【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A４２０の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B４２１を設置し，試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部４２３から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部６６によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A４２０の更に下部に帯電制御電極B４２１が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ９などの試料から放出された二次電子４０９の試料への戻り量を調整することが可能になり，高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料の鮮明な画像を撮影することができる電子顕微鏡システム及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】電子顕微鏡システムは、電子線を発生させる電子銃と、電子線を試料に照射するための光学系と、当該試料をセットするステージと、当該試料を観察するために、当該試料への電子線の照射を基に試料を撮影する撮影機構と、撮影機構が撮影した当該試料の画像を解析する解析機構と、当該試料と撮影機構との相対的位置を調節する位置調節機構と、を備える。位置調節機構は、解析機構の解析結果を基に、ステージ又は撮影機構の視野のうちの少なくとも一方を移動させる。 （もっと読む）

【課題】評価用ＴＥＧにおいて、ビアエッチングによる層間膜換算におけるオーバーエッチング量を数値化する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１２上の、ＶＩＡ実寸測定用パターン２の形成領域には下部配線を設けずに、ＶＩＡ抵抗測定用パターン４の形成領域には下部配線１４を設け、この上に第２の層間絶縁膜１６を生成する。この第２の層間絶縁膜１６に、エッチングによりビアホール２０ａを形成した後、導電性部材を堆積させてビアＴＥＧ２０を形成する。下層に下部配線１４が配置されたビアＴＥＧ２０（２０４）のビアホール深さｂと下層に下部配線１４が配置されないビアＴＥＧ２０（２０２）のビアホール深さａとの比からオーバーエッチング率（量）を演算する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】試料の所望の領域の所望の層を短時間で一括加工し、荷電粒子線による検査、解析、微細加工等を実現する荷電粒子線装置を提供する。数百ミクロン以上の所望領域を高速に一括加工可能な機能が従来の荷電粒子線装置には無かった。
【解決手段】荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから得られる複数のメインチップにおいて、メインチップ毎のＯＮ電圧のバラツキを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。半導体ウェハ１０の表面全体に電子線等を照射する。ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２の中に再結合中心を形成する。測定装置１５によりトランジスタ２のＯＮ電圧を測定しつつ、ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２において規定されたライフタイムを所定のアニール処理を施すことにより回復させる。ライフタイムが回復しているとき、制御装置１６は、ＩＧＢＴ素子１のＯＮ電圧がそれぞれ所定のＯＮ電圧となるように、測定されたトランジスタ２のＯＮ電圧に基づいてアニール処理におけるアニール処理量を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを放出中であっても高真空を維持可能な小型荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の電子光学系の差動排気の上流に非蒸発ゲッター
ポンプを配し，下流に必要最小限のイオンポンプ配して，両者を併用することにより達成
される。さらに，取り外し可能なコイルを電子銃部に実装することにより，別の課題を解
決する。
【効果】カラム内の真空度を１０^−８Ｐａ台の高真空で維持できる小型荷電粒子線装置，例えば，小型の走査型電子顕微鏡，複数のカラムを有する荷電粒子ビーム装置を得ることができる。さらに，半導体の電気特性を直接計測するプローバ装置の探針の位置をモニタする小型ＳＥＭカラムを容易に内蔵できる。その他にも，半導体素子検査用のミラープロジェクション方式の電子線検査装置の電子線照射カラムの小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面に大きな凹凸部を有する試料であっても集束イオンビームで縦筋の少ない断面を形成すること。
【解決手段】試料に第一の断面を形成する工程と、第一の断面と交差する第二の断面を集束イオンビームで形成する工程とを含む試料加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するための機構を提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層パターンやホールパターンの穴底などの鮮明度の低い領域に対して高画質化が行える，高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】
設計データの高さ情報または画像から求めた試料の高さ情報の推定値を用いて鮮明化強度を計算し，該鮮明化強度を用いて撮像画像の画質改善処理を行う。 （もっと読む）

【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料作製方法は、一方の側に切欠部３０ａを有し、試料２０を支持する支持基板３０を作製する支持基板作製工程と、試料２０のコンタクト側が支持基板の一方の側を向き、平面投影面において試料２０の一部が切欠部３０ａの断面に重なるように試料２０と支持基板３０とを接合する接合工程と、試料２０の面１０ｂ側（基板側）から集束イオンビームを照射して、切欠部と重なった部分において、コンタクトの延在方向に沿うように試料に薄膜領域２０ａを形成する照射工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料の一部が浮いたように変形したウエハであっても、試料移動時の試料変形に効果的に抑制する試料保持装置、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料を第１の高さにて支持する複数の支持台を備えた試料保持装置において、前記試料が配置されていない状態で、前記第１の高さより高い第２の高さに、その先端が位置する接触体と、当該接触体を上下移動可能に支持するガイドと、当該ガイドに支持された前記接触体の先端が、前記第２の高さより下方に移動したときに、前記接触体を上方に押圧する押圧部材を備えた試料保持装置、及び当該試料保持装置を備えた荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】回折次数の重なりを防止しつつ基板の特性を精度良く求める技術を提供する。
【解決手段】角度分解分光法に対しては、４つのクアドラントを有する照明プロファイルを有する放射ビームが使用される。第１および第３クアドラントが照明される一方、第２および第４クアドラントは照明されない。したがって、結果として生じる瞳面は４つのクアドラントに分けられ、ゼロ次回折パターンのみが第１および第３クアドラントに現れて一次回折パターンのみが第２および第３クアドラントに現れる。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料の意図しない損傷を回避し、プローブや試料ステージなどの成分である重金属のスパッタ粒子の試料への飛散や付着を極力低減して、プローブを加工することに関する。
【解決手段】本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子，プローブの破片，プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。このため、プローブ形状を試料室内で再生し、長期間プローブを継続使用することが可能となる。 （もっと読む）