半導体装置
【課題】オン電圧を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層と接して設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3の半導体層と、前記第2の半導体層に接続された第1の金属層と、前記第3の半導体層に接続され前記第1の金属層とは異なる金属からなる第2の金属層と、を有する第1の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【解決手段】第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層と接して設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3の半導体層と、前記第2の半導体層に接続された第1の金属層と、前記第3の半導体層に接続され前記第1の金属層とは異なる金属からなる第2の金属層と、を有する第1の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関し、特にpn短絡型の電極構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電力用半導体装置には、低消費電力化のためオン抵抗の低減が求められている。そのためMOSFETの高入力インピーダンス特性と、バイポーラトランジスタの低出力インピーダンス特性とを併せ持つ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下、IGBT)が用いられている。IGBTは、MOSFETと同様に絶縁ゲートを有し、またバイポーラトランジスタと同様に伝導度変調特性を有する。
【0003】
また、小型化のためにフリーホイーリングダイオード(以下、FWD)を一体化したIGBTとして、コレクタ短絡領域を設けたpnコレクタショート型のIGBTも用いられる。従来、このようなpnコレクタ短絡型のコレクタ構造を有する場合においても、同一の金属により半導体とオーミック接合させてコレクタが形成されていた(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
一方、半導体と金属との良好なオーミック接合を得るために、半導体の導電型に応じて、接合させる金属を選択する提案もある(例えば、特許文献2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−12972号公報
【特許文献2】特開2007−19458号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、オン電圧を低減した半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様によれば、第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層と接して設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3の半導体層と、前記第2の半導体層に接続された第1の金属層と、前記第3の半導体層に接続され前記第1の金属層とは異なる金属からなる第2の金属層と、を有する第1の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、オン電圧を低減した半導体装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図6】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の形状や縦横の寸法の関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0011】
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、半導体装置60においては、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第2の半導体層32が設けられている。また、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第2の半導体層32と接して、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第3の半導体層33が設けられている。
【0012】
さらに、p型の第2の半導体層32の上に第1の金属層11が設けられ、n+型の第3の半導体層33の上に第2の金属層12が設けられている。第1の金属層11と第2の金属層12は、互いに異なる金属からなる。すなわち、第1の金属層11と第2の金属層12とは、互いに異なる単一金属からなるか、あるいは互いに異なる組成の合金からなる。
半導体層32、33がシリコンからなる場合、第1の金属層11は、例えば、アルミニウム(Al)で形成され、第2の金属層12は、例えば、チタン(Ti)で形成される。これらの第1及び第2の金属層11、12は、例えば、真空蒸着、スパッタなどにより形成される。
【0013】
第1の金属層11と第2の金属層12とは電気的に接続され第1の主電極10となる。
第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれ接触抵抗が低い接合を形成し、望ましくはオーミック接合を形成している。
従って、第2の半導体層32と第1の金属層11との接触抵抗は、第2の半導体層32と第2の金属層12との接触抵抗よりも低い。また、第3の半導体層33と第2の金属層12との接触抵抗は、第3の半導体層33と第1の金属層11との接触抵抗よりも低い。
【0014】
金属と半導体との接合部の抵抗(接触抵抗)は、金属の電気親和力、すなわち伝導体の底から真空順位までのエネルギー差と半導体のフェルミ順位との差に起因するショットキー障壁の高さに依存する。また、金属と半導体との界面での不連続に起因する表面準位などに依存する。
【0015】
p型、n型のそれぞれの導電型の半導体と良好なオーミック接合を得るのに最適な金属として、例えば、p型シリコンに対してアルミニウム(Al)が、n型シリコンに対してチタン(Ti)がある。
【0016】
しかし、従来、p型、n型のそれぞれの導電型の半導体に対して単一の金属、例えば、アルミニウム(Al)を電極として用いていた。すなわち、電極と接合するn型シリコンの不純物濃度を高くすることにより、アルミニウム(Al)に対しても接触抵抗を下げる方法がとられていた。
しかし、このような方法では、接触抵抗が十分に低いオーミック接合を形成することは容易ではない。そのため、半導体と電極との接触抵抗により、半導体装置のオン電圧などが悪化し、半導体装置としての性能を低下させていた。
【0017】
例えば、図2において説明するようなコレクタ短絡型のIGBTの場合、第1の主電極として単一の金属、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)を用いた場合のオン電圧は、それぞれ1.5V、1.8Vとなる。また、第1の主電極としてアルミニウム(Al)、チタン(Ti)を用いた場合のIGBTと逆並列に形成されたFWDのオン電圧は、それぞれ1.2V、1.1Vとなる。
【0018】
従って、p型、n型のそれぞれの導電型の半導体に対して最適な金属、例えばp型の半導体にアルミニウム(Al)、n型の半導体にチタン(Ti)を用いた場合、IGBTのオン電圧は1.5Vに、FWDのオン電圧は1.1Vになると推定される。
【0019】
このように本実施例の半導体装置60においては、p型、n型のそれぞれの導電型の半導体に対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な第1の金属層11、第2の金属層12を選択して第1の主電極10を形成することができる。そのため、本実施例においては、オン電圧などの悪化を抑制することができる。
【0020】
なお、半導体装置60においては、第1導電型がn型、第2導電型がp型の場合を例示している。また、半導体として、シリコンを用いた場合を例示している。
しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1導電型がp型、第2導電型がn型でもよい。
【0021】
また、半導体装置60においては、p型の第2の半導体層32の上に設けられた第1の金属層11と、n+型の第3の半導体層33の上に設けられた第2の金属層12からなる第1の主電極10を1つ例示しているが、本発明はこれに限定されない。
同様の構造の第1の主電極10を複数設けることもでき、また、n−型の第1の半導体層31に他の拡散領域、絶縁膜などを備えることもできる。
【0022】
図2は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図2に表したように、半導体装置60aにおいては、n−型の第1の半導体層31内にp型の第4の半導体層34が設けられている。また、p型の第4の半導体層34に、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第5の半導体層35が設けられている。
【0023】
n−型の第1の半導体層31とp型の第4の半導体層34とn+型の第5の半導体層35と、の上に絶縁膜41を介して制御電極25が設けられている。
p型の第4の半導体層34とn+型の第5の半導体層35との上に制御電極25と離隔して第2の主電極20が設けられている。なお、本実施例においては、第2の主電極20は、絶縁膜42を介して、制御電極25の上にも形成されている。なお、第2の主電極20は、例えばアルミニウム(Al)により形成される。
【0024】
n−型の第1の半導体層31の裏面、すなわちp型の第4の半導体層34と反対側の面に、p型の第2の半導体層32が設けられている。
また、n−型の第1の半導体層31の裏面のp型の第4の半導体層34と対抗する位置に、p型の第2の半導体層32と接してn−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第3の半導体層33が設けられている。
【0025】
さらに、p型の第2の半導体層32のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第1の金属層11が設けられている。n+型の第3の半導体層33のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第2の金属層12が設けられている。
【0026】
第2及び第3の半導体層32、33、第1及び第2の金属層11、12については、半導体装置60と同様である。
第1の金属層11と第2の金属層12とは電気的に接続され第1の主電極10aとなる。
【0027】
半導体装置60aにおいては、第2の主電極20と第1の金属層11との間に、IGBTを構成し、第2の主電極20と第2の金属層12との間に、逆並列にFWDを構成する。このように、半導体装置60aは、第1の主電極10aをコレクタ電極、第2の主電極20をエミッタ電極、制御電極25をゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0028】
半導体装置60aにおいては、第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれオーミック接合している。
従って、第1の主電極10aは、p型の第2の半導体層32及びn+型の第3の半導体層33とそれぞれオーミック接合している。
【0029】
そのため、半導体装置60aにおいては、p型、n型のそれぞれの導電型のシリコンに対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な金属を選択して第1及び第2の主電極10a、20を形成することができる。例えば、p型シリコンに対してアルミニウム(Al)、n型シリコンに対してチタン(Ti)をそれぞれ含む第1及び第2の金属層11、12を用いることができる。
【0030】
このように、本実施例の半導体装置60aにおいては、IGBT素子のオン電圧、及びFWD素子のオン電圧の悪化を抑制することができる。
なお、本実施例においては、第1導電型がn型、第2導電型がp型の場合を例示している。また、半導体として、シリコンを用いた場合を例示している。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1導電型がp型、第2導電型がn型でもよい。
【0031】
図3は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図3に表したように、本実施例の半導体装置60bにおいては、n−型の第1の半導体層31と、p型の第2の半導体層32及びn+型の第3の半導体層33との間に、n+型の第6の半導体層36を設けている。これ以外については、図2に表した半導体装置60aと同様であり、半導体装置60bは、第1の主電極10aをコレクタ電極、第2の主電極20をエミッタ電極、制御電極25をゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0032】
図3に表したように、n+型の第6の半導体層36を設けたことにより、いわゆるパンチスルーを防止することができる。すなわち、第2の主電極20と第1の主電極10aとの間に逆電圧が印加された場合に生じるn−型の第1の半導体層31の空乏層は、n+型の第6の半導体層36で止り、パンチスルーを防止することができる。
【0033】
このように、逆電圧を印加したときn−型の第1の半導体層31の空乏層がp型の第2の半導体層32にまで達することがなくなる。そのため、n−型の第1の半導体層31の厚さを薄くすることができ、オン抵抗をさらに低減することができる。
【0034】
図4は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図4に表したように、本実施例の半導体装置60cにおいては、第1の金属層11と第2の金属層12との上に、さらに第3の金属層13、第4の金属層14を設けている。第1の主電極10bは、これら第1〜第4の金属層11〜14を電気的に接続して構成している。これ以外については、図3に表した半導体装置60bと同様であり、半導体装置60cは、第1の主電極10bをコレクタ電極、第2の主電極20をエミッタ電極、制御電極25をゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0035】
第3の金属層13、第4の金属層14としては、例えば、それぞれニッケル(Ni)、金(Au)を含む金属を用いることができる。
このように、第1の主電極10bを多層構造とすることにより、第1の金属層11とp型の第5の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれ良好なオーミック接合をすることができる。同時に、例えば、金(Au)などのイオン化傾向の小さい金属を含む表層を設けることにより、反応しやすい活性な金属を保護することができる。
【0036】
なお、本実施例においては、第1及び第2の金属層11、12の上に第3及び第4の金属層13、14を設けているが、本発明はこれに限定されない。第1及び第2の金属層11、12の上に第3の金属層13を設けて、これら第1〜第3の金属層11〜13を電気的に接続して第1の主電極を構成してもよい。また、さらに多層に金属層を設けて、第1の主電極を構成してもよい。
【0037】
図5は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図5に表したように、本実施例の半導体装置60dにおいては、制御電極25dをトレンチゲート構造としている点が図4に表した半導体装置60cと異なる。
【0038】
すなわち、半導体装置60dにおいては、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第4の半導体層34dが設けられている。また、p型の第4の半導体層34dに、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第5の半導体層35dが設けられている。
p型の第4の半導体層34dとn+型の第5の半導体層35dとを貫通してn−型の第1の半導体層31まで達するように、絶縁膜41dを介して制御電極25dが埋め込まれている。
【0039】
p型の第4の半導体層34dとn+型の第5の半導体層35dとの上に制御電極25dと離隔して第2の主電極20dが設けられている。本実施例においては、第2の主電極20dは、絶縁膜42dを介して、制御電極25dの上にも形成されている。なお、第2の主電極20dは、例えばアルミニウム(Al)により形成される。
【0040】
また、n−型の第1の半導体層31の裏面、すなわちp型の第4の半導体層34dと反対側の第1の主電極10bが設けられている面については、半導体装置60cと同様である。半導体装置60dは、第1の主電極10bをコレクタ電極、第2の主電極20dをエミッタ電極、制御電極25dをゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0041】
本実施例の半導体装置60dにおいても、p型、n型のそれぞれの導電型のシリコンに対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な金属を選択して第1及び第2の主電極10b、20dを形成することができる。そのため、本実施例においては、IGBT素子のオン電圧、及びFWD素子のオン電圧の悪化を抑制することができる。
【0042】
さらに、第1の主電極10bを多層構造とすることにより、第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれ良好なオーミック接合をすることができる。同時に、イオン化傾向の小さい金属、例えば金(Au)などを含む表層を設けることにより、反応しやすい活性な金属を保護することができる。
【0043】
図6は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図6に表したように、半導体装置60eにおいては、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第4の半導体層34eが設けられている。また、p型の第4の半導体層34eに、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第5の半導体層35が設けられている。
【0044】
n−型の第1の半導体層31とp型の第4の半導体層34eとn+型の第5の半導体層35と、の上に制御電極26が設けられている。
p型の第4の半導体層34eとn+型の第5の半導体層35との上に制御電極26と離隔して第2の主電極20eが設けられている。なお、第2の主電極20eは、例えばアルミニウム(Al)により形成される。
【0045】
n−型の第1の半導体層31の裏面、すなわちp型の第4の半導体層34eと反対側の面に、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第3の半導体層33が設けられている。
また、n−型の第1の半導体層31の裏面のn+型の第5の半導体層35と対抗する位置に、p型の第2の半導体層32と接してp型の第2の半導体層32が設けられている。
【0046】
さらに、p型の第2の半導体層32のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第1の金属層11が設けられている。n+型の第3の半導体層33のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第2の金属層12が設けられている。
【0047】
第2及び第3の半導体層32、33、第1及び第2の金属層11、12については、半導体装置60と同様である。
第1の金属層11と第2の金属層12とは電気的に接続され第1の主電極10となる。
【0048】
本実施例においては、第2の主電極20eと第1の金属層11との間に、サイリスタを構成し、第2の主電極20eと第2の金属層12との間に、逆並列にFWDを構成する。このように、本実施例の半導体装置60eは、第1の主電極10をアノード電極、第2の主電極20をカソード電極、制御電極26をゲート電極とする、逆導通サイリスタである。
【0049】
半導体装置60eにおいては、第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれオーミック接合している。
従って、第1の主電極10は、p型の第2の半導体層32及びn+型の第3の半導体層33とそれぞれオーミック接合している。
【0050】
そのため、半導体装置60eにおいても、p型、n型のそれぞれの導電型のシリコンに対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な金属を選択して第1及び第2の主電極10a、20を形成することができる。例えば、p型シリコンに対してアルミニウム(Al)、n型シリコンに対してチタン(Ti)をそれぞれ含む第1及び第2の金属層11、12を用いることができる。
【0051】
このように、本実施例の半導体装置60aにおいては、サイリスタ素子のオン電圧、及びFWD素子のオン電圧の悪化を抑制することができる。
なお、本実施例においては、第1導電型がn型、第2導電型がp型の場合を例示している。また、半導体として、シリコンを用いた場合を例示している。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1導電型がp型、第2導電型がn型でもよい。
【0052】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置を構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0053】
その他、本発明の実施形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【0054】
10、10a、10b 第1の主電極
11 第1の金属層
12 第2の金属層
13 第3の金属層
14 第4の金属層
20、20d、20e 第2の主電極
25、25d、26 制御電極
31 n−型の第1の半導体層
32 p型の第2の半導体層
33 n+型の第3の半導体層
34、34d、34e p型の第4の半導体層
35、35d n+型の第5の半導体層
36 n+型の第6の半導体層
41、41d、42、42d 絶縁膜
60、60a〜60e 半導体装置
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関し、特にpn短絡型の電極構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電力用半導体装置には、低消費電力化のためオン抵抗の低減が求められている。そのためMOSFETの高入力インピーダンス特性と、バイポーラトランジスタの低出力インピーダンス特性とを併せ持つ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下、IGBT)が用いられている。IGBTは、MOSFETと同様に絶縁ゲートを有し、またバイポーラトランジスタと同様に伝導度変調特性を有する。
【0003】
また、小型化のためにフリーホイーリングダイオード(以下、FWD)を一体化したIGBTとして、コレクタ短絡領域を設けたpnコレクタショート型のIGBTも用いられる。従来、このようなpnコレクタ短絡型のコレクタ構造を有する場合においても、同一の金属により半導体とオーミック接合させてコレクタが形成されていた(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
一方、半導体と金属との良好なオーミック接合を得るために、半導体の導電型に応じて、接合させる金属を選択する提案もある(例えば、特許文献2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−12972号公報
【特許文献2】特開2007−19458号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、オン電圧を低減した半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様によれば、第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層と接して設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3の半導体層と、前記第2の半導体層に接続された第1の金属層と、前記第3の半導体層に接続され前記第1の金属層とは異なる金属からなる第2の金属層と、を有する第1の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、オン電圧を低減した半導体装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【図6】本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の形状や縦横の寸法の関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0011】
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、半導体装置60においては、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第2の半導体層32が設けられている。また、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第2の半導体層32と接して、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第3の半導体層33が設けられている。
【0012】
さらに、p型の第2の半導体層32の上に第1の金属層11が設けられ、n+型の第3の半導体層33の上に第2の金属層12が設けられている。第1の金属層11と第2の金属層12は、互いに異なる金属からなる。すなわち、第1の金属層11と第2の金属層12とは、互いに異なる単一金属からなるか、あるいは互いに異なる組成の合金からなる。
半導体層32、33がシリコンからなる場合、第1の金属層11は、例えば、アルミニウム(Al)で形成され、第2の金属層12は、例えば、チタン(Ti)で形成される。これらの第1及び第2の金属層11、12は、例えば、真空蒸着、スパッタなどにより形成される。
【0013】
第1の金属層11と第2の金属層12とは電気的に接続され第1の主電極10となる。
第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれ接触抵抗が低い接合を形成し、望ましくはオーミック接合を形成している。
従って、第2の半導体層32と第1の金属層11との接触抵抗は、第2の半導体層32と第2の金属層12との接触抵抗よりも低い。また、第3の半導体層33と第2の金属層12との接触抵抗は、第3の半導体層33と第1の金属層11との接触抵抗よりも低い。
【0014】
金属と半導体との接合部の抵抗(接触抵抗)は、金属の電気親和力、すなわち伝導体の底から真空順位までのエネルギー差と半導体のフェルミ順位との差に起因するショットキー障壁の高さに依存する。また、金属と半導体との界面での不連続に起因する表面準位などに依存する。
【0015】
p型、n型のそれぞれの導電型の半導体と良好なオーミック接合を得るのに最適な金属として、例えば、p型シリコンに対してアルミニウム(Al)が、n型シリコンに対してチタン(Ti)がある。
【0016】
しかし、従来、p型、n型のそれぞれの導電型の半導体に対して単一の金属、例えば、アルミニウム(Al)を電極として用いていた。すなわち、電極と接合するn型シリコンの不純物濃度を高くすることにより、アルミニウム(Al)に対しても接触抵抗を下げる方法がとられていた。
しかし、このような方法では、接触抵抗が十分に低いオーミック接合を形成することは容易ではない。そのため、半導体と電極との接触抵抗により、半導体装置のオン電圧などが悪化し、半導体装置としての性能を低下させていた。
【0017】
例えば、図2において説明するようなコレクタ短絡型のIGBTの場合、第1の主電極として単一の金属、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)を用いた場合のオン電圧は、それぞれ1.5V、1.8Vとなる。また、第1の主電極としてアルミニウム(Al)、チタン(Ti)を用いた場合のIGBTと逆並列に形成されたFWDのオン電圧は、それぞれ1.2V、1.1Vとなる。
【0018】
従って、p型、n型のそれぞれの導電型の半導体に対して最適な金属、例えばp型の半導体にアルミニウム(Al)、n型の半導体にチタン(Ti)を用いた場合、IGBTのオン電圧は1.5Vに、FWDのオン電圧は1.1Vになると推定される。
【0019】
このように本実施例の半導体装置60においては、p型、n型のそれぞれの導電型の半導体に対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な第1の金属層11、第2の金属層12を選択して第1の主電極10を形成することができる。そのため、本実施例においては、オン電圧などの悪化を抑制することができる。
【0020】
なお、半導体装置60においては、第1導電型がn型、第2導電型がp型の場合を例示している。また、半導体として、シリコンを用いた場合を例示している。
しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1導電型がp型、第2導電型がn型でもよい。
【0021】
また、半導体装置60においては、p型の第2の半導体層32の上に設けられた第1の金属層11と、n+型の第3の半導体層33の上に設けられた第2の金属層12からなる第1の主電極10を1つ例示しているが、本発明はこれに限定されない。
同様の構造の第1の主電極10を複数設けることもでき、また、n−型の第1の半導体層31に他の拡散領域、絶縁膜などを備えることもできる。
【0022】
図2は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図2に表したように、半導体装置60aにおいては、n−型の第1の半導体層31内にp型の第4の半導体層34が設けられている。また、p型の第4の半導体層34に、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第5の半導体層35が設けられている。
【0023】
n−型の第1の半導体層31とp型の第4の半導体層34とn+型の第5の半導体層35と、の上に絶縁膜41を介して制御電極25が設けられている。
p型の第4の半導体層34とn+型の第5の半導体層35との上に制御電極25と離隔して第2の主電極20が設けられている。なお、本実施例においては、第2の主電極20は、絶縁膜42を介して、制御電極25の上にも形成されている。なお、第2の主電極20は、例えばアルミニウム(Al)により形成される。
【0024】
n−型の第1の半導体層31の裏面、すなわちp型の第4の半導体層34と反対側の面に、p型の第2の半導体層32が設けられている。
また、n−型の第1の半導体層31の裏面のp型の第4の半導体層34と対抗する位置に、p型の第2の半導体層32と接してn−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第3の半導体層33が設けられている。
【0025】
さらに、p型の第2の半導体層32のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第1の金属層11が設けられている。n+型の第3の半導体層33のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第2の金属層12が設けられている。
【0026】
第2及び第3の半導体層32、33、第1及び第2の金属層11、12については、半導体装置60と同様である。
第1の金属層11と第2の金属層12とは電気的に接続され第1の主電極10aとなる。
【0027】
半導体装置60aにおいては、第2の主電極20と第1の金属層11との間に、IGBTを構成し、第2の主電極20と第2の金属層12との間に、逆並列にFWDを構成する。このように、半導体装置60aは、第1の主電極10aをコレクタ電極、第2の主電極20をエミッタ電極、制御電極25をゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0028】
半導体装置60aにおいては、第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれオーミック接合している。
従って、第1の主電極10aは、p型の第2の半導体層32及びn+型の第3の半導体層33とそれぞれオーミック接合している。
【0029】
そのため、半導体装置60aにおいては、p型、n型のそれぞれの導電型のシリコンに対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な金属を選択して第1及び第2の主電極10a、20を形成することができる。例えば、p型シリコンに対してアルミニウム(Al)、n型シリコンに対してチタン(Ti)をそれぞれ含む第1及び第2の金属層11、12を用いることができる。
【0030】
このように、本実施例の半導体装置60aにおいては、IGBT素子のオン電圧、及びFWD素子のオン電圧の悪化を抑制することができる。
なお、本実施例においては、第1導電型がn型、第2導電型がp型の場合を例示している。また、半導体として、シリコンを用いた場合を例示している。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1導電型がp型、第2導電型がn型でもよい。
【0031】
図3は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図3に表したように、本実施例の半導体装置60bにおいては、n−型の第1の半導体層31と、p型の第2の半導体層32及びn+型の第3の半導体層33との間に、n+型の第6の半導体層36を設けている。これ以外については、図2に表した半導体装置60aと同様であり、半導体装置60bは、第1の主電極10aをコレクタ電極、第2の主電極20をエミッタ電極、制御電極25をゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0032】
図3に表したように、n+型の第6の半導体層36を設けたことにより、いわゆるパンチスルーを防止することができる。すなわち、第2の主電極20と第1の主電極10aとの間に逆電圧が印加された場合に生じるn−型の第1の半導体層31の空乏層は、n+型の第6の半導体層36で止り、パンチスルーを防止することができる。
【0033】
このように、逆電圧を印加したときn−型の第1の半導体層31の空乏層がp型の第2の半導体層32にまで達することがなくなる。そのため、n−型の第1の半導体層31の厚さを薄くすることができ、オン抵抗をさらに低減することができる。
【0034】
図4は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図4に表したように、本実施例の半導体装置60cにおいては、第1の金属層11と第2の金属層12との上に、さらに第3の金属層13、第4の金属層14を設けている。第1の主電極10bは、これら第1〜第4の金属層11〜14を電気的に接続して構成している。これ以外については、図3に表した半導体装置60bと同様であり、半導体装置60cは、第1の主電極10bをコレクタ電極、第2の主電極20をエミッタ電極、制御電極25をゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0035】
第3の金属層13、第4の金属層14としては、例えば、それぞれニッケル(Ni)、金(Au)を含む金属を用いることができる。
このように、第1の主電極10bを多層構造とすることにより、第1の金属層11とp型の第5の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれ良好なオーミック接合をすることができる。同時に、例えば、金(Au)などのイオン化傾向の小さい金属を含む表層を設けることにより、反応しやすい活性な金属を保護することができる。
【0036】
なお、本実施例においては、第1及び第2の金属層11、12の上に第3及び第4の金属層13、14を設けているが、本発明はこれに限定されない。第1及び第2の金属層11、12の上に第3の金属層13を設けて、これら第1〜第3の金属層11〜13を電気的に接続して第1の主電極を構成してもよい。また、さらに多層に金属層を設けて、第1の主電極を構成してもよい。
【0037】
図5は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図5に表したように、本実施例の半導体装置60dにおいては、制御電極25dをトレンチゲート構造としている点が図4に表した半導体装置60cと異なる。
【0038】
すなわち、半導体装置60dにおいては、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第4の半導体層34dが設けられている。また、p型の第4の半導体層34dに、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第5の半導体層35dが設けられている。
p型の第4の半導体層34dとn+型の第5の半導体層35dとを貫通してn−型の第1の半導体層31まで達するように、絶縁膜41dを介して制御電極25dが埋め込まれている。
【0039】
p型の第4の半導体層34dとn+型の第5の半導体層35dとの上に制御電極25dと離隔して第2の主電極20dが設けられている。本実施例においては、第2の主電極20dは、絶縁膜42dを介して、制御電極25dの上にも形成されている。なお、第2の主電極20dは、例えばアルミニウム(Al)により形成される。
【0040】
また、n−型の第1の半導体層31の裏面、すなわちp型の第4の半導体層34dと反対側の第1の主電極10bが設けられている面については、半導体装置60cと同様である。半導体装置60dは、第1の主電極10bをコレクタ電極、第2の主電極20dをエミッタ電極、制御電極25dをゲート電極とする、コレクタ短絡型のIGBTである。
【0041】
本実施例の半導体装置60dにおいても、p型、n型のそれぞれの導電型のシリコンに対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な金属を選択して第1及び第2の主電極10b、20dを形成することができる。そのため、本実施例においては、IGBT素子のオン電圧、及びFWD素子のオン電圧の悪化を抑制することができる。
【0042】
さらに、第1の主電極10bを多層構造とすることにより、第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれ良好なオーミック接合をすることができる。同時に、イオン化傾向の小さい金属、例えば金(Au)などを含む表層を設けることにより、反応しやすい活性な金属を保護することができる。
【0043】
図6は、本発明の実施形態に係る半導体装置の他の構成を例示する模式的断面図である。
図6に表したように、半導体装置60eにおいては、n−型の第1の半導体層31の上にp型の第4の半導体層34eが設けられている。また、p型の第4の半導体層34eに、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第5の半導体層35が設けられている。
【0044】
n−型の第1の半導体層31とp型の第4の半導体層34eとn+型の第5の半導体層35と、の上に制御電極26が設けられている。
p型の第4の半導体層34eとn+型の第5の半導体層35との上に制御電極26と離隔して第2の主電極20eが設けられている。なお、第2の主電極20eは、例えばアルミニウム(Al)により形成される。
【0045】
n−型の第1の半導体層31の裏面、すなわちp型の第4の半導体層34eと反対側の面に、n−型の第1の半導体層31よりも不純物濃度の高いn+型の第3の半導体層33が設けられている。
また、n−型の第1の半導体層31の裏面のn+型の第5の半導体層35と対抗する位置に、p型の第2の半導体層32と接してp型の第2の半導体層32が設けられている。
【0046】
さらに、p型の第2の半導体層32のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第1の金属層11が設けられている。n+型の第3の半導体層33のn−型の第1の半導体層31と反対側の面に第2の金属層12が設けられている。
【0047】
第2及び第3の半導体層32、33、第1及び第2の金属層11、12については、半導体装置60と同様である。
第1の金属層11と第2の金属層12とは電気的に接続され第1の主電極10となる。
【0048】
本実施例においては、第2の主電極20eと第1の金属層11との間に、サイリスタを構成し、第2の主電極20eと第2の金属層12との間に、逆並列にFWDを構成する。このように、本実施例の半導体装置60eは、第1の主電極10をアノード電極、第2の主電極20をカソード電極、制御電極26をゲート電極とする、逆導通サイリスタである。
【0049】
半導体装置60eにおいては、第1の金属層11とp型の第2の半導体層32、第2の金属層12とn+型の第3の半導体層33は、それぞれオーミック接合している。
従って、第1の主電極10は、p型の第2の半導体層32及びn+型の第3の半導体層33とそれぞれオーミック接合している。
【0050】
そのため、半導体装置60eにおいても、p型、n型のそれぞれの導電型のシリコンに対して、良好なオーミック接合を得るのに最適な金属を選択して第1及び第2の主電極10a、20を形成することができる。例えば、p型シリコンに対してアルミニウム(Al)、n型シリコンに対してチタン(Ti)をそれぞれ含む第1及び第2の金属層11、12を用いることができる。
【0051】
このように、本実施例の半導体装置60aにおいては、サイリスタ素子のオン電圧、及びFWD素子のオン電圧の悪化を抑制することができる。
なお、本実施例においては、第1導電型がn型、第2導電型がp型の場合を例示している。また、半導体として、シリコンを用いた場合を例示している。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1導電型がp型、第2導電型がn型でもよい。
【0052】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置を構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0053】
その他、本発明の実施形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【0054】
10、10a、10b 第1の主電極
11 第1の金属層
12 第2の金属層
13 第3の金属層
14 第4の金属層
20、20d、20e 第2の主電極
25、25d、26 制御電極
31 n−型の第1の半導体層
32 p型の第2の半導体層
33 n+型の第3の半導体層
34、34d、34e p型の第4の半導体層
35、35d n+型の第5の半導体層
36 n+型の第6の半導体層
41、41d、42、42d 絶縁膜
60、60a〜60e 半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層と接して設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3の半導体層と、
前記第2の半導体層に接続された第1の金属層と、前記第3の半導体層に接続され前記第1の金属層とは異なる金属からなる第2の金属層と、を有する第1の主電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記第1の半導体層の前記第1の主電極とは反対側に設けられた第2導電型の第4の半導体層と、
前記第4の半導体層の表面に選択的に設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第5の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第4の半導体層と前記第5の半導体層との上に絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とに接続され、前記制御電極と離隔して設けられた第2の主電極と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1の半導体層の前記第1の主電極とは反対側に設けられた第2導電型の第4の半導体層と、
前記第4の半導体層の表面に選択的に設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第5の半導体層と、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とを貫通して前記第1の半導体層まで達するトレンチに絶縁膜を介して埋め込まれた制御電極と、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とに接続された第2の主電極と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第2の半導体層と前記第1の金属層との接触抵抗は、前記第3の半導体層と前記第1の金属層との接触抵抗よりも低く、
前記第3の半導体層と前記第2の金属層との接触抵抗は、前記第2の半導体層と前記第2の金属層との接触抵抗よりも低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1の金属層と前記第2の金属層とを覆う第3の金属層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項1】
第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層と接して設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第3の半導体層と、
前記第2の半導体層に接続された第1の金属層と、前記第3の半導体層に接続され前記第1の金属層とは異なる金属からなる第2の金属層と、を有する第1の主電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記第1の半導体層の前記第1の主電極とは反対側に設けられた第2導電型の第4の半導体層と、
前記第4の半導体層の表面に選択的に設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第5の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第4の半導体層と前記第5の半導体層との上に絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とに接続され、前記制御電極と離隔して設けられた第2の主電極と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1の半導体層の前記第1の主電極とは反対側に設けられた第2導電型の第4の半導体層と、
前記第4の半導体層の表面に選択的に設けられた前記第1の半導体層よりも不純物濃度の高い第1導電型の第5の半導体層と、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とを貫通して前記第1の半導体層まで達するトレンチに絶縁膜を介して埋め込まれた制御電極と、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とに接続された第2の主電極と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第2の半導体層と前記第1の金属層との接触抵抗は、前記第3の半導体層と前記第1の金属層との接触抵抗よりも低く、
前記第3の半導体層と前記第2の金属層との接触抵抗は、前記第2の半導体層と前記第2の金属層との接触抵抗よりも低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1の金属層と前記第2の金属層とを覆う第3の金属層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【公開番号】特開2011−23527(P2011−23527A)
【公開日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−166968(P2009−166968)
【出願日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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