【課題】半導体素子と例えばインターポーザ基板との接合を引き剥がして、その接合状態を確認する引き剥がし検査を行うための検査用半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る検査用半導体素子であるＴＥＧチップ１０は、元々がウェハテストを行うためのものであって、同一ウェハに形成されたＴＥＧチップではないチップとその寸法を同一とし、少数の引き剥がし検査用バンプ１０ｂを周縁部分に備えている。これにより、引き剥がし検査において、ＴＥＧチップ１０−例えばインターポーザ基板３０間の接合強度が、ＴＥＧチップ１０−引き剥がし用ジグ２０間の接着強度を上回ることがないため、ＴＥＧチップ１０−インターポーザ基板３０間の接合を適切に引き剥がせて、引き剥がし検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】使用済みの半導体ウエハを、より少ない損失量で使用済み半導体ウエハや基板を再生する技術を提供すること。
【解決手段】（ａ）表面に機能層を有する使用済みの半導体ウエハ１を粗削りし、機能層を除去する工程と、（ｂ）粗削りした半導体ウエハ１の表面に、ドライエッチングにより除去可能な保護層２を形成する工程と、（ｃ）保護層２を形成した半導体ウエハ１をドライエッチングし、保護層２と、ウエハ１表面のうち保護層２により被覆されずに露出する部分とを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングした半導体ウエハ１の平坦度を計測する工程と、を含み、（ｄ）工程において所望の平坦度が得られない場合、所望の平坦度が得られるまで（ｂ）から（ｄ）までの工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】簡易評価であるグルービング法の測定精度を向上させることができるグルービング加工方法を提供する。
【解決手段】基板上に発光層２を含むエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウエハ１の発光特性を検出すべく、前記エピタキシャルウエハ１の任意位置の測定部分３の周囲に堀４を形成するためのグルービング加工を施す方法において、前記堀４の断面形状を、前記エピタキシャルウエハ１の表面から基板側に向けて逆台形に形成し、前記測定部分３の断面形状を台形に形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 モニタ上に表示された画像に不具合を発見した際にその領域を明確に認識することができ、原因究明等を迅速に且つ適正に行うことである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、被加工物を撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像した画像を表示する表示手段とを備えた加工装置であって、前記撮像手段は、前記チャックテーブルに保持された被加工物の全体を撮像する全体撮像部と、被加工物の細部を撮像する細部撮像部と、前記全体撮像部で撮像した被加工物の全体画像と前記細部撮像部で撮像した細部画像を前記表示手段上に合成して表示するとともに、被加工物の全体画像に細部画像の位置を表示する画像合成部と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を全溶解することなくＣｕを簡便かつ定量的に評価する。工程汚染の把握を行う。
【解決手段】シリコン基板を６００℃以下の温度で加熱して基板に存在するＣｕ濃度を検出する方法の改良であり、その特徴ある構成は、基板はボロンを３×１０¹⁸atoms/cm³以上の濃度で含み、前記基板は４分割され、分割された基板を３００℃以上３５０℃未満の温度で１時間〜１２時間加熱し、加熱した基板の表裏面に存在するＣｕを定量分析するところにある。 （もっと読む）

【課題】 材料を評価のために無駄に消費しない新たな電子部品製造方法を提供すること
。
【解決手段】 試料に複数の加工プロセスを施して電子部品を形成する電子部品製造方法
において、加工プロセスの終了時に上記試料の一部表面を摘出し、上記一部表面に対して
上記加工プロセスでの加工の進捗をモニタまたは検査または解析のうちの少なくともいず
れかを行なう工程を含む方法とする。
【効果】 ウェーハなど試料無駄に割断することなく評価でき電子部品の製造歩留りが向
上する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の不純物をより高精度に回収することが可能な不純物の回収方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に存在する不純物を測定するための不純物の回収方法であって、半導体基板１の表面の被測定領域に、不純物を回収する回収部材２を接触させ、回収部材２を被測定領域に接触させた状態を維持しつつ半導体基板１に対して相対的に移動させて、回収部材２に半導体基板１上に存在する不純物を回収する。 （もっと読む）

【課題】検査時間を短縮できる異物判定装置および方法を提供すること。
【解決手段】本発明の異物判定装置１は、ウェハ９の検査面９１上に載置される基準板４と、基準板４に所定の圧力をかける加圧手段６とを備えている。また、加圧手段６により基準板４に所定の圧力が加えられた状態で、ウェハ９と基準板４との隙間を測定する測定手段７を備えている。さらに、異物判定装置１は、隙間が閾値より小さい場合には、そのウェハ９の検査面９１には除去が必要な異物Ｘ２は存在しないと判定し、隙間が閾値以上の場合には、そのウェハ９の検査面９１には除去が必要な異物Ｘ２が存在すると判定する判定手段８１１を備えている。従って、検査面９１に除去が必要な異物Ｘ２は存在しないと判定されたウェハ９においては、当該ウェハ９に付着する異物Ｘ１，Ｘ２の位置の測定および除去を不要にできるので、その分、検査時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ端部形状にかかわらず、測定対象ウエハの中心点を確実に測定する方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ１６を挿入するウエハホルダ３０は３つ以上の物理的接触要素２２を備える。ウエハは接触要素２２に物理的に接触する。接触要素は、ウエハ１６の中心点４０がその内側に入るような幾何学的形状を規定するように、ウエハホルダ３０に分散配置される。各接触要素２２の位置が測定され、所望のウエハ１６の幾何学的変数が接触要素２２の位置から計算される。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ高精度でＰ汚染の有無を判定することが可能な半導体基板のＰ汚染評価方法を提供する。
【解決手段】イオンインプランテーションによりＳｂイオンまたはＡｓイオンを注入した半導体基板を評価する方法であって、少なくとも、前記ＳｂイオンまたはＡｓイオンを注入した半導体基板に熱処理を施した後、該熱処理を施した半導体基板の深さ方向の不純物の拡散濃度プロファイルを求め、該拡散濃度プロファイルの変曲点に基づいてイオン注入装置からのＰ汚染の有無を判定して評価する半導体基板のＰ汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等のデバイス特性を精確に予測、制御し、特定部位の不良解析を行う、微細な半導体デバイスの半導体基板内のＰＮ接合位置を検出する方法を提供する。
【解決手段】本発明の接合位置の検出方法は、半導体基板にて、Ｐ型不純物領域と、Ｎ型不純物領域との接合位置を検出する方法であり、観察対象の断面を露出させてサンプルを作成する断面露出工程と、断面を洗浄処理する断面処理工程と、断面に遷移金属を堆積させる堆積工程と、サンプルを加熱し、断面の半導体と遷移金属との合金を形成する第１熱処理工程と、過酸化水素水を含む溶液に、サンプルを浸漬する第１浸漬工程と、第１浸漬工程後にサンプルを加熱し、合金化反応を促進する第２熱処理工程と、フッ酸を含む溶液に、サンプルを浸漬し、合金をエッチングする第の浸漬工程と、Ｐ型不純物領域とＮ型不純物領域との合金のエッチング状態を観察し、接合界面を検出する検出工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、検査用接触子を所望する形状に加工することができるとともに簡単に大量の検査用接触子を製造することができる検査用接触子の製造方法を提供する。
【解決手段】検査対象物に接触して検査対象物の電気的特性を検出するための検査用接触子（１）を電解研磨により製造する検査用接触子の製造方法であって、線状に形成される線材（１１）と、電解研磨に対する耐性を有する素材により形成され、線材の所定部位の表面を被覆する被覆部（１２）とを有する検査用接触子（１）を、電解液に浸漬して電解研磨するようになっている。 （もっと読む）

【課題】モニタパッドの表面が低く形成されるため、上層の絶縁膜のＣＭＰ後の膜厚が素子形成領域とモニタ形成領域とで異なる。
【解決手段】半導体基板１上に第１の絶縁膜（３層目の絶縁膜）６を形成し、第１の絶縁膜６上に第２の絶縁膜（４層目の絶縁膜）７を形成し、第１の絶縁膜６に凹部（ダミーホール）８ｂを形成し、第２の絶縁膜７に配線用溝９を形成し、配線用溝よりもパターン幅の広いモニタ用溝１０を凹部８ｂを含む領域に形成し、半導体基板１上にメッキ法により金属膜１２を形成し、ＣＭＰ法を用いて金属膜１２を研磨して、配線用溝９内に配線１２ａを形成するとともに、モニタ用溝１０内にモニタパッド１２ｂを形成し、配線およびモニタパッドの上に第３の絶縁膜（５層目の絶縁膜）１３を形成し、ＣＭＰ法を用いて第３の絶縁膜を平坦化し、モニタパッド上の第３の絶縁膜の膜厚ｔｂを測定する。 （もっと読む）

【課題】正確な断面観察を行なうことができる観察用試料を、簡便な方法により、素早く大量に作製することが可能な観察用試料の作製方法及び観察用試料を提供する。
【解決手段】単結晶基板２上に金属膜３が成膜された試料１０の金属膜３側の表面に罫書線１０ａを形成し、試料１０を、液体窒素５０中で冷却しながら、罫書線１０ａに沿ってへき開する方法とする。 （もっと読む）

【課題】終端検出を誤り難い光学式終端検出装置およびこれを用いた研磨機を得ること。
【解決手段】被研磨部材Ｓでの研磨の進行に伴う光学定数の変移量を基に終端検出を行う光学式終端検出装置５０を備え、この光学式終端検出装置により終端検出を行いながら研磨材１と被研磨部材とを相対的に移動させて被研磨部材を研磨する研磨機６０を構成するにあたり、被研磨部材での研磨の進行に伴う光学定数の変移パターンに応じた複数種の終端検出用アルゴリズムを予め光学式終端検出装置の記憶部３１に記憶させると共に、被研磨部材での上記の変移パターンを特定する情報を基に複数種の終端検出用アルゴリズムの中から所定の終端検出用アルゴリズムを選定して終端検出を行う終端検出部４５を光学式終端検出装置に設ける。 （もっと読む）

【課題】量産時の加工品質の管理が容易な上に表面品質の経時変化を所望時に目視で確認することができるウエーハの加工結果管理方法を提供する。
【解決手段】形成された切削溝を撮像手段に位置付けて撮像するカーフチェック毎（ステップＳ１０８）に生成される切削溝データを画像情報とともにその位置情報に関連して記憶手段に累積的に記憶させておき（ステップＳ１１０）、また、ウエーハの形状と分割予定ラインの模式図をウエーハマップとして表示するとともにカーフチェックの位置情報を示すマークもウエーハマップ上に併せて表示させ（ステップＳ１１１）、該マークを利用した所望のカーフチェック箇所の指定により切削溝データとともに画像情報を表示パネル上に再生するようにした。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりもより正確にドーパント密度を測定するための方法と装置とを提供する。
【解決手段】半導体ウエハまたはサンプル１０が所望密度の電気活性ドーパントを有していることを判定する方法において、半導体ウエハ又はサンプル１０を形成する半導体材料に関連する最小及び最大キャパシタンスを、その上面１６の近傍の第１ポイントで測定し、半導体ウエハ又はサンプル１０を形成する半導体材料に関連する最小及び最大キャパシタンスを、上面１６のその上方の一部を除去することによって形成されるベベル面２４の近傍の第２ポイントで測定する。各ポイントで測定された最小及び最大キャパシタンスと、各ポイントが存在する上面１６上又は上面１６からの深さとの関数として、半導体ウエハ又はサンプル１０の電気活性ドーピング密度を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスが形成された半導体基板に対して略均一に応力を印加することができる半導体デバイス評価装置及び評価方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス評価装置において、半導体基板６２よりも厚いベースプレート５２に半導体基板６２が実装され、支持体５２によって裏面を支持されたベースプレート５２の表面に対して荷重を印加する手段６０を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】略板状のパッケージ部の一端面から突出する接続端子を備えた半導体装置の導通検査を行う検査装置において、接続端子と検査装置の接点部との電気接続を確実に図ることができると共に検査装置の取り扱いが容易となるようにする。
【解決手段】半導体装置１１の接続端子１７を研磨する研磨装置３１〜３４であって、表面３ａにパッケージ部１５の他端面１５ｂを接触させて前記半導体装置１１を載置する基台３と、該基台３の表面３ａに対向配置され、前記接続端子１７に接触した状態で前記接続端子１７に対して相対的に移動する研磨ユニット７〜１０とを備えることを特徴とする研磨装置３１〜３４を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定評価対象に制約が少なく、かつ、膜の密着性の定量的評価が可能な技術の提供。
【解決手段】（１）基板上に設けられた膜の側方から力を作用させた際における該膜の移動距離と該力の大きさとの関係をＸ−Ｙ座標にプロットした場合に唯一つのピークが存するプロフィールを持つ所定形状の膜を基板上に設ける工程と、（２）前記の膜をずらせて剥離するように側方から力を作用させる力作用工程とで構成する膜の密着性測定方法において、前記（１）の工程は、薄膜形成手段により大きめの膜を基板上に設ける第１工程と、前記膜の上にレジストを設ける第２工程と、前記レジストを、前記膜の側方から力を作用させた際における該膜の移動距離と該力の大きさとの関係をＸ−Ｙ座標にプロットした場合に唯一つのピークが存するプロフィールを持つ所定形状に加工する第３工程と、前記形状のレジストをマスクとして、前記膜を所定形状に加工する第４工程とを含む。 （もっと読む）