説明

Fターム[4M106DA14]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 不良素子識別装置 (308) | マップ (169)

Fターム[4M106DA14]の下位に属するFターム

Fターム[4M106DA14]に分類される特許

1 - 8 / 8


【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置13において、外観検査装置3などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール10〜12を構成することにより上記の課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】DUT内の様々な能動デバイスの応答についてのさらなる情報を非侵入的に得る。
【解決手段】DUT260をレーザプロービングするための装置及び方法が開示されている。システムは、DUTにおけるデバイスのレーザ電圧による画像化状態マッピングを可能にする。DUTが、能動デバイスに変調させるテスト信号240を受信している間に、DUTの選択領域が照射される。DUTから反射された光は収集され、電気信号に変換される。位相情報が電気信号から抽出され、その位相情報から前記選択領域と空間的に対応する2次元画像が生成される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の不良解析において、プロービング対象へのアクセスとレイアウトデータ上の座標との関連付けを容易にして、解析のTATを短縮すると共に、オペレータへの負担を軽減することができる技術を提供する。
【解決手段】リアルタイムのSEM画像でのプロービング位置の確認については、SEM画像側の座標系とレイアウト画像側の座標系を対応させる座標系ロックを実施後、レイアウト座標系側でプロービング位置を指定した情報を、SEM画像側に表示し、それをマークとしてプロービング操作を実行するように解析システムを構成する。 (もっと読む)


【課題】ランク分けにて装置を大型化することなく、生産管理が容易で、かつ組み立て不良の発生を防止することができる半導体装置の製造方法及びシステム、並びにこれによって製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】ウエハのダイシング後、マウントテープにクリップリングを装着し、個片化された各半導体チップが互いに離間するようにマウントテープを拡張させた状態で、マップデータに基づいてマウントテープ上の半導体チップのうちAランクの半導体チップをダイボンディングする。Aランク品のダイボンティングが終了した複数のマウントリングを、クリップリングを装着したままキャリアマガジンに収容する。そして、Bランク品の組み立て要求に応じて、キャリアマガジンからマウントリングを取り出し、マップデータに基づいて、マウントテープ上の半導体チップのうちBランクの半導体チップをダイボンディングする。 (もっと読む)


半導体ウエハ等の品物の1つ以上の特徴を特性決定するために使用される、縁部特徴測定システムおよび方法。特性決定される特徴は、ウエハの縁部に隣接したレジスト層外側境界、および、要望に応じて、ウエハ縁部に隣接した他のウエハの特徴を含む。ある実施形態において、例えば、半導体ウエハの周縁部の周りでレジストが除去された場合、ウエハの縁部からレジスト層縁部までの相対距離を、画像化システムを介して検出することができる。他の実施形態において、ウエハの中心(または1つ以上のレジスト層の中心)が検出され、また望ましい場合は、ウエハ中心と1つ以上のレジスト層の中心との間の相対オフセットが検出される。 (もっと読む)


【課題】電源線と接地線が短絡しているような不良素子による他素子への影響がないように、事前に前記不良素子電極に絶縁被膜を形成する工程において、絶縁被膜形成品質の向上と絶縁被膜形成工程の生産性を向上する。
【解決手段】本発明は、半導体素子の電極5に絶縁被膜を形成するとき、紫外線樹脂9を塗布するノズルに45°の傾斜を設けることにより、紫外線樹脂9を電極5の特定の領域に集中的に滴下でき、またノズル7に回転機構を備えることにより、電極5が半導体素子上のどの位置にあっても同じ条件の方向に紫外線樹脂9の滴下方向を決めることができ、ノズル7と合わせて、滴下条件を決定しやすくなり、絶縁被膜形成の品質を向上できる。 (もっと読む)


集積回路において機能要素の構成を可能にするためのシステムおよび方法が開示される。本発明のシステムおよび方法が、製造欠陥、柔軟性特性、性能要求、およびシステムの健全性(例えば、適切に動作する要素の数)を含む種々の要因に基づいて、集積回路ダイの機能要素の動作特性を柔軟に変更し得る。様々なレベルの構成抽象化および要素組織化(例えば、トポロジーインバージョン解析)で、機能要素動作挙動がテストおよび解析される。テストおよび解析は、多数の機能要素で並列に実行され得る。様々なレベルの粒度および実時間で、グラフィカルユーザインタフェース(GUI)に機能要素構成関連の情報が提示される。グラフィカルユーザインタフェースは、フェイルパターンの認識、生産テストの調整、およびフィールド構成アルゴリズムの調節においてユーザの相互作用を容易にし得る。また、テストおよび解析情報は、種々の使いやすいデータベース形式で組織化され得る。
(もっと読む)


ウェハ検査のための方法及び装置。この装置は、少なくとも部分的に導電性の第1層と、該第1層の上に形成された第2の誘電体層とを有するサンプルであって、第2層に接触開口を形成した後のものであるサンプルをテストすることができる。この装置は、(i)荷電粒子の高電流ビームを指向して、サンプルのエリアにわたり分布した複数の場所における非常に多数の接触開口に同時に照射させるよう適応された電子ビーム源と、(ii)複数の場所における非常に多数の接触開口の照射に応答して第1層に流れる試料電流を測定するよう適応される電流測定装置と、(iii)測定に応答して少なくとも欠陥ホールの指示を与えるように適応されたコントローラと、を備えている。 (もっと読む)


1 - 8 / 8