半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置
【課題】半導体チップのピックアップにおいて良品チップの位置決め認識のエラーを抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０をＸＹテーブルに載置する工程と、格子状に並んだ複数の半導体チップ１７０それぞれの座標を登録する工程と、複数の半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部を格子状の並びの中心に最も近い良品チップであるスタートチップ１００に対向させる工程と、ピックアップ部により、スタートチップ１００から順に良品チップをピックアップして移動させる工程と、を備え、良品チップをピックアップする工程において、スタートチップ１００から渦を描くように内側から順に良品チップをピックアップする。
【解決手段】複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０をＸＹテーブルに載置する工程と、格子状に並んだ複数の半導体チップ１７０それぞれの座標を登録する工程と、複数の半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部を格子状の並びの中心に最も近い良品チップであるスタートチップ１００に対向させる工程と、ピックアップ部により、スタートチップ１００から順に良品チップをピックアップして移動させる工程と、を備え、良品チップをピックアップする工程において、スタートチップ１００から渦を描くように内側から順に良品チップをピックアップする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイシングにより個片化された半導体チップは、ウェハからピックアップされて基板に固着される。半導体チップのピックアップ方法には、ピックアップ作業能率の向上やピックアップ動作を安定させる等を目的として様々な方法がある。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、ウェハシート上に並んだ半導体チップの位置検出を一行ずつ行う際に、隣接する次行における半導体チップが無い位置を検出して記憶するというものである。これにより次行における半導体チップの認識時間を短縮することができると記載されている。特許文献２に記載の技術は、不良品チップの行列番地を入力しておくというものである。これによりピックアップ工程において不良品チップの識別が不要になり、作業能率が向上すると記載されている。
【０００４】
特許文献３に記載の技術は、ウェハに格子状に並んだ半導体チップを、最外周に位置する半導体チップから渦巻き状を形成する順序でピックアップしていくというものである。これにより張力が一定でないウェハシート上において、安定した半導体チップのピックアップを行うことができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２３１７８９号公報
【特許文献２】特開平９−１１５９３０号公報
【特許文献３】特開平９−２２３７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体チップのピックアップ方法として、次の方法がある。まず、チップサイズの情報をもとに良品チップと不良品チップの座標を登録する。次いで、ウェハの最外周に位置するターゲットチップの座標を起点とし、互いに近接するチップを辿って、ピックアップを開始するスタートチップの座標まで移動する。その後、スタートチップの位置決め認識を行い、良品チップのピックアップを開始する。さらに、サブターゲットチップの座標を起点として、ターゲットチップの座標位置まで移動する場合もある。
【０００７】
一方ウェハの大口径化で良品チップの総数が増えたことから、ピックアップが途中で中断される場合が多くなっている。しかしこの場合ウェハシートの伸びが原因となり、登録されたスタートチップの座標と、ピックアップ再開後の実際のスタートチップの座標の位置が異なるという事態が生じうる。特許文献１、及び２に記載の技術はウェハに格子状に並ぶ半導体チップを一行ずつピックアップしていくというものである。また特許文献３に記載の技術は最外周に位置する半導体チップから渦巻き状を形成する順にピックアップしていくというものである。いずれの技術においても、一度ピックアップを中断した場合、ターゲットチップの座標からスタートチップの座標まで移動する際に、互いに近接するチップを辿ることができなくなる可能性がある。この場合、良品チップの位置決め認識にエラーが生じる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、複数の半導体チップに個片化されたウェハをＸＹテーブルに載置する工程と、
格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップそれぞれの座標を登録する工程と、
前記複数の半導体チップの座標に基づいて前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる工程と、
前記ピックアップ部により、前記スタートチップから順に前記良品チップをピックアップして移動させる工程と、
を備え、
前記良品チップをピックアップして移動させる工程において、前記スタートチップから渦を描くように内側から順に前記良品チップをピックアップする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明によれば、ピックアップはスタートチップから渦を描くように内側から順に行われる。従って一度ピックアップを中断した場合でも、ターゲットチップの座標からスタートチップの座標まで移動する際に、互いに近接するチップをたどることができる。これにより正確にスタートチップの位置決め認識を行うことができる。よって良品チップの位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【００１０】
本発明によれば、複数の半導体チップに個片化されたウェハを載置するＸＹテーブルと、格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップの座標を登録するマップデータ制御部と、前記半導体チップの位置決め認識をする位置決め認識制御部と、前記座標、及び前記位置決め認識に基づいて前記ＸＹテーブルの移動を制御する制御部と、前記半導体チップをピックアップするピックアップ部と、を備え、前記制御部は、前記格子状の並びの中心に最も近い前記良品チップをスタートチップとして渦巻き状を描くように内側から順に前記良品チップのピックアップが行われるよう、前記ＸＹテーブルの動きを制御する半導体製造装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体チップのピックアップにおいて良品チップの位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置を示す斜視図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】図７に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図９】比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１０】図９に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１１】比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置を示す斜視図である。半導体装置の製造方法は、まず複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０をＸＹテーブル４０に載置する。次いで格子状に並んだ複数の半導体チップ１７０それぞれの座標を登録する。半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。そして半導体チップ１７０のうち良品チップ１５０（図３参照）をピックアップする。良品チップ１５０のピックアップは、格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０であるスタートチップ１００から渦を描くように内側から順に行われる。
【００１５】
まず図２を用いて、本実施形態に係る半導体製造装置の構成について説明する。図２に示すように半導体製造装置はＸＹテーブル４０とマップデータ制御部５０と、位置決め認識制御部６０と、制御部７０と、ピックアップ部９０とを備える。ウェハ１０はＸＹテーブル４０上に載置される。
【００１６】
マップデータ制御部５０は、半導体チップ１７０の座標を記憶している。位置決め認識制御部６０は、半導体チップ１７０の位置決め認識を行う。制御部７０は、マップデータ制御部５０が記憶する半導体チップ１７０の座標、及び位置決め認識制御部６０による位置決め認識に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。ピックアップ部９０は、ニードル（図示せず）によって下方から押し上げられた良品チップ１５０を上方から吸着し、ピックアップする。
【００１７】
次いで図１、３〜５を用いて本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３及び４は、図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。図５は、図１に示す半導体装置の製造方法を示すフロー図である。図３に示すように、複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０は、ウェハシート２０上に配置されている。ウェハシート２０は、ウェハリング３０によって伸び広げられた状態に保持されている。複数の半導体チップ１７０は、ウェハシート２０上に、格子状にならんでいる。複数の半導体チップ１７０は、前工程のチップ特性検査において、良品チップ１５０と不良品チップ１６０とに識別され、マップデータとして記憶される。記憶されたマップデータは、ネットワーク又は記憶媒体を介してマップデータ制御部５０に収納される。
【００１８】
半導体装置の製造は、図５に示すフロー図に基づいて行われる。まずウェハ１０をＸＹテーブル４０に載置する（Ｓ１０１）。そしてマップデータ制御部５０により、半導体チップ１７０のうち良品チップ１５０と不良品チップ１６０それぞれの座標を登録する（Ｓ１０２）。
【００１９】
次いで図３に示す、半導体チップ１７０のうち格子状の並びの最外周に位置するターゲットチップ１１０の座標に基づいて、ＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０をターゲットチップ１１０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０によりターゲットチップ１１０の位置決め認識を行う（Ｓ１０３）。ターゲットチップ１１０の座標は、位置決め認識によって補正される。
【００２０】
次いで、ターゲットチップ１１０に近接する半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０を該半導体チップ１７０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０により該半導体チップ１７０の位置決め認識を行う（Ｓ１０４）。該半導体チップ１７０の座標は、位置決め認識によって補正される。
【００２１】
次いで、ステップＳ１０４を、互いに近接する半導体チップ１７０について繰り返し行う。これにより互いに近接する半導体チップ１７０を辿り、ターゲットチップ１１０から、半導体チップ１７０のうち格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０であるスタートチップ１００に到達する（Ｓ１０５）。ここでＸＹテーブル４０の位置の制御は、図３に示すように例えば格子状の並びのＸ方向、又はＹ方向に互いに近接する半導体チップ１７０を辿って行われる。また図４に示すように、例えば格子状の並びの斜め方向に互いに近接する半導体チップ１７０を辿って行われてもよい。
【００２２】
その後、図１に示すようにスタートチップ１００から渦を描くように格子状の並びの内側から順に良品チップ１５０をピックアップしていく（Ｓ１０６）。渦は、左回りでも右回りでも良い。ピックアップ作業が中断した場合、図５に示すように再度ステップＳ１０３〜Ｓ１０６を行う。
【００２３】
次に、本実施形態の効果を説明する。図６は、図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。図９、及び図１０は比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。比較例に係る半導体装置の製造方法では、図９に示すように半導体チップ１７０を格子状の並びの端から行ごとにピックアップしていく。従ってピックアップ作業を中断した場合、図１０に示すように、ターゲットチップ１１０の座標からスタートチップ１００の座標まで移動する際に互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができない。ウェハシート２０の伸び等が原因となり、登録したスタートチップ１００の座標と実際のスタートチップ１００の座標の位置がずれた場合、図１０に示すように正確なスタートチップ１００の位置決め認識を行うことができない。
【００２４】
これに対して本実施形態によれば、スタートチップ１００は格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０である。またピックアップはスタートチップ１００から渦を描くように内側から順に行われる。従って図６に示すように一度ピックアップを中断した場合でも、ターゲットチップ１１０の座標からスタートチップ１００の座標まで移動する際に、互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができる。これにより登録したスタートチップ１００の座標と実際のスタートチップ１００の座標の位置がずれた場合でも、正確にスタートチップ１００の位置決め認識を行うことができる。よって良品チップ１５０の位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【００２５】
図７は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図であり、第１の実施形態における図３に対応している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、サブターゲットチップ１３０及びサブターゲットチップ１４０を用いてターゲットチップ１１０の位置決め認識を行う点を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００２６】
図７に示すように、サブターゲットチップ１３０はターゲットチップ１１０からみて第１の方向に位置し、かつ格子状の並びの最外周に位置する。第１の方向は、格子状の並びにおけるＸ方向、又はＹ方向である。サブターゲットチップ１４０は、サブターゲットチップ１３０からみて第１の方向に直角な第２の方向に位置し、かつ格子状の並びの最外周に位置する。
【００２７】
本実施形態における半導体装置の製造方法は次のようである。まずウェハ１０をＸＹテーブル４０に載置し、半導体チップ１７０のうち良品チップ１５０と不良品チップ１６０の座標を登録する。これらは図５に示すステップＳ１０１、及びＳ１０２と同様である。
【００２８】
次いで、図７に示すサブターゲットチップ１４０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０をサブターゲットチップ１４０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０によりサブターゲットチップ１４０の位置決め認識を行う。サブターゲットチップ１４０の座標は、位置決め認識によって補正される。
【００２９】
次いで、サブターゲットチップ１４０に近接する半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０を該半導体チップ１７０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０により該半導体チップ１７０の位置決め認識を行う。該半導体チップ１７０の座標は、位置決め認識によって補正される。互いに近接する半導体チップ１７０を辿り、サブターゲットチップ１４０からサブターゲットチップ１３０に到達するまでこれらを繰り返す。
【００３０】
そして、サブターゲットチップ１４０からサブターゲットチップ１３０に到達するまでＸＹテーブル４０の位置を制御し、位置決め認識を行う上記工程を、サブターゲットチップ１３０からターゲットチップ１１０に到達するまで同様に行う。
【００３１】
その後ターゲットチップ１１０の座標から、互いに近接する半導体チップ１７０を辿って、スタートチップ１００に到達するまでＸＹテーブル４０の位置を制御し、位置決め認識を行う。そしてスタートチップ１００から渦を描くように格子状の並びの内側から順に良品チップ１５０をピックアップしていく。これらは図５に示すステップＳ１０３〜Ｓ１０６と同様である。
【００３２】
次に本実施形態の効果について説明する。図８は、図７に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。図１１は比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。比較例に係る半導体装置の製造方法では、スタートチップ１００は格子状の並びの最外周においてターゲットチップ１１０と直径上の反対側に位置する。またサブターゲットチップ１３０とサブターゲットチップ１４０を用いてターゲットチップ１１０の位置決め認識を行う。従ってピックアップ作業を中断した場合、図１１に示すように、サブターゲットチップ１４０の座標からサブターゲットチップ１３０を介してターゲットチップ１１０の座標まで移動する際に互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができない。
【００３３】
本実施形態によれば、スタートチップ１００は格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０である。またピックアップはスタートチップ１００から渦を描くように内側から順に行われる。従って第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００３４】
また図８に示すように、一度ピックアップを中断した場合において、サブターゲットチップ１４０の座標からサブターゲットチップ１３０を介してターゲットチップ１１０の座標まで移動する際に、互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができる。これにより登録したターゲットチップ１１０の座標と実際のターゲットチップ１１０の座標の位置がずれた場合でも、正確にターゲットチップ１１０の位置決め認識を行うことができる。よってサブターゲットチップを用いてターゲットチップの位置決め認識を行う場合でも、良品チップの位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【００３５】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００３６】
１０ ウェハ
２０ ウェハシート
３０ ウェハリング
４０ ＸＹテーブル
５０ マップデータ制御部
６０ 位置決め認識制御部
７０ 制御部
９０ ピックアップ部
１００ スタートチップ
１１０ ターゲットチップ
１３０ サブターゲットチップ
１４０ サブターゲットチップ
１５０ 良品チップ
１６０ 不良品チップ
１７０ 半導体チップ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイシングにより個片化された半導体チップは、ウェハからピックアップされて基板に固着される。半導体チップのピックアップ方法には、ピックアップ作業能率の向上やピックアップ動作を安定させる等を目的として様々な方法がある。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、ウェハシート上に並んだ半導体チップの位置検出を一行ずつ行う際に、隣接する次行における半導体チップが無い位置を検出して記憶するというものである。これにより次行における半導体チップの認識時間を短縮することができると記載されている。特許文献２に記載の技術は、不良品チップの行列番地を入力しておくというものである。これによりピックアップ工程において不良品チップの識別が不要になり、作業能率が向上すると記載されている。
【０００４】
特許文献３に記載の技術は、ウェハに格子状に並んだ半導体チップを、最外周に位置する半導体チップから渦巻き状を形成する順序でピックアップしていくというものである。これにより張力が一定でないウェハシート上において、安定した半導体チップのピックアップを行うことができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２３１７８９号公報
【特許文献２】特開平９−１１５９３０号公報
【特許文献３】特開平９−２２３７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体チップのピックアップ方法として、次の方法がある。まず、チップサイズの情報をもとに良品チップと不良品チップの座標を登録する。次いで、ウェハの最外周に位置するターゲットチップの座標を起点とし、互いに近接するチップを辿って、ピックアップを開始するスタートチップの座標まで移動する。その後、スタートチップの位置決め認識を行い、良品チップのピックアップを開始する。さらに、サブターゲットチップの座標を起点として、ターゲットチップの座標位置まで移動する場合もある。
【０００７】
一方ウェハの大口径化で良品チップの総数が増えたことから、ピックアップが途中で中断される場合が多くなっている。しかしこの場合ウェハシートの伸びが原因となり、登録されたスタートチップの座標と、ピックアップ再開後の実際のスタートチップの座標の位置が異なるという事態が生じうる。特許文献１、及び２に記載の技術はウェハに格子状に並ぶ半導体チップを一行ずつピックアップしていくというものである。また特許文献３に記載の技術は最外周に位置する半導体チップから渦巻き状を形成する順にピックアップしていくというものである。いずれの技術においても、一度ピックアップを中断した場合、ターゲットチップの座標からスタートチップの座標まで移動する際に、互いに近接するチップを辿ることができなくなる可能性がある。この場合、良品チップの位置決め認識にエラーが生じる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、複数の半導体チップに個片化されたウェハをＸＹテーブルに載置する工程と、
格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップそれぞれの座標を登録する工程と、
前記複数の半導体チップの座標に基づいて前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる工程と、
前記ピックアップ部により、前記スタートチップから順に前記良品チップをピックアップして移動させる工程と、
を備え、
前記良品チップをピックアップして移動させる工程において、前記スタートチップから渦を描くように内側から順に前記良品チップをピックアップする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明によれば、ピックアップはスタートチップから渦を描くように内側から順に行われる。従って一度ピックアップを中断した場合でも、ターゲットチップの座標からスタートチップの座標まで移動する際に、互いに近接するチップをたどることができる。これにより正確にスタートチップの位置決め認識を行うことができる。よって良品チップの位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【００１０】
本発明によれば、複数の半導体チップに個片化されたウェハを載置するＸＹテーブルと、格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップの座標を登録するマップデータ制御部と、前記半導体チップの位置決め認識をする位置決め認識制御部と、前記座標、及び前記位置決め認識に基づいて前記ＸＹテーブルの移動を制御する制御部と、前記半導体チップをピックアップするピックアップ部と、を備え、前記制御部は、前記格子状の並びの中心に最も近い前記良品チップをスタートチップとして渦巻き状を描くように内側から順に前記良品チップのピックアップが行われるよう、前記ＸＹテーブルの動きを制御する半導体製造装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体チップのピックアップにおいて良品チップの位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置を示す斜視図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】図７に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図９】比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１０】図９に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１１】比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置を示す斜視図である。半導体装置の製造方法は、まず複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０をＸＹテーブル４０に載置する。次いで格子状に並んだ複数の半導体チップ１７０それぞれの座標を登録する。半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。そして半導体チップ１７０のうち良品チップ１５０（図３参照）をピックアップする。良品チップ１５０のピックアップは、格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０であるスタートチップ１００から渦を描くように内側から順に行われる。
【００１５】
まず図２を用いて、本実施形態に係る半導体製造装置の構成について説明する。図２に示すように半導体製造装置はＸＹテーブル４０とマップデータ制御部５０と、位置決め認識制御部６０と、制御部７０と、ピックアップ部９０とを備える。ウェハ１０はＸＹテーブル４０上に載置される。
【００１６】
マップデータ制御部５０は、半導体チップ１７０の座標を記憶している。位置決め認識制御部６０は、半導体チップ１７０の位置決め認識を行う。制御部７０は、マップデータ制御部５０が記憶する半導体チップ１７０の座標、及び位置決め認識制御部６０による位置決め認識に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。ピックアップ部９０は、ニードル（図示せず）によって下方から押し上げられた良品チップ１５０を上方から吸着し、ピックアップする。
【００１７】
次いで図１、３〜５を用いて本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３及び４は、図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。図５は、図１に示す半導体装置の製造方法を示すフロー図である。図３に示すように、複数の半導体チップ１７０に個片化されたウェハ１０は、ウェハシート２０上に配置されている。ウェハシート２０は、ウェハリング３０によって伸び広げられた状態に保持されている。複数の半導体チップ１７０は、ウェハシート２０上に、格子状にならんでいる。複数の半導体チップ１７０は、前工程のチップ特性検査において、良品チップ１５０と不良品チップ１６０とに識別され、マップデータとして記憶される。記憶されたマップデータは、ネットワーク又は記憶媒体を介してマップデータ制御部５０に収納される。
【００１８】
半導体装置の製造は、図５に示すフロー図に基づいて行われる。まずウェハ１０をＸＹテーブル４０に載置する（Ｓ１０１）。そしてマップデータ制御部５０により、半導体チップ１７０のうち良品チップ１５０と不良品チップ１６０それぞれの座標を登録する（Ｓ１０２）。
【００１９】
次いで図３に示す、半導体チップ１７０のうち格子状の並びの最外周に位置するターゲットチップ１１０の座標に基づいて、ＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０をターゲットチップ１１０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０によりターゲットチップ１１０の位置決め認識を行う（Ｓ１０３）。ターゲットチップ１１０の座標は、位置決め認識によって補正される。
【００２０】
次いで、ターゲットチップ１１０に近接する半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０を該半導体チップ１７０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０により該半導体チップ１７０の位置決め認識を行う（Ｓ１０４）。該半導体チップ１７０の座標は、位置決め認識によって補正される。
【００２１】
次いで、ステップＳ１０４を、互いに近接する半導体チップ１７０について繰り返し行う。これにより互いに近接する半導体チップ１７０を辿り、ターゲットチップ１１０から、半導体チップ１７０のうち格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０であるスタートチップ１００に到達する（Ｓ１０５）。ここでＸＹテーブル４０の位置の制御は、図３に示すように例えば格子状の並びのＸ方向、又はＹ方向に互いに近接する半導体チップ１７０を辿って行われる。また図４に示すように、例えば格子状の並びの斜め方向に互いに近接する半導体チップ１７０を辿って行われてもよい。
【００２２】
その後、図１に示すようにスタートチップ１００から渦を描くように格子状の並びの内側から順に良品チップ１５０をピックアップしていく（Ｓ１０６）。渦は、左回りでも右回りでも良い。ピックアップ作業が中断した場合、図５に示すように再度ステップＳ１０３〜Ｓ１０６を行う。
【００２３】
次に、本実施形態の効果を説明する。図６は、図１に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。図９、及び図１０は比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。比較例に係る半導体装置の製造方法では、図９に示すように半導体チップ１７０を格子状の並びの端から行ごとにピックアップしていく。従ってピックアップ作業を中断した場合、図１０に示すように、ターゲットチップ１１０の座標からスタートチップ１００の座標まで移動する際に互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができない。ウェハシート２０の伸び等が原因となり、登録したスタートチップ１００の座標と実際のスタートチップ１００の座標の位置がずれた場合、図１０に示すように正確なスタートチップ１００の位置決め認識を行うことができない。
【００２４】
これに対して本実施形態によれば、スタートチップ１００は格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０である。またピックアップはスタートチップ１００から渦を描くように内側から順に行われる。従って図６に示すように一度ピックアップを中断した場合でも、ターゲットチップ１１０の座標からスタートチップ１００の座標まで移動する際に、互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができる。これにより登録したスタートチップ１００の座標と実際のスタートチップ１００の座標の位置がずれた場合でも、正確にスタートチップ１００の位置決め認識を行うことができる。よって良品チップ１５０の位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【００２５】
図７は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図であり、第１の実施形態における図３に対応している。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、サブターゲットチップ１３０及びサブターゲットチップ１４０を用いてターゲットチップ１１０の位置決め認識を行う点を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
【００２６】
図７に示すように、サブターゲットチップ１３０はターゲットチップ１１０からみて第１の方向に位置し、かつ格子状の並びの最外周に位置する。第１の方向は、格子状の並びにおけるＸ方向、又はＹ方向である。サブターゲットチップ１４０は、サブターゲットチップ１３０からみて第１の方向に直角な第２の方向に位置し、かつ格子状の並びの最外周に位置する。
【００２７】
本実施形態における半導体装置の製造方法は次のようである。まずウェハ１０をＸＹテーブル４０に載置し、半導体チップ１７０のうち良品チップ１５０と不良品チップ１６０の座標を登録する。これらは図５に示すステップＳ１０１、及びＳ１０２と同様である。
【００２８】
次いで、図７に示すサブターゲットチップ１４０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０をサブターゲットチップ１４０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０によりサブターゲットチップ１４０の位置決め認識を行う。サブターゲットチップ１４０の座標は、位置決め認識によって補正される。
【００２９】
次いで、サブターゲットチップ１４０に近接する半導体チップ１７０の座標に基づいてＸＹテーブル４０の位置を制御する。これによりピックアップ部９０を該半導体チップ１７０に対向させる。そして位置決め認識制御部６０により該半導体チップ１７０の位置決め認識を行う。該半導体チップ１７０の座標は、位置決め認識によって補正される。互いに近接する半導体チップ１７０を辿り、サブターゲットチップ１４０からサブターゲットチップ１３０に到達するまでこれらを繰り返す。
【００３０】
そして、サブターゲットチップ１４０からサブターゲットチップ１３０に到達するまでＸＹテーブル４０の位置を制御し、位置決め認識を行う上記工程を、サブターゲットチップ１３０からターゲットチップ１１０に到達するまで同様に行う。
【００３１】
その後ターゲットチップ１１０の座標から、互いに近接する半導体チップ１７０を辿って、スタートチップ１００に到達するまでＸＹテーブル４０の位置を制御し、位置決め認識を行う。そしてスタートチップ１００から渦を描くように格子状の並びの内側から順に良品チップ１５０をピックアップしていく。これらは図５に示すステップＳ１０３〜Ｓ１０６と同様である。
【００３２】
次に本実施形態の効果について説明する。図８は、図７に示す半導体装置の製造方法を示す平面図である。図１１は比較例に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。比較例に係る半導体装置の製造方法では、スタートチップ１００は格子状の並びの最外周においてターゲットチップ１１０と直径上の反対側に位置する。またサブターゲットチップ１３０とサブターゲットチップ１４０を用いてターゲットチップ１１０の位置決め認識を行う。従ってピックアップ作業を中断した場合、図１１に示すように、サブターゲットチップ１４０の座標からサブターゲットチップ１３０を介してターゲットチップ１１０の座標まで移動する際に互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができない。
【００３３】
本実施形態によれば、スタートチップ１００は格子状の並びの中心に最も近い良品チップ１５０である。またピックアップはスタートチップ１００から渦を描くように内側から順に行われる。従って第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００３４】
また図８に示すように、一度ピックアップを中断した場合において、サブターゲットチップ１４０の座標からサブターゲットチップ１３０を介してターゲットチップ１１０の座標まで移動する際に、互いに近接する半導体チップ１７０を辿ることができる。これにより登録したターゲットチップ１１０の座標と実際のターゲットチップ１１０の座標の位置がずれた場合でも、正確にターゲットチップ１１０の位置決め認識を行うことができる。よってサブターゲットチップを用いてターゲットチップの位置決め認識を行う場合でも、良品チップの位置決め認識のエラーを抑制することができる。
【００３５】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００３６】
１０ ウェハ
２０ ウェハシート
３０ ウェハリング
４０ ＸＹテーブル
５０ マップデータ制御部
６０ 位置決め認識制御部
７０ 制御部
９０ ピックアップ部
１００ スタートチップ
１１０ ターゲットチップ
１３０ サブターゲットチップ
１４０ サブターゲットチップ
１５０ 良品チップ
１６０ 不良品チップ
１７０ 半導体チップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップに個片化されたウェハをＸＹテーブルに載置する工程と、
格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップそれぞれの座標を登録する工程と、
前記複数の半導体チップの座標に基づいて前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる工程と、
前記ピックアップ部により、前記スタートチップから順に前記良品チップをピックアップして移動させる工程と、
を備え、
前記良品チップをピックアップして移動させる工程において、前記スタートチップから渦を描くように内側から順に前記良品チップをピックアップする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スタートチップは、前記格子状の並びの中心に最も近い前記良品チップである半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップは、前記格子状の並びの最外周に位置するターゲットチップを備え、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程において、
前記ターゲットチップから、互いに近接する前記半導体チップを辿って前記スタートチップに到達させる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップは、
前記ターゲットチップからみて第１の方向に位置し、かつ前記格子状の並びの最外周に位置する第１サブターゲットチップと、
前記第１サブターゲットチップからみて前記第１の方向に直角な第２の方向に位置し、かつ前記格子状の並びの最外周に位置する第２サブターゲットチップと、
を備え、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程において、
前記第２サブターゲットチップから、互いに近接する前記半導体チップを辿り、前記第１サブターゲットチップを介して、前記ターゲットチップに到達させる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程は、
前記格子状の並びのＸ方向、又はＹ方向に近接する前記半導体チップを辿って行われる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３ないし５いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程は、
前記格子状の並びの斜め方向に近接する前記半導体チップを辿って行われる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体チップに個片化されたウェハを載置するＸＹテーブルと、
格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップの座標を登録するマップデータ制御部と、
前記半導体チップの位置決め認識をする位置決め認識制御部と、
前記座標、及び前記位置決め認識に基づいて前記ＸＹテーブルの移動を制御する制御部と、
前記半導体チップをピックアップするピックアップ部と、
を備え、
前記制御部は、
前記格子状の並びの中心に最も近い前記良品チップをスタートチップとして渦巻き状を描くように内側から順に前記良品チップのピックアップが行われるよう、前記ＸＹテーブルの移動を制御する半導体製造装置。
【請求項１】
複数の半導体チップに個片化されたウェハをＸＹテーブルに載置する工程と、
格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップそれぞれの座標を登録する工程と、
前記複数の半導体チップの座標に基づいて前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる工程と、
前記ピックアップ部により、前記スタートチップから順に前記良品チップをピックアップして移動させる工程と、
を備え、
前記良品チップをピックアップして移動させる工程において、前記スタートチップから渦を描くように内側から順に前記良品チップをピックアップする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スタートチップは、前記格子状の並びの中心に最も近い前記良品チップである半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップは、前記格子状の並びの最外周に位置するターゲットチップを備え、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程において、
前記ターゲットチップから、互いに近接する前記半導体チップを辿って前記スタートチップに到達させる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップは、
前記ターゲットチップからみて第１の方向に位置し、かつ前記格子状の並びの最外周に位置する第１サブターゲットチップと、
前記第１サブターゲットチップからみて前記第１の方向に直角な第２の方向に位置し、かつ前記格子状の並びの最外周に位置する第２サブターゲットチップと、
を備え、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程において、
前記第２サブターゲットチップから、互いに近接する前記半導体チップを辿り、前記第１サブターゲットチップを介して、前記ターゲットチップに到達させる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程は、
前記格子状の並びのＸ方向、又はＹ方向に近接する前記半導体チップを辿って行われる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３ないし５いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＸＹテーブルの位置を制御することにより、ピックアップ部をスタートチップに対向させる前記工程は、
前記格子状の並びの斜め方向に近接する前記半導体チップを辿って行われる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体チップに個片化されたウェハを載置するＸＹテーブルと、
格子状に並び、良品チップと不良品チップが識別された前記複数の半導体チップの座標を登録するマップデータ制御部と、
前記半導体チップの位置決め認識をする位置決め認識制御部と、
前記座標、及び前記位置決め認識に基づいて前記ＸＹテーブルの移動を制御する制御部と、
前記半導体チップをピックアップするピックアップ部と、
を備え、
前記制御部は、
前記格子状の並びの中心に最も近い前記良品チップをスタートチップとして渦巻き状を描くように内側から順に前記良品チップのピックアップが行われるよう、前記ＸＹテーブルの移動を制御する半導体製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−４２１２（Ｐ２０１２−４２１２Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３６０４７（Ｐ２０１０−１３６０４７）
【出願日】平成２２年６月１５日（２０１０．６．１５）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１５日（２０１０．６．１５）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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