【課題】オペレータの負荷を軽減しつつ、不良ダイのマーキング判断を精度良く行う。
【解決手段】基板検査システムでは、ダイ２が複数配置されたウェハ１の表面を目視により概略的に検査して表面不良箇所を検査するマクロ検査部２０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果に基づき、前記ウェハ１の表面を第１の撮像装置４２により詳細に検査して表面不良箇所を検査するミクロ検査部４０と、前記マクロ検査部２０の表面検査結果と前記ミクロ検査部４０の表面検査結果とを所定のダイレイアウト上に記憶するシステムＰＣ５０内の記憶装置と、前記記憶装置の記憶結果と、前記ウェハ１に対する他の欠陥検査装置６２による欠陥検査結果と、前記ウェハ１に対する電気特性の不良箇所の測定結果とを解析して重ね合わせて前記不良箇所に対するマーキングデータ及び／又はインクレスデータを出力するデータ解析装置６３とを有している。 （もっと読む）

【課題】観測領域の特定が容易で、小型に構成できる顕微フォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡筒体１５１、１５２と、顕微鏡筒体から出た光を光分析手段に導くバンドルファイバ２０と、バンドルファイバの位置を調整する位置調整手段３３と、照明光源からの光を顕微鏡筒体内に導き、試料１４の反射光を観察する落射照明観察手段３４、３６と、試料を励起する励起光の励起光源と、励起光で励起されてフォトルミネッセンスを放出する試料の観測領域を選択する視野絞り３０とを備える。この装置では、試料の表面を落射照明観察手段で観察し、ＰＬ観測領域を視野絞り３０によって選択し、視野絞りで絞られた光束が適切にバンドルファイバ２０に入射するように、バンドルファイバの位置を位置調整手段３３で調整する。ＰＬ観測領域を高精度に特定することができ、その観測領域の最適状態での観測を容易に設定することができる。
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【課題】コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得し、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する方法の提供。
【解決手段】半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ１８に１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハ１８を移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ１８表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ１８面内分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】
データ処理装置を用いた検査条件決定のときの突合せデータの解析や、検査装置間の機差を解析するための装置として、データインポートの操作性を大幅に改善，改良し、使い勝手を向上させる。
【解決手段】
複数の試料の欠陥を検出する複数の外観検査装置と、欠陥の画像を取得し該欠陥の特徴量を取得する複数のレビュー装置と通信回線を介して接続されたデータ処理装置とを備え、複数の外観検査装置による複数の試料の欠陥に関する検査データと、該欠陥に関して複数のレビュー装置で取得したレビューデータとがデータ処理装置のディスプレイに表示され、該ディスプレイに表示されている検査データまたはレビューデータ以外のデータの取得指示により、データ処理装置は検査データまたはレビューデータを取得し、ディスプレイに表示させる構成とした。 （もっと読む）

【課題】特定のＤＵＴを把握しながら各ＤＵＴの試験結果をリアルタイムかつ連続して確認することが可能な半導体試験装置を提供する。
【解決手段】特定ＤＵＴ強調機能では、ユーザが指定操作部１１３により指定したＤＵＴが太い、または異なる表示色の枠線で強調表示されるので、各ＤＵＴの試験結果をリアルタイムに確認しながら特定のＤＵＴを注目して試験結果の状況等を把握することが可能となる。ＤＵＴを再度指定して操作することにより強調表示を解除し、他の注目したい特定のＤＵＴを指定して操作することで試験結果の状況等を把握するＤＵＴを容易に変更することができる。 （もっと読む）

【課題】各ＤＵＴの試験結果をロケーション情報等を把握しながらリアルタイムに確認することが可能な半導体試験装置を提供する。
【解決手段】制御部は、ウエハマップの各ＤＵＴに対して試験の進行と同時にリアルタイムで試験結果の情報を順々に表示していくときに、試験結果を表示するＤＵＴが最後に表示するＤＵＴであるか否かを判定し、最後に試験結果を表示するＤＵＴをパスと判定されている場合に緑色、フェイルと判定されている場合に赤色の表示色で強調表示して表示する。このＤＵＴ以外のＤＵＴをパスと判定されている場合に薄緑色、フェイルと判定されている場合にピンク色の表示色で画像表示する。 （もっと読む）

【課題】配置面積に対する識別能力の向上、製造工程の煩雑さを回避しつつ高信頼性を実現した半導体装置の識別方法を提供する。
【解決手段】識別情報発生回路は、互いに同じ製造過程をもって同一の形態として半導体基板上に形成された複数の識別要素を含み、上記複数の識別要素の持つ電気的特性バラツキに起因する上記複数の識別要素の相互の物理量の大小関係により決定される複数ビットからなる識別情報を発生させる。カウンタは、上記識別情報発生回路から識別情報を奇数回読み出し、２値のうち一方の値であるときにはカウントアップし、他方の値あるときにはカウントダウンする。制御回路は、上記決められた読み出し回数が完了したときのカウント値が正ならば当該ビットを上記一方の値とし決定し、カウント値が負ならば当該ビットを上記他方の値とし決定して識別情報を生成して出力する。 （もっと読む）

【課題】
外観検査装置で抽出された欠陥の分類が容易になるような特徴量の表示を行うデータ処理装置、およびデータ処理方法を提供する。
【解決手段】
試料の欠陥を抽出する外観検査装置から通信回線を介して送信される複数の欠陥の少なくとも座標を含む欠陥検査情報と、該欠陥の画像を取得し該欠陥の特徴量を付与するレビュー装置から通信回線を介して送信される少なくとも特徴量を含む欠陥レビュー情報とを受信し、特徴量のうちの少なくとも二つを軸としたグラフ領域をディスプレイに表示するとともに、該グラフ領域に欠陥を付与された特徴量に応じた位置に表示する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からＴＥＭ観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。
【解決手段】
同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部（ＳＥＭ部）１と試料作製加工用のイオンビーム部１０１とを併設し、ＳＥＭ部１によるウエハ７の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ７上の欠陥（異物やパターン欠陥）の存在部位からのＴＥＭ観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ８上で一貫して行なえるようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェハから抜き取った不良チップの数の計数を短時間で正確に行うことができる不良チップ計数方法及び計数装置を提供する。
【解決手段】ＣＣＤカメラ２と、所定の情報を記憶した記憶部４と、記憶部４に記憶されたウェハの有効領域情報に基づいてＣＣＤカメラ２により撮影されたウェハ画像の有効領域を識別処理する画像処理部５と、画像処理部５により得られたウェハ画像の有効領域内に含まれる不良領域の面積を積算する面積積算部６と、前記不良領域積算手段により求めた積算値を、記憶部４に記憶している１チップあたりの単位面積情報の面積値により除算することにより不良チップ数を算出する不良チップ算出部７と、不良チップ算出部７の算出結果を表示する表示部８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検出欠陥数の増大に伴い、データ処理／整理に多くの時間を要する。操作性を改良して、使い勝手を向上させ、原因究明の手がかりを早期に探索できる機能を備えた欠陥レビュー方法および装置を提供する。
【解決手段】検査装置とレビュー装置から出力されたデータを処理し、同じ検査条件あるいは検査条件を変えて複数回検査した結果の欠陥マップと、その画像一覧とを並べて表示し、かつ、両者の欠陥をリンクさせ、所望の欠陥が検出できているか、大量の画像データから確認・判定する事が出来る欠陥レビュー方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の論理回路に対して共通的な故障を抽出し、結果を表示する。外観検査で得た物理欠陥と論理診断で得た故障欠陥とを一致判定の距離パラメータを使用せずに正確に照合する。
【解決手段】論理回路のテスト結果から取得されたフェイル情報に基づき論理回路の故障箇所を推定する。入力処理ステップとデータ抽出処理ステップと診断処理ステップと出力処理ステップとを備えた構成であり、入力処理ステップでは、故障診断ツールで得られる論理回路ごとの故障候補データについて、複数個の論理回路の故障候補データが入力され、データ抽出処理ステップでは、各論理回路の故障候補データから、故障候補データ内の項目が抽出され、出力処理ステップでは、診断処理で集計した結果が出力される。 （もっと読む）

【課題】複数の論理回路に対して共通的な故障を抽出し、結果を表示する。
【解決手段】論理回路のテスト結果から取得されたフェイル情報に基づき論理回路の故障箇所を推定する。入力処理ステップとデータ抽出処理ステップと診断処理ステップと出力処理ステップとを備えた構成であり、入力処理ステップでは、故障診断ツールで得られる論理回路ごとの故障候補データについて、複数個の論理回路の故障候補データが入力され、データ抽出処理ステップでは、各論理回路の故障候補データから、故障候補データ内の項目が抽出され、出力処理ステップでは、診断処理で集計した結果が出力される。 （もっと読む）

【課題】非破壊で電子デバイスの欠陥原因を簡単に調査し特定することが可能な検査方法及びかかる検査方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス製造に伴う各工程のＱＣデータをデータ記憶装置に記録するステップＳ１０２と、各工程のＱＣデータを共通のデータに定形化するステップＳ１０３と、定形化されたデータから各工程のＱＣデータの分布図を作成するステップＳ１０４と、分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成するステップＳ１０６と、特異点マップと完成品の不良発生マップとを比較するステップＳ１１０と、比較に基づいて不良の原因となった工程と欠陥を同定するステップＳ１１１と、を含む検査方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体手装置の不良品判別を行う半導体装置の試験方法に関し、ウエーハ上に封止樹脂等を形成した後であっても半導体素子の良否判定を行うことを課題とする。
【解決手段】樹脂封止後に個片化される半導体装置の試験方法において、ウエーハ１０の半導体素子領域に検査用パッド１２を形成し、ウエーハ１０に対し実施した試験結果に基づきその良否を示す不良マーク（打痕）を検査用パッド１２に形成し、封止樹脂２８の封止後に検査用パッド１２に形成された不良マーク２０の有無をＸ線により検査することにより、半導体装置３０の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の検査装置による検査結果の誤差を効率良く評価することができる欠陥データ処理装置、欠陥データ処理システム、及び欠陥データ処理方法を提供する。
【解決手段】同一の被検査物上の欠陥を検査装置１Ａ，１Ｂによって検査して得られる複数の検査情報、及び、検査ごとに得られる欠陥の位置情報に基づいて欠陥を観察装置２によって観察して得られる複数の観察情報が入力され、この入力された複数の検査情報及び複数の観察情報を用いた処理結果を、検査ごとに得られる欠陥の位置情報に基づいて配置されるプロット点４８で表される複数の欠陥分布３１Ａ，３１Ｂを画面３０上に同時に表示し、入力部５ｄによって表示部５ｃの画面上の任意のプロット点が選択されると、その選択されたプロット点４８ａ，４８ｂに対応する欠陥の検査情報及び観察情報を表示部５ｃに表示する。 （もっと読む）

【課題】１個のウエハの検査処理に要する時間を短くすることができる電子線式ウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明によると、ウエハの検査処理はウエハ検査装置が行い、レビュー処理はウエハ検査装置に接続された外部機器が行う。即ち、検査処理とレビュー処理は並列的に行う。本発明によると、レビュー処理が終了するまで待つことなく次のウエハの検査を開始することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に不良が発生した場合に装置に使用しているチップがウェハの状態でどの位置にあるか判別し、不良解析に要する時間を短縮する。
【解決手段】ウェハ１０は縮小投影露光装置を用いて露光され、ウェハ中心部のチップ１とウェハ周辺部のチップ２とで異なるパターンを形成し、ウェハ１０をダイシングしてチップ１および２として切り離した後もウェハ状態でのチップ位置の概要が簡単に把握できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥画素検査の際に欠陥画素のウェハ上における位置を特定する事ができる固体撮像素子ウェハの検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェハの欠陥画素検査を行う検査・解析装置３０を、プローバ３２、光源３４、テスタ３６から構成する。テスタ３６は、プローバ３２及び光源３４を制御して、ウェハの各個体撮像素子の欠陥画素検査を行う。テスタ３６は、欠陥画素が検出された欠陥検出素子のウェハ上における素子行列座標と、各欠陥画素の欠陥検出素子上における画素行列座標とを特定する。テスタ３６は、ウェハ設計情報に基づき作成された変換式を用いて、両行列座標を、欠陥画素のウェハ上における画素位置座標に変換する。テスタ３６は、モニタ５８にウェハ平面図を表示するとともに、ウェハ平面図上に欠陥画素を表すマークを表示させる。これにより、欠陥画素のウェハ上における位置を特定することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの検査が複数段階に亘って行われる場合に、全体の検査効率を向上させることができるウエハ検査システムを提供する。
【解決手段】ウエハ８上に形成されている半導体集積回路チップについて、外注先で予め実施された検査結果に基づき、不良と判定されたチップに施されている初期マーキングの状態をカメラ装置３により撮像し、ウエハプローバ２は、初期マーキング状態に関するデータを取得するとウエハ８の良品チップについてのみ電気的特性検査を行う。ウエハプローバ２が初期マーキング状態に関するデータ並びに前記検査結果データをサーバ５に送信すると、ウエハ８について外観検査を行い、その外観検査の結果に基づいて作業者がマーキングを行うと、そのマーキングの状態をカメラ装置６により撮像し、パソコン７を介して画像データをサーバ５に送信する。 （もっと読む）