【課題】半導体デバイスの異常の原因が複数の製造装置にある場合でも、異常の原因となった製造装置を効果的に推定できる不良解析方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る不良解析方法は、複数の半導体ウェハとこれらの半導体ウェハを処理した複数の製造装置とを関連付けて記憶し、複数の半導体ウェハの検査結果を複数のウェハマップとして記憶し、複数のウェハマップを複数のグループに分類し、複数のグループの少なくとも２以上のグループからウェハマップを抽出し、該抽出したウェハマップを合成して合成ウェハマップを生成し、合成ウェハマップと、合成ウェハマップの元となったウェハマップを抽出したグループ以外のグループに属するウェハマップとを比較し、比較したウェハマップに対応する半導体ウェハを処理した製造装置を抽出し、半導体ウェハの不良原因となった製造装置を推定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップにおいて良品チップの位置決め認識のエラーを抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０をＸＹテーブルに載置する工程と、格子状に並んだ複数の半導体チップ１７０それぞれの座標を登録する工程と、複数の半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部を格子状の並びの中心に最も近い良品チップであるスタートチップ１００に対向させる工程と、ピックアップ部により、スタートチップ１００から順に良品チップをピックアップして移動させる工程と、を備え、良品チップをピックアップする工程において、スタートチップ１００から渦を描くように内側から順に良品チップをピックアップする。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中の汚染管理のためのＰＣＤ、ＳＰＶ等による金属不純物汚染の評価における、モニターウエーハ外周部の測定結果の信頼性向上を実現することができる金属汚染評価用シリコンウエーハを提供する。
【解決手段】金属汚染を評価するための金属汚染評価用シリコンウエーハであって、該金属汚染評価用シリコンウエーハは、酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、抵抗率が１Ωｃｍ以上であるＣＺシリコンウエーハであり、該ＣＺシリコンウエーハは、成長インゴットの直径に対して、縮径して外周部が除去されたものであることを特徴とする金属汚染評価用シリコンウエーハ。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造プロセスにおいて，パターン微細化に伴い，致命となる欠陥サイズも微小化しており，微細な欠陥を検出するために欠陥検査装置の感度を上げると，本来は欠陥ではない製造公差などを検出してしまい，欠陥の発生傾向を捕らえることが困難となる。
【解決手段】
被検査対象を検査する方法において，被検査対象の指定箇所について画像撮像手段を用いて撮像し，撮像した画像から欠陥を検出し，撮像した画像から回路パターンを認識し，検出した欠陥から画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，認識した回路パターンから画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，検出した欠陥と認識した回路パターンの中から特定の欠陥又は回路パターンをフィルタリングして抽出し、フィルタリングして抽出された特定の欠陥又は回路パターンの特徴量の中からマッピングする特徴量を決定し、決定した特徴量の分布状況を画面上にマップ形式で表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】検査コストや解析コスト、製品コストを低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ウエハ検査工程（Ｓ１００３）で、半導体ウエハ上のロジック回路を対象とした電気的検査（ロジック部テスト）（Ｓ１００３ａ）と、メモリ回路を対象とした電気的検査（メモリ部テスト）（Ｓ１００３ｂ）を行い、それぞれの検査結果から得られた故障箇所を複合マップ２４上に重ねて表示する。この複合マップ２４を用いると、例えば、ロジック故障２２とメモリ故障２３が併存して分布する領域を判別でき、この領域に対してメモリ故障２３に対する詳細解析を優先的に行うことで、特にロジック故障２２とメモリ故障２３の故障原因が共通であった場合に効率的な詳細解析を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域を任意の点である領域の分割中心点から放射線状に２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割中心点から最大距離にあるデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域をデータ点の分布領域を横切る分割用直線によって２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割領域内のデータ点のうち分割用直線が延びる２方向でそれぞれ最も外側に位置するデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの分類等に関し各種の不良領域の高精度な分類等を可能とする。
【解決手段】本方法及びシステムでは、フェイルビット解析結果やクリティカルエリア等の情報を用いて、ウェハ領域を、異物不良領域（Ｅ１）、同心円状不良領域（Ｅ２）、及びクラスタ不良領域（Ｅ３）に分類する処理を行う。そして、各領域の不良率（工程ごと、フェイルビットモードごと等）を求め、その結果情報を出力する。分類処理は、ウェハ領域分割（S501）、チップ単位の不良数の算出（S502）、ヒストグラム作成（S503）、領域合成・異常値チップ除外（S504）、第１の分類（Ｅ１，Ｅ２）（S505）、第２の分類（Ｅ３）（S506）、分類確定（S507）等から成る。 （もっと読む）

【課題】生産速度と作業効率に優れ、且つ精度の高い主導チップによるチップ選別方法を提供する。
【解決手段】ＣＣＤシステムにより、チップが十分に分布されているウェハマップを取得し、ウェハマップを複数の分割領域に区画する（ステップ２０）と共に、該ウェハマップ内の全部のチップ同士の間の相対位置を間断なく記録する。記録した相対位置をチップの選別におけるチップの位置ずれの補正参考基準として補正を行い、それから、全部の分割領域内の中央位置にある１つのチップを先頭主導チップとして設定する（ステップ２２）。そして、その先頭主導チップを始め、チップ総数量が最も少ない同等級のチップの選出を開始し、同等級のチップを全部選出してから、チップ総数量が次に少ない同等級のチップの選出を開始する（ステップ２５）。以上のようなステップを全部のチップが選出されるまでに繰り返して、チップの選別を完了させる。 （もっと読む）

【課題】粒径の大きなインクを用いる場合であっても安定した印字品質が得られる、液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】正又は負の電荷を有するインク組成物を含むインクを吐出する液滴吐出ヘッドと、前記インクを前記液滴吐出ヘッドに供給するインクパック１５０，１５１と、インクパック１５０，１５１の少なくとも一方の面に配置され、インクパック１５０，１５１内に磁界を発生させる磁界発生手段１６２と、を備える液滴吐出装置である。 （もっと読む）

【課題】ミストに起因するキャリッジの動作不良を防止できる、液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】紫外線硬化型の液滴を基板に吐出する液滴吐出ヘッド６０と、液滴が吐出された基板に紫外線を照射するランプ部を含むランプユニットと、液滴吐出ヘッド６０を保持するキャリッジ６９をガイドするガイド部６６を有するヘッド移動機構と、を備えた液滴吐出装置である。ランプユニットの基板入口又は基板出口からの紫外線の漏れ光をガイド部６６に反射する領域に紫外線の反射を防止する反射防止膜１５０が設けられる （もっと読む）

【課題】ミストに起因するインクの基板に対する密着性の低下を防止できる、液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】紫外線硬化型の液滴を基板に吐出する液滴吐出ヘッド６０と、液滴が吐出された基板に紫外線を照射するランプ部を含むランプユニットと、基板上に吐出された液滴を加熱する加熱部９６と、を備えた液滴吐出装置である。ランプユニットの基板入口又は基板出口からの紫外線の漏れ光を加熱部に反射する領域に紫外線の反射を防止する反射防止膜１５０が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上のどの位置にフェイルが密集しているのかを容易に判別し、フェイルの解析にかかる時間を短縮することが可能なフェイルビットマップ表示装置を実現することにある。
【解決手段】複数の被試験対象デバイスのそれぞれの試験結果である複数のフェイルビットマップデータをフェイルビットマップの該当座標に圧縮して表示部に表示するフェイルビットマップ表示装置において、該当座標にあるフェイルの数に応じて該当座標の表示形態を決定する表示決定手段と、表示決定手段で決定された該当座標の表示形態を表示部に表示させる表示制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】
観察座標を算出するのに不適当な，観察装置で検出するのが困難な欠陥(例えば，膜下欠陥など)が多発する品種・工程のウェーハにおいて，安定かつ高スループットに検査装置と観察装置の座標系のずれを補正する。
【解決手段】
観察装置を，座標変換情報を記憶する記憶手段と、検査装置で検出した複数の欠陥の座標情報を記憶手段に記憶しておいた座標変換情報を用いてそれぞれの欠陥に対応する観察装置上の座標情報に変換する座標情報変換手段と、座標情報変換手段で変換した観察装置上の座標情報に基づいてそれぞれの欠陥を撮像する撮像手段と、撮像手段で取得した画像から抽出した欠陥の座標情報と座標変換手段で変換したそれぞれの欠陥の座標情報とから記憶手段に記憶しておいた座標変換情報を修正する座標情報修正手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置１３において、外観検査装置３などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール１０〜１２を構成することにより上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ工程を正確に検証することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ピックアップ済みの半導体ウェハＷＦに対し、ラインカメラＬＣＭを用いた各列毎の撮像が行われ、この撮像データ群３１から得られるマップデータと、プローブ検査によって得られたウェハマップデータＷＭＤとが自動照合手段３２で照合される。この撮像データ群３１からマップデータを得る際には、ダイシング時のブレードによってダイシングシートＤＳ上に形成されたダイシング溝１０が検出され、このダイシング溝１０の区画と基準チップＣＰ＿Ｒとの位置関係に応じてチップ座標が認識され、各チップ座標におけるチップＣＰの有無に基づいてマップデータが生成される。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増加させずに、チップ位置情報等の識別情報を記録した集積回路装置を提供すること。
【解決手段】集積回路を有する集積回路基板と、前記集積回路に接続された導電性パッドと、前記導電性パッドを露出する開口部を持つ絶縁膜を備えた外部電極構造体とを有し、前記外部電極構造体が、前記集積回路基板の識別情報に対応する形状を有すること。 （もっと読む）

【課題】初心者であっても、試行錯誤することなく、様々な評価対象パターンに対して、最適な評価指標を容易に選択可能な表面観察装置を実現する技術の提供。
【解決手段】画像処理部から評価画像入力部に複数の評価画像が入力される（ステップ９０１）。入力された評価画像はディスプレイ１１５に表示され、ユーザはディスプレイを参照しながらユーザの評価基準で画像を並べ替えて評価基準を定義する（ステップ９０２）。入力された評価画像に対して複数の評価指標で評価値を算出する（ステップ９０３）。各評価指標における評価値と、ユーザが定義した評価基準とを比較して、相関係数を算出して（ステップ９０４）、ユーザが定義した評価基準に対して、相関係数の絶対値が最大の評価指標を、最も近い評価基準として自動選択する（ステップ９０５）。相関係数順に、画像が並びけられ、ディスプレイに評価値順に一覧表示される（ステップ９０６）。 （もっと読む）

【課題】レーザー散乱法を用いた検査装置におけるＳ／Ｎ比の差異に依存することなく、より均一で正確な半導体ウェーハの良品・不良品の判定を行うことができる判定方法を検査装置を提供する。
【解決手段】ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハのヘイズマップに基づいて目視により良品のウェーハを判定する。また、ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハの選別した半導体ウェーハの中から、ウェーハ面内におけるヘイズ信号の面内標準偏差値及び面内平均値が特定の関係を示す半導体ウェーハを選別し、これを良品のウェーハとして判定する。 （もっと読む）