【課題】半導体基板内又は基板上に形成された構造内の埋込ボイドを検出するための方法を提供する。
【解決手段】構造を形成するための少なくとも１つの処理ステップを実施する工程と、基板の質量Ｍ_１を測定する工程と、熱処理を実施する工程と、基板の質量Ｍ_２を測定する工程と、前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ３次元集積化構造中の不良を超音波スキャンによって検出することであって、シリコンウエハなどのボードに配列されているシリコン貫通配線（ＴＳＶ）においてプロセス中に発生してしまう可能性のあるボイドの存在を非破壊的に検出すること。
【解決手段】 ボード面にわたって超音波スキャンをすると、（はんだ）バンプ等が物理的な遮蔽物として超音波を散乱させてしまい、超音波スキャンによる測定を妨げてしまう。そこで、これら複数のＴＳＶの中から、テスト要素グループ（ＴＥＧ）に属する単数または複数のＴＳＶを選び出すにあたって、物理的な遮蔽物を少なく存在するように選び出す。 （もっと読む）

【課題】ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。
【解決手段】制御された量の熱が光ビームを用いてスタックダイ中に注入され、伝搬された熱は、ダイの反対側からＬＩＴカメラで測定される。得られた熱画像は、既知のスタックレイヤからの位相シフトを較正するのに用いられるよう、またはスタックダイ中の欠陥を特定するのに用いられるよう、その特性が得られる。本プロセスは、将来のテストのためのレファレンスを生成するために、スタックの中のそれぞれのダイについて繰り返され得る。 （もっと読む）

【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー１と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う２波長赤外放射温度計２と、２波長赤外放射温度計２による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部４と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】完成品となる前に気密の状態が確認でき、電子部品の生産性を向上させる手段の提供。
【解決手段】金属材料が埋められたテーパのついた貫通穴を有するウェハの気密漏れを検査するウェハの気密漏れ検査装置であって、前記ウェハの一方の主面の外周縁と密着して圧力作用空間を形成する圧力作用側アダプター１１０と、この圧力作用側アダプター１１０の前記圧力作用空間内の圧力を測定する圧力計測手段１２０と、前記ウェハの他方の主面の外周縁と密着して流量測定用空間を形成する流量測定側アダプター１３０と、この流量測定側アダプター１３０内を流れる流体の流量を測定する流量計測手段１４０と、を備えて構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの一面に存在する突起状欠陥とへこみ状欠陥とを区別して検出し、へこみのサイズを正確に測定することが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１１の一面１１ａが平坦であれば、２つの偏光ビームＢ１，Ｂ２の間に位相差は生じない。しかし、シリコンウェーハ１１の一面１１ａにへこみ１２が存在すると、このへこみ１２に入射した偏光ビームＢ１は、偏光ビームＢ２に対してプラスの位相差が生じる。一方、シリコンウェーハ１１の一面１１ａに突起１３が存在すると、この突起１３に入射した偏光ビームＢ１は、偏光ビームＢ２に対してマイナスの位相差が生じる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハにおいてボイドの発生原因となるウェーハの表面欠陥を的確に検出することにより、良品歩留まりの向上および製造コストの低減を可能ならしめた貼り合わせ用ウェーハの欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ前のウェーハ表面を、面検器により、差分干渉コントラスト（ＤＩＣ）を利用して、スクラッチ、微小な突起もしくは凹みの有無を検出し、これらＤＩＣ欠陥の検出結果を総合してボイド発生の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】ピンホール検査の検査精度を維持するために行う画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハにおいて、表面にハードレーザーマークを施すことで、効率的に校正を行うことができる校正用サンプルウエーハを提供する。
【解決手段】シリコンウエーハのピンホール欠陥を画像処理により検査する画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハであって、校正用サンプルウエーハの表面にハードレーザーマークが施されたものであることを特徴とする画像検査装置の校正用サンプルウエーハである。 （もっと読む）

【課題】 撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。
【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現する。また、ウエーハの比抵抗の値を取得する手段を設けることにより、取得した比抵抗の値に応じた照明手段の照度に設定することにより欠陥の撮像に適切な照明を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの裏面に被着した薄膜の不良箇所を半導体ウエハの主面側から効率よく検出する技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面に被着された金属膜からなる裏面電極の不良箇所を半導体ウエハ１の主面側から判別する半導体ウエハ検査の際、半導体ウエハ１をその裏面が上に向いた状態で搭載するＸＹステージ１２と、ＸＹステージ１２の上方に設置された目合わせガイド１５と、ＸＹステージ１２の下方に設置され、その先端が前記目合わせガイド１５の真下に配置されたニードル１７と、ＸＹテーブル１１をＸＹ方向に移動させるＸＹ操作レバー１４と、ニードル１７を前記ＸＹ方向に対して垂直なＺ方向に移動させるマーキングレバー１６とを備えたウエハ検査装置３０を用い、裏面に被着された裏面電極の不良箇所に対応する前記半導体ウエハ１の主面にニードル１７の先端で傷を付ける。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の均一化を達成できる半導体基板を提供する。
【解決手段】この半導体基板１では、直径２インチの半導体基板１一枚あたり１個以上２０個以下のピンホール３が形成されている。これにより、半導体膜形成後の半導体基板１の反り値が減少し、露光後の寸法ばらつきが減少する効果を得ることができる。これはピンホール３の存在によって、半導体基板１表面の転位が解消されるためであると推定される。したがって、半導体膜の膜質の均一化、半導体デバイスの性能の均一化、半導体基板１の割れ防止を図ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、半導体基板の欠陥を検出するための方法であって、半導体基板を提供し、基板の検査画像Iを作成し、画像処理により画像Iから画像Kを作成し、画像Kを二値化することで画像Bを作成し、画像Bを使って画像Iを調べる工程を有し、画像Kを作成する工程は、画像Iにハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一のウエイト画像W1とを乗算することを含む、検出方法に関する。本発明は、またこの方法を応用するのに適した装置にも関する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面検査のスループットによる犠牲が生じることなく、ウエハ表面の超微細なクラック，チップ，キズ等の欠陥部の検出精度やゴミ等の異物の位置座標の検出精度を向上させることができると同時に、ウエハエッジの座標の検出精度を向上させることができるウエハ表面検査方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】回転するウエハ１３の表面にレーザー光１４ａを照射し、散乱光を受光して、ウエハ１３の表面の欠陥部，異物を検出するようにしている。しかも、前記ウエハのエッジの近傍で、レーザー光のビーム径を小さくし、レーザー光の送り速度を緩め、正確なエッジ位置（エッジ１３ａの位置）を検出するようにしている。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエーハの表面及び内部の欠陥を透過光により検査する際に撮像手段としてエリアセンサカメラを用いると、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、均一な撮像条件でかつ高速に撮像することができない。また、電気抵抗率が低いシリコンウエーハでは、赤外光照明の光がほとんど透過せず透過検査が困難である。
【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現し、照明手段をウエーハの電気抵抗率に対応して照度を変更可能に構成することにより、低抵抗ウエーハに対しても透過検査を可能にしている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板にダメージを与えずに、ゲート下の不純物分布の正確な評価を安定して行うことのできる半導体装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の評価方法は、半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介して位置するシリコンを含有する材料からなるゲート電極と、前記半導体基板に、前記ゲート電極を挟んで形成されたソース・ドレイン電極とを有する半導体装置に、熱分解によって生成された熱分解水素を接触させることによって、前記ゲート絶縁膜を除去することなく、前記シリコンを含有する材料からなるゲート電極を除去する。前記半導体基板上に残るゲート絶縁膜の形状を観察することによって、ゲート加工形状を評価する。半導体基板上に残るゲート絶縁膜をウェット処理により除去し、ゲート下の不純物分布を測定、評価する。 （もっと読む）

【課題】溝型素子分離領域に生じたボイドを高感度に検出することができるボイド検出装置、その製造方法及び評価方法を提供する。
【解決手段】ボイド検出装置１は、複数の活性化領域１１と、複数の溝型素子分離領域２５とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域２５の表面に接続される複数の電極４１と、電極４１の各々に接続される複数の配線１２ａ及び１２ｂを備える。ボイド２７の内部に埋め込まれた導電体が電極４１に電気的に接続されるため、一対の電極４１間のリーク電流を測定することによって、高感度にボイドの存在を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いずに銀を用いた反射電極の微小な欠陥の観察を簡易な光学顕微鏡等により実現するための手段を提供することにある。
【解決手段】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられており、該正極が少なくともコンタクトメタル層と、少なくともＡｇを成分として含む金属乃至合金からなっている反射層と、コンタクトメタル層および反射層の上面および側面全面を覆う様に設けられたＡｇを成分として含まない保護金属層を備える半導体発光素子の製造方法である。この方法において、発光素子を保護金属層に対しては侵食せず、Ａｇに対しては侵食作用を有する工程に曝し、発光素子の欠陥を検出する工程を設けたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に発生するマイクロパイプ等な貫通孔を簡便な手段で、非破壊且つ正確に検査することを可能にし、高品質のＧａＮ系ＨＥＭＴなどの製造に寄与しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板２１の略中央を含んで基板径の半分の径をもつ周で囲まれた真空吸引領域２３を裏面側から真空吸引し、次いで、ＳｉＣ基板２１の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料にメッキ層を形成した後直ちにその欠陥を検出することができる検出方法を提供する。
【解決手段】溝部を設けたＳｉＯ_２層（６２）上に銅メッキ層（６０）が形成された試料の欠陥を検出する欠陥検出方法である。この方法は、電子銃から放出された電子線（６３）を細く絞り、試料のＳｉＯ_２層を通過させ、ＳｉＯ_２層の溝部の底部の銅メッキ層に電子線を入射させて走査する。これら走査点から放出された二次電子（６４，６８）を検出して試料の欠陥を検出する。 （もっと読む）