【課題】良品の半導体チップにマーキングを行うことなく、不良の半導体チップのみにマーキングを行う方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ４０の各チップ領域４２に半導体素子をそれぞれ形成し、半導体素子それぞれについて、半導体ウェハ４０のウェハ検査を行う（図２（ａ））。ウェハ検査の後、不良であることを示すマーク３０を、半導体ウェハ４０の一面４１のうちウェハ検査によって不良と判定された半導体素子が形成されたチップ領域４２にマーキングする（図２（ｂ））。これにより、不良のもののみにマーク３０することができ、良品のものには何もマーキングしないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を分類するための分類基準を階層的に設定できる特性分析解析方法を提供すること。
【解決手段】各基板の特性分布がもつ特徴を表す特徴分布の集合からなる第１層特徴分布群を作成する（Ｓ１０１）。各基板がもつ特性分布と各特徴分布との間の類似度を定量的に評価する（Ｓ１０２）。その類似度に基づいて、第１層特徴分布群に含まれた幾つかの特徴分布が同一の基板上に同時に出現する関連性を定量的に評価する（Ｓ１０３）。その関連性に基づいて、第１層特徴分布群のうちの幾つかの特徴分布を、それぞれの特徴分布の基板上での位置を維持しながら統合して、想定された基板上での新たな特徴分布を作成する（Ｓ１０４）。その新たな特徴分布と、第１層特徴分布群から統合の対象となった特徴分布を取り除いた残りの特徴分布群との集合を第２層特徴分布群とする（Ｓ１０５）。 （もっと読む）

【課題】間引き測定の影響を受けることなく、微視的な欠陥分布形状に特徴のある線状パターンを抽出して検知することができる線状パターンの検知方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの欠陥検査の結果に基づいて作成された欠陥検査マップを取得し、前記欠陥検査マップを複数のセグメントに分割し、分割された前記各セグメントについて、前記セグメントに含まれる欠陥群を点列とみなして相関係数を算出し、算出した前記相関係数が第１の閾値以上であれば、そのセグメントに線状欠陥が有ると判定し、前記線状欠陥が有ると判定されたセグメントの数の合計数が第２の閾値以上であれば、前記ウエーハに第１の種別の線状パターンが有ると判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に好適なデータ解析のための方法および装置を提供する。
【解決手段】ウエハ上に製造された複数のコンポーネントに対する試験データのようなデータ内の統計的外れ値（大きなデータ母集団のサブセット内の外れ値を表す混成外れ値を含む）を識別するための方法と装置を、半導体をテストするための自動テスト設備（ＡＴＥ）のようなテスタを有するテストシステムおよびこれと協働し得るコンピュータ支援システムにより、外れ値をデータの分布に従って識別および分類することで実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マーキング手段が一体的に備えられたプローバ装置において、高速処理が可能な半導体ウェハのマーキング方法及びプローバ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プローバ装置１００に一体的に備えられたマーキング手段７１による半導体ウェハ１０のマーキング方法であって、
前記プローバ装置１００に設けられ、テスタ５５に接続されたプローブカード５１を用いて、前記半導体ウェハ１０上の半導体チップ１５の良否判定試験を行い、該良否判定試験の結果に基づいて、マーキングすべき所定チップ１６、１７、１８の位置情報を取得する所定チップ位置情報取得ステップと、
前記所定チップの位置情報に基づいて、前記半導体ウェハ１０の印刷パターンを作成する印刷パターン作成ステップと、
前記印刷パターンを、前記マーキング手段７１により前記半導体ウェハに印刷する印刷ステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】かかる半導体ウェハの位置合わせが不要であり、かつ複数チップの同時マーキングを行うことができ、高速処理が可能な半導体チップのマーキング方法、マーキング装置及びマーキングシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１０上に複数形成された半導体チップの所定チップにマーキングを行う半導体チップのマーキング方法であって、前記半導体ウェハ１０の画像パターンをスキャナヘッド５０で読み取り、これと前記所定チップの位置情報を合成し、前記所定チップをマーキングする前記半導体ウェハ１０の印刷パターンを作成する印刷パターン情報作成ステップと、前記半導体ウェハ１０に、前記印刷パターンを印字ヘッド７０を用いて印刷する印刷ステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
欠陥候補から擬似欠陥を効率良く探し、できるだけ少ないレビュー回数で擬似欠陥を削除できるしきい値を求める。
【解決手段】
欠陥候補をレビューし欠陥か擬似欠陥かを選択し、その擬似欠陥の特徴量以下の欠陥候補をマップ上から削除または別記号表示することにより、擬似欠陥を視覚的に判断することが可能となる。また選択した擬似欠陥以下特徴量を持つ欠陥候補は、マップ上から削除または別記号表示となっているため、しきい値設定に不必要な欠陥候補をレビューすることがなくなり、従来に比べ大幅にレビューする欠陥候補数が低減できる。さらに上記作業を繰り返すことにより、しきい値が自動で算出され、そのしきい値での検査結果マップも表示されるため、再検査が必要なくなる。 （もっと読む）

【課題】電気特性測定時とピッキング時のチップ座標の対応を正確に取り、簡便にランク分けをして半導体装置の品質を向上させる半導体装置の製造装置および方法を提供する。
【解決手段】プローブ基準チップとピッキング基準チップを設け、プローブ基準座標とプローブ基準チップの電気特性と、ピッキング基準座標と、ピッキング基準チップのパターンと、複数のチップの電気特性とチップの座標を対応付けて記憶するメモリと、プローブ基準チップの電気特性と一致するチップを特定する第１チップ特定部と、特定された第１座標とプローブ基準座標とが異なる場合、第１座標をプローブ基準座標に座標変換し、第１座標以外の座標を座標変換に基づいて座標変換する座標補正部と、ピッキング基準チップのパターンと一致するチップを特定する第２チップ特定部と、特定したチップの座標をピッキング基準座標とするピッキング基準設定部と、を有する半導体装置の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析の高精度化を図る。
【解決手段】半導体装置に形成される複数のＲＡＭについて、設計データとフェイルデータを用いて、不良ビット箇所を示す不良ビット箇所データを生成し、生成された不良ビット箇所データを、それに対応する不良ビットのモードや不良ビットが存在するＲＡＭの配置状態で分類し、あるいは生成された不良ビット箇所データを用いて各ＲＡＭの不良ビットの発生頻度をＲＡＭの規模で正規化する。また、不良ビット箇所データを用いてＦＢＭを表示するほか、分類や正規化の処理で得られたデータを所定の形態でグラフ化して表示する。これにより、ＲＡＭの不良解析をより精度良く行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】データ形式が異なるウェーハマップ間の類似性判定を自動的に行い、不良原因の特定を行う。
【解決手段】ウェーハに複数の領域区分を設定し、ウェーハ処理工程における各処理工程後の異物検査で作成される異物検査マップから前記領域区分の各々における異物密度を算出し、プロットして異物検査マップ波形特徴量を算出する異物検査マップ波形特徴量算出部１２と、ダイソートテストで作成されるダイソートマップから前記領域区分の各々における不良密度を算出し、プロットしてダイソートマップ波形特徴量を算出するダイソートマップ波形特徴量算出部１４と、前記異物検査マップ波形特徴量と前記ダイソートマップ波形特徴量との相関係数を算出する波形特徴量比較部１５と、前記相関係数が所定の閾値以上の異物検査マップ波形特徴量を検出する類似マップ検索部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させることなく、不再現性不良による不良品の市場流出を防止でき、さらには不再現性不良の解析を可能にするテスト方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ上のアドレス、カテゴリ値等を保存するウエハマップと、テストすべきウエハが不再現性不良の可能性がある製品を記憶した特定カテゴリ対象製品であるか否かの検索手段と、該当する場合、この製品毎に特定カテゴリ値が記憶された特定カテゴリマスタファイルを検索して、特定カテゴリ値を決定する手段と、テストすべきウエハの過去のテスト結果を記憶するウエハマップを検索して、特定カテゴリ値を有するチップアドレスを抽出して記憶する手段と、チップ毎にテストを行うテスト装置と、ウエハマップのチップアドレスに対応するチップのテスト結果記憶領域とを備え、この領域には、過去のテスト結果を記憶し、ウエハマップを別途記憶することを特徴とする半導体テスト装置。 （もっと読む）

【課題】
大量のレシピデータを分類，整理する場合、比較対象レシピデータの特定及び収集，比較差分検出，差分結果を踏まえて、パラメータ値を修正まで、一連の処理を実行するレシピ比較システムを提供する。
【解決手段】
記憶装置と演算装置と入出力装置とを備え、複数の検査装置の検査条件のデータを管理するデータ処理システムであって、記憶装置は、データ比較の基準とするひとつの検査装置のマスタ検査条件データと、比較対象とする他のひとつ以上の検査装置の比較対象検査条件データとを記憶し、入出力装置は、記憶装置に記憶されたマスタ検査条件の名称と比較対象検査条件の名称とを一覧表形式で並べて表示するとともに、マスタ検査条件のひとつ、および比較対象とする検査装置の選択された比較対象検査条件とを、他の検査条件と区別して表示する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面の検査結果はいわゆるウエハ・マップ・データとして表示画面に表示可能な形で電子情報処理システムに格納され、後の処理に活用される。従って、裏面検査の結果もウエハ・マップ・データに反映する必要があるが、欠陥や不良のあった裏面の位置と対応する表面の位置を検査者が判断して当該不良情報をウエハ・マップ上に登録する必要がある。しかし、このような表裏の対応付け作業はウエハの大型化に伴い著しく困難なものになってきている。
【解決手段】本願発明はウエハ・プロセス完成時の外観検査において、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置を自動的に対応させることで、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映を確実にするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明はウエハーのマーキング方法を提案するものである。
【解決手段】少なくとも２個の参考マークを有するウエハーを提供し、前記ウエハーの表面には複数のダイスを含み、前記ウエハーの前記参考マークを同時に検査して前記ウエハーを位置決めする工程を実行し、レーザー光線で前記ウエハーにマーキングする。このほか、本発明は次品ダイスの様なウエハーのダイスのマーキングにも適用でき、従来のインクで次品ダイスにマーキングをする技術に比べて、ウエハーの汚損を抑え、作業時間を節約し、職場スペースを縮小し、また永久マーキング等の長所を具えており、更には現行のウエハー検査機又は印刷機台を利用し改造し易いという特徴をも兼ね備えている。 （もっと読む）

【課題】 製造ライン等を構成する製造装置群が過去にどのような欠陥を発生したかという情報に頼ることなく、欠陥の発生原因となっている製造装置を的確に特定することのできる装置、そのプログラム、及びその方法を提供することである。
【解決手段】 複数の前記製造装置の夫々について、前記製造装置の名称と、前記製造装置が前記半導体基板に接触する第１の領域を対応づけて記録しておく接触領域データ記録ユニットと、前記半導体基板を外観検査することによって検出された異常が存在する第２の領域が、入力される外観検査結果入力ユニットと、前記外観検査結果入力ユニットから入力された前記第２の領域を含む前記第１の領域を特定し、特定した前記第１の領域に対応する前記製造装置の名称を抽出する基板異常発生源検索ユニットを具備する基板異常発生源特定装置。 （もっと読む）

【課題】Ｘ軸方向及びＹ軸方向に複数のチップがマトリクス状に配置されたウエハのウエハテスト結果における良品チップを品質低下の危惧の程度に応じて分類する。
【解決手段】ウエハテスト（Ｓ１）の結果に基づいて、隣接する不良チップは同じグループに属するように不良チップを不良グループに分別し（Ｓ２）、不良グループに属する不良チップ数が予め設定された不良チップ数しきい値以上のときにその不良グループを集中不良分布と判定し（Ｓ３）、集中不良分布に属する全ての不良チップ及び近傍の良品チップを含む所定範囲の集中不良分布近傍領域を設定し（Ｓ４）、集中不良分布近傍領域内にある良品チップを判定対象チップとし、判定対象チップごとにＸ軸方向及びＹ軸方向での４方向についてその集中不良分布に属する不良チップが存在する方向の数を算出し、その方向数によって判定対象チップを複数のチップ指標に分類する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】誤認識なく容易にウェハ上の半導体チップの有無を検出する。
【解決手段】半導体チップ検出装置は、ウェハ上の分離された個々の半導体チップ１２を検出する。光源１０と、半導体チップ１２が貼着されたダイシングシート１４を挟んで光源１０と対向し、光源１０によって光を照射された半導体チップ１２を光の照射面と反対する面から撮像して画像データを取得するカメラ１６と、画像データを二値化処理する処理部１８と、処理部１８により二値化処理された画像データから半導体チップの有無を認識する認識部２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】強制排除チップを検索する際、製品毎に的確な判定基準（閾値）を決定できる半導体ウェハ検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウェハ検査装置は、複数のチップ（２）の中から、不良を表す複数の不良チップ（４）を排除チップとして検索し、複数の不良チップ（４）の中から、互いに隣接する隣接不良チップ群（４−１〜４−１３）を複数グループ選択する。このとき、複数グループの隣接不良チップ群（４−１〜４−１３）の個数に対して平均値、標準偏差を算出し、平均値と標準偏差とに基づいて閾値を算出する。そこで、複数グループの隣接不良チップ群（４−１〜４−１３）の中から、その個数が閾値を超える対象不良チップ群（４−５）を選択し、複数のチップ（２）の中から、対象不良チップ群（４−５）に隣接するチップを強制排除チップ（５）として選択する。 （もっと読む）

【課題】レビューＳＥＭのスループット向上により、半導体量産ラインにおいて日々収集される欠陥画像データが大量になってきており、それらの画像データの管理（削除、検索、表示等）の効率化が望まれている．
【解決手段】レビューＳＥＭにおいて、撮像した欠陥画像の分類結果、画像から算出された欠陥特徴量、画像の撮像状態などの情報から画像の重要度等を判定し、各画像に付帯情報として付加する。この付帯情報に基づいて、大量の画像データを管理する。 （もっと読む）

【課題】オペレータの負荷を軽減しつつ、不良ダイのマーキング判断を精度良く行う。
【解決手段】基板検査システムでは、ダイ２が複数配置されたウェハ１の表面を目視により概略的に検査して表面不良箇所を検査するマクロ検査部２０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果に基づき、前記ウェハ１の表面を第１の撮像装置４２により詳細に検査して表面不良箇所を検査するミクロ検査部４０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果と前記ミクロ検査部４０の表面検査結果とを所定のダイレイアウト上に記憶するシステムＰＣ５０内の記憶装置と、前記記憶装置の記憶結果と、前記ウェハ１に対する他の欠陥検査装置６２による欠陥検査結果と、前記ウェハ１に対する電気特性の不良箇所の測定結果とを解析して重ね合わせて前記不良箇所に対するマーキングデータ及び／又はインクレスデータを出力するデータ解析装置６３とを有している。 （もっと読む）