【課題】半導体ウェーハの衝撃耐性の評価装置において、正確で一度のみの衝撃を確実に付与して、半導体ウェーハの衝撃耐性を正確に評価することができる評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェーハに衝撃を付与して衝撃耐性を評価する半導体ウェーハの評価装置であって、半導体ウェーハに衝撃を付与する衝撃付与治具と、衝撃付与治具に水平旋回して衝突する旋回手段と、旋回手段に水平方向に打撃を与える打撃供与手段とからなり、打撃供与手段が水平方向に打撃を与えることにより旋回手段を水平旋回させて、水平旋回する旋回手段が衝撃付与治具に衝突することにより衝撃付与治具が半導体ウェーハに衝撃を付与して衝撃耐性を評価するものである半導体ウェーハの評価装置。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な例示的実施形態において、システムおよび関連の方法は、基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬に関する。システムは、基板操作機構などの半導体処理ツール内に組み込むことができる。システムは、１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器を備える。機械的パルスは、基板操作機構を通して基板に結合される。複数のセンサが、変換器の遠位に配置されており、音響的または機械的に基板に結合されるよう構成される。複数の遠位センサは、さらに、機械的パルスとパルスの任意の歪みとの両方を検出するよう構成されている。信号解析器が、複数の遠位センサに接続されており、検出されたパルスおよびパルスの任意の歪みをベースライン応答と比較する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の途中でエピ膜厚を測定できる手段を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。このため、これらの高さの差、つまり段差を測定することにより、ｎ型エピ層２を測定することができる。すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定かつ高速に電子部品を渡すことができるハンドリング装置および電子部品検査システムを提供する。
【解決手段】昇降装置２３は、電子部品を吸着した吸着部２１５を搬送位置から受け渡し位置に移動させる際、搬送位置からこの搬送位置と受け渡し位置との間の切り替え位置で押圧部２３５を減速する。これにより、電子部品を渡す直前には切り替え位置よりも低速で電子部品を移動させて受け渡し位置での衝撃を軽減するので、電子部品が破損するのを防ぐことができる。また、電子部品の移動に要する時間を所定の値にできるとともに、切り替え位置までは高速で電子部品を移動させることにより移動に要する時間を短縮することができる。結果として、より安定かつ高速に電子部品を渡すことができる。 （もっと読む）

【課題】検査効率に影響を与えることなく、かつ、面だれを発生させることなく試料ウェハの切断面を研磨可能な試料ウェハの研磨方法の提供。
【解決手段】一対のダミー部材としてのダミーウェハＤの間に試料ウェハＷを積層する状態で設け、これらのダミー部材としてのダミーウェハＤで試料ウェハＷを挟持した被研磨体Ｈを研磨している。このため、複数枚の試料ウェハＷであっても強固に固定できる。また、試料ウェハＷを固定するためにワックスなどを塗布しないので、ウェハ鏡面加工面Ｗ２の付着物を除去する必要がなく、検査効率に影響を与えることがない。さらに、研磨の際に砥粒が被研磨体Ｈのダミー部材としてのダミーウェハＤ側に滞留しても、ダミー部材としてのダミーウェハＤが研磨されるだけであり、試料ウェハＷの面だれ発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】面だれを発生させることなくウェハの一面を斜めに研磨可能な試料ウェハの研磨方法の提供。
【解決手段】試料ウェハＷのウェハ鏡面加工面Ｗ２に、ダミーウェハＤを積層する状態で設けた被研磨体Ｈを作製している。そして、ウェハ鏡面加工面Ｗ２がダミーウェハＤを介して装置研磨面２３Ａと略対向し、かつ、ウェハ鏡面加工面Ｗ２と装置研磨面２３Ａとのなす角度が鋭角となるように、被研磨体Ｈを装置研磨面２３Ａおよび砥粒２４に接触させて、この接触部分のダミーウェハＤ側に砥粒２４を滞留させるように被研磨体Ｈと装置研磨面２３Ａとを相対移動させて、ウェハ鏡面加工面Ｗ２を斜めに研磨している。 （もっと読む）

【課題】研磨前のＳＲ法による先行抜き取り評価を最適化することで、非拡散層厚のバラツキを抑制する拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハと面抵抗モニタウェーハに不純物を拡散する第１の拡散工程と、不純物を更に深さ方向に拡散する第２の拡散工程と、面抵抗モニタウェーハの面抵抗を評価する工程と、この評価結果に基づき、補正値算出用ウェーハの抜き取り枚数を決定する抜き取り枚数決定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＦＴ−ＩＲ法で測定する第１の非拡散層厚測定工程と、補正値算出用ウェーハの非拡散層厚をＳＲ法により測定する第２の非拡散層厚測定工程と、これらの測定結果から両者の測定結果間の補正値を算出する工程と、ＦＴ−ＩＲ法による非拡散層厚測定と補正値を用いて研磨量をモニタしながら半導体ウェーハの非拡散層を研磨する研磨工程とを有することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 可動部の位置の変化によらず略一定の支持力可動部に対して付与し、且つ構造が簡単で、外部からエネルギーを供給する必要が無く、構成部品の劣化が発生しない自重支持装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、
軸方向に着磁され、両先端に磁極を有する柱形状からなる第一の永久磁石と、
貫通穴を有し、前記貫通穴の軸方向と平行で且つ略一様な磁場が、前記貫通穴内部の一定範囲において発生するように着磁された第二の永久磁石とからなり、
前記第一の永久磁石の一方の先端が、前記第二の永久磁石に形成された前記貫通穴に非接触で挿入され、且つ前記略一様な磁場の範囲内に位置するよう配置されており、
前記第一の永久磁石の他方の先端が、前記第二の永久磁石に形成された前記貫通穴の外部に位置するよう配置されており、
前記第一の永久磁石と前記第二の永久磁石との間に発生する磁力を、支持力として利用することとした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与える金属不純物を簡便かつ高精度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板の表裏面の一方に粗面化領域を形成すること、上記粗面化領域形成後の半導体基板を加熱処理すること、および上記粗面化領域上に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析すること、を含む半導体基板の金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ１００は、基板１上にｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して対向して配設される一対の第１の配線３及び第２の配線４と、一対の配線のうち第１の配線３に第１のビア５を介して接続され、最上層に配設される第１の接続パッド６と、一対の配線のうち第２の配線４に第２のビア７を介して接続され、最上層に配設される第２の接続パッド８と、基板１に対して垂直な方向における第１の配線３及び第２の配線４の一部に重畳し、ｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出用のレーザーをシリコン単結晶ウエーハに入射し、結晶欠陥で散乱した散乱光を検出することにより、シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出する結晶欠陥の検出方法において、シリコン単結晶ウエーハの抵抗率が０．０５Ω・ｃｍ以下のシリコン単結晶ウエーハを用いて、シリコン単結晶ウエーハの主表面に対して直角に劈開し、欠陥検出用のレーザーを劈開面に対して斜めに入射し、劈開面からの散乱光を検出して劈開面の表面層に存在する欠陥を検出することによってシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜のＧＯＩ特性を改善した半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの製造方法並びにＧＯＩの劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてウエーハを作製する工程と、該スライスしたウエーハにラッピング、エッチング、研磨のうち少なくとも１つを行う工程と、該ウエーハの表面ラフネスを測定する工程と、前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長を求め、前記ゲート酸化膜の厚さが前記測定した表面ラフネスの一番強度の強い表面ラフネス周期の波長に対して１／４以上の関係となる表面ラフネスを有するウエーハを合格と判定して選別する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性、定量分析を高感度に行うための評価方法、及び、優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハのＣｕ汚染を検出するシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法において、少なくとも、ウェーハの薄膜の表面に押当物の押当面を平行に押し当てる手段により押し当て、ウェーハの表面にＣｕを析出させる工程と、ウェーハの薄膜の表面を、アンモニア、過酸化水素水から成る洗浄液で洗浄する工程と、洗浄によりウェーハの薄膜の表面に発生したピットの数を測定する工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝シリコン単結晶においても正確にＯＳＦ検査を行う方法を提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とするシリコン単結晶から切り出したスラグもしくはウェーハを使用してＯＳＦを検査する際に、｛１００｝面がそのスラグもしくはウェーハの厚み方向に現れるように方向を選んで劈開し、選択エッチングすることにより｛１１０｝面の代わりにＯＳＦの見やすい｛１００｝面でＯＳＦを検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの裏面に被着した薄膜の不良箇所を半導体ウエハの主面側から効率よく検出する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面に被着された金属膜からなる裏面電極の不良箇所を半導体ウエハ１の主面側から判別する半導体ウエハ検査の際、半導体ウエハ１をその裏面が上に向いた状態で搭載するＸＹステージ１２と、ＸＹステージ１２の上方に設置された目合わせガイド１５と、ＸＹステージ１２の下方に設置され、その先端が前記目合わせガイド１５の真下に配置されたニードル１７と、ＸＹテーブル１１をＸＹ方向に移動させるＸＹ操作レバー１４と、ニードル１７を前記ＸＹ方向に対して垂直なＺ方向に移動させるマーキングレバー１６とを備えたウエハ検査装置３０を用い、裏面に被着された裏面電極の不良箇所に対応する前記半導体ウエハ１の主面にニードル１７の先端で傷を付ける。 （もっと読む）

【課題】ウエハ外周部のみに液体を精度良く接触させることができる回収治具と、当該回収治具を備えることによって、ウエハ外周部の汚染物を簡易に効率良く回収することができる汚染物回収装置とを提供する。
【解決手段】本発明の汚染物回収装置に設けられた回収治具３０は、回収本体３１と制御手段３２とを備えている。制御手段３２は、回収本体３１の上部に螺着することで、液体を貯留した、回収本体３１の貯留部３４を密閉することができる。これにより、貯留部３４に貯留された液体を外部に露出するための、回収本体３１の貫通部３５に、ウエハを挿入した際、ウエハの外周部端面のみ液体を接触させることができる。 （もっと読む）

【課題】正確にかつ簡便に半導体基板の表面処理工程をモニターできる方法を提供する。
【解決手段】本半導体基板の表面処理のモニター方法は、半導体基板の表面にマーカ１０を形成する工程と、マーカ１０が形成された表面を処理する工程とを備え、表面を処理する工程における表面のマーカ１０の形態の変化により表面を処理する工程をモニターする。 （もっと読む）

【課題】デバイスと高さの異なるモニタが同一ウェハに設けられた半導体装置において、デバイスに成膜された半導体膜を研磨する際に、膜厚のばらつきを抑えること。
【解決手段】シリコン基板であるウェハ１内に、デバイス形成領域２とＰＣＭ形成領域３とが設けられたチップ１１を形成し、デバイス形成領域２にエピタキシャル層を形成する際に、ＰＣＭ形成領域３にはエピタキシャル層を形成しない。ついで、エピタキシャル層を所定の厚さにするために、ウェハ１と研磨パッド６とを加圧して研磨する。ついで、デバイス形成領域２に形成されたエピタキシャル層と、ＰＣＭ形成領域３におけるシリコン基板とに、同条件で、同時期に、イオンを注入する。 （もっと読む）

【課題】観察者が論理情報提供者と常に連携することなく優れた作業効率をもって電子デバイスにおける不良箇所を特定するに際して、解析対象物に関する各種情報を認識したり解析対象物上の平坦性を確認したりするための指標体を設けてもその配置位置の制限が緩和され、しかも面積を増加させることなく、更には解析対象物の表面出し作業に際して平坦性を容易且つ確実に確認する。
【解決手段】指標体１０は、その直上に存する配線部２４下に位置整合するように（平坦視では配線部２４に内包されるように）、層間絶縁膜２１内で当該層間絶縁膜２１に非貫通で形成された窪み内に導電材料が充填されて形成されている。指標体１０は、その上部の配線部２４とは接続されているが、下部の配線部２４とは非接続とされている。指標体１０の直下の層間絶縁膜２２に設けられた配線部２４が解析対象物となる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、研磨または研削された絶縁膜の表面に発生したスクラッチや異物に対してほぼ同じ光束で落射照明と斜方照明とを行い、該落射照明時と斜方照明時との間において浅いスクラッチと異物とから発生する散乱光強度の変化を検出することによって浅いスクラッチと異物とを弁別し、さらに、前記落射照明時における散乱光の指向性を検出することによって線状スクラッチと異物とを弁別することを特徴とする表面検査方法およびその装置である。 （もっと読む）