されたp型不純物領域３と、p型不純物領域上に形成されたp型オーミック電極４と、p型オーミック電極４を覆うようにｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極５と、を備え、p型オーミック電極４はp型不純物領域３の表面に設けられた凹部３ａ内に形成されており、p型オーミック電極の上面はｎ型炭化珪素層の表面２ａよりも低い位置にある、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材１００と、上記半導体基材１００内の、半導体材料からなるドリフト領域２と、ドリフト領域２に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極１９を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３との間に配置された蓄積誘電体４と、第１素子領域８と、第１素子領域８との間にドリフト領域２が配置され、第１素子領域８から離れて配置された第２素子領域５と、ドリフト制御領域３の接続電極１９および第１素子領域８の間に接続された容量性素子５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴと、このＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの内蔵ボディダイオードと並列接続するショットキーバリアダイオードとを備える構成を、安価に、低導通損失と低リカバリー損失特性を有しソフトスイッチング方式の回路技術に適する複合半導体装置にすること。
【解決手段】超接合構造を有するＭＯＳ型半導体装置３１と、該ＭＯＳ型半導体装置３１とは逆並列に接続されるワイドバンドギャップダイオード３２とを有する複合半導体装置において、前記ＭＯＳ型半導体装置３１の定格電流における前記ワイドバンドギャップショットキーバリアダイオード３２の順方向電圧降下より前記ＭＯＳ型半導体装置３１の内蔵ボディダイオードの順方向電圧降下を高くする抵抗値を有する抵抗部１０が前記ＭＯＳ型半導体装置３１に直列接続されている複合半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】低バイアス領域からリーク電流ＩＲの低減効果を得ることのできるショットキーバリア型半導体装置を提供する。
【解決手段】表面に第１導電型を有する第１の半導体層２を有する半導体基板と、第１の半導体層の表面から所定の深さに設けられ、第１導電型の半導体層よりも低濃度の第１導電型を有する第２の半導体層３と、第１の半導体層の表面から所定の深さに配設されたジャンクションバリアとして第２導電型を有する複数の第３の埋め込み半導体層５と、第１の半導体層の表面で第３の埋め込み層を囲むように環状に形成された、第２導電型を有するガードリング４と、第１の半導体層およびガードリングに接するように配置された金属層６を具備したショットキーバリア型半導体装置であって、第２の半導体層の比抵抗が第１の半導体層の比抵抗よりも高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボディ浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された埋め込み絶縁層２と、埋め込み絶縁層２上に形成された半導体層３とを備えるＳＯＩ構造の半導体装置であって、半導体層３は、第１導電型のボディ領域４、第２導電型のソース領域５及び第２導電型のドレイン領域６を有し、ソース領域５とドレイン領域６との間のボディ領域４上にゲート酸化膜７を介してゲート電極８が形成され、ソース領域５は、第２導電型のエクステンション層５２と、エクステンション層５２と側面で接するシリサイド層５１を備え、シリサイド層５１とボディ領域４との境界部分に生じる空乏層の領域に結晶欠陥領域１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。
【解決手段】ワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、半導体基板より低不純物濃度のワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体層と、半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域の周囲に形成されるワイドギャップ半導体の第２導電型の第２の半導体領域と、第１の半導体領域に挟まれ、接合深さが第２の半導体領域の接合深さよりも深いワイドギャップ半導体の第２導電型の第３の半導体領域と、第１、第２および第３の半導体領域上に形成される第１の電極と、半導体基板の下面に形成される第２の電極と、を備えることを特徴とする半導体整流装置。 （もっと読む）

【課題】リーク電流ＩＲの低減を維持しつつ耐圧の向上をはかることのできるショットキーバリア型半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキーバリア型半導体装置において、ガードリング４の外側で、第１の半導体層の表面から所定の深さに配設されたジャンクションバリア５としての埋め込み半導体層を具備する。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、パワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材内に第１の伝導型のドリフト領域２と、半導体基材内にドリフト領域２に隣接して配置され半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３の間に配置された蓄積誘電体４と、基材領域８と、基材領域８から分離され蓄積誘電体４に隣接するドレイン領域５と、基材領域８によりドリフト領域２から分離されるソース領域９と、ゲート誘電体１６により半導体基材から絶縁されソース領域９からドリフト領域２に到るまで基材領域８に隣接して伸びたゲート電極１５と、ドレイン領域５と接したドレイン電極１１と、ドレイン領域５と相補的にドープされた半導体領域２７とを含み、半導体領域２７はドレイン電極１１とドリフト領域２の間に配置されドレイン電極１１に隣接する。 （もっと読む）

【課題】小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。
【解決手段】ワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が１Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ＋１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、厚さが８μｍ以上のワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体層と、半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域に挟まれて形成され、幅が１５μｍ以上であるワイドギャップ半導体の第２導電型の第２の半導体領域と、第１および第２の半導体領域上に形成される第１の電極と、半導体基板の下面に形成される第２の電極と、を備えることを特徴とする半導体整流装置。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードの製造において、ハードマスクを使用せずに、ｐウェル上に選択的にｐ⁺領域を形成し、また金属電極とｐ⁺領域とコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ⁺領域４ａを形成し、当該ｐ⁺領域４ａを選択的にエッチングしてｐ⁺領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ⁺半導体凸部４を形成する。アノード電極は、上記のｎ型領域の露出した部分およびｐ⁺半導体凸部４を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】低電流から大電流に渡り低順方向電流電圧特性を得るショットキーバリア型半導体装置を提供する。
【解決手段】プレーナ構造とＪＢＳ構造を１チップ内で並列接続することで、低電流領域での順方向電圧特性にはＪＢＳ構造、大電流域ではバリアハイトが０．７０ｅＶより高いショットキーメタルから構成されたガードリング構造（プレーナ構造）が作用する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる半導体装置，半導体装置を用いた回転電機または車両を提供する。
【解決手段】ショットキ接合と、ｐｎ接合を備える半導体装置であって、ｐｎ接合は高濃度Ｐ型拡散層５とＮ型拡散層４で形成され、低濃度Ｐ型拡散層６と金属電極７により、ショットキ接合が形成され整流領域のｐｎ接合部の降伏電圧を、前記ショットキ接合及びガードリング部Ｚ２のｐｎ接合より低くすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単色性が強く、高効率にテラヘルツ波を発生または検出することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波素子１００は、バッファ層１０２と電子供給層１０４とのヘテロ接合を含む半導体多層構造１０１〜１０４と、半導体多層構造１０１〜１０４上に形成されたゲート電極１０５、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７とを有し、ゲート電極１０５とヘテロ接合界面との間の静電容量は、ドレインとソースとの間を流れる電流の方向と直交する方向に周期的に、第１の静電容量と第１の静電容量の値と異なる第２の静電容量とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＪＢＳであってもサージ電流による温度上昇とその正帰還により素子破壊に至る場合があった。
【解決手段】ｎ型のＳｉＣ基板と、ＳｉＣ基板の第一主面に形成され、ＳｉＣ基板よりも不純物濃度の低いｎ型ＳｉＣドリフト層と、ドリフト層に形成されたｐ型ＳｉＣの第一の半導体領域と、第一の半導体領域の表層側に形成され、第一の半導体領域よりも不純物濃度が高濃度であるｐ型ＳｉＣの第二の半導体領域と、ドリフト層の表面に形成され第一の半導体領域とショットキー接続し、第二の半導体領域とオーミック接続するショットキー電極と、ショットキー電極の表面に形成されたアノード電極と、アノード電極の表面で、第一の半導体領域の直上に形成され、上面から見て第一の半導体領域の領域を含むように第一の半導体領域よりも広い面積に形成されたファーストボンドと、ＳｉＣ基板の第二主面に形成されたカソード電極とを備えている。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗および高信頼性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１Ａは、第１導電形層１１が表面に選択的に設けられた半絶縁性基板１０と、前記半絶縁性基板および前記第１導電形層の上に設けられたノンドープＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）を含む第１半導体層１５と、前記第１半導体層上に設けられたノンドープもしくは第２導電形のＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０＜Ｙ≦１、Ｘ＜Ｙ）を含む第２半導体層１６とを備える。半導体素子は、前記第２導電形層１１に接続された第１主電極２０と、前記第２半導体層１６に接続された第２主電極と２１、前記第１主電極と、前記第２主電極と、のあいだの前記第２半導体層の上に設けられた制御電極３０とを備える。前記第１導電形層１１は、前記制御電極３０の下に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 ドレイン領域内のトンネル領域と微細穴に埋め込まれる形で形成されたフローティングゲート電極の側面との間にはトンネル絶縁膜を設け、微細穴に接するドレイン領域の表面付近には、電気的にフローティング状態である第１導電型のトンネル防止領域を設けた。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層１４にドーパントを導入するドーパント導入工程と、エピタキシャル層１４の表面にカーボン膜２４を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜２４が残存した状態でエピタキシャル層１４をアニール処理するアニール処理工程とを備える。カーボン膜形成工程では、シリコン、窒素及び酸素の群から選択される少なくとも１種類以上の原子が原料に含まれる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いゲート絶縁膜を備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】８度以下のオフ角度を有する炭化珪素基板（１）と、この基板上に形成された第１導電型の第１炭化珪素領域（２）と、この領域の表面に形成された第２導電型の第２炭化珪素領域（３）と、この領域の表面に形成され、不純物濃度が第２の炭化珪素領域と同程度に調整された第１導電型の第３炭化珪素領域（４）と、この領域の表面に選択的に形成された第１導電型の第４炭化珪素領域（５）と、第２炭化珪素領域の表面に形成された第２導電型の第５炭化珪素領域（６）と、第１炭化珪素領域から第３炭化珪素領域の少なくとも端部までを覆うように形成されたゲート絶縁膜（７）と、この上に形成されたゲート電極（８）とを具備し、第３炭化珪素領域の表面における、第３と第４炭化珪素領域の境界面は、オフ角度方向と９０°以外の角度で交差するように形成されている。 （もっと読む）