【課題】 投影電子光学系の条件が照明電子光学系の設計の制約となることを緩和し、照明電子光学系の設計の自由度を増した写像型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 試料５から光軸に平行に放出された発生電子６ｂ（主光線）は、カソードレンズにより集光され１点で光軸３と交わる。この点が第１クロスオーバとなる。発生電子６ｂはカソードレンズ７４ａにより光軸に平行とされて電磁プリズム２の位置に結像し、スティグメータ７を通ってズームレンズ８ａに入射し、再び集光されて１点で光軸３と交わる。この位置が第２クロスオーバとなる。この第２クロスオーバ位置に開口絞り１１が設けられている。これにより、第１クロスオーバ位置に開口絞りを設ける必要が無くなるので、照明電子光学系の設計が容易になる。 （もっと読む）

本発明は試料表面を検査する方法に関する。この方法は、試料表面に向けて誘導される複数の一次ビームを発生するステップと、複数の一次ビームを、試料表面上のそれぞれの位置に集束させるステップと、一次ビームが入射するとすぐ、試料表面から発生する荷電粒子の、複数の二次ビームを収集するステップと、収集された二次ビームの少なくとも１つを光学ビームに変換するステップと、光学ビームを検出するステップとを含む。
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【課題】線幅０．２μｍ以下のパターンの評価を、高いスループット、かつ、高い信頼性を確保しておこなう。
【解決手段】電子銃２から放出された電子線を矩形に成形し、試料Ｓ上の視野を走査し、その走査領域から放出された電子を写像投影光学系で拡大し、その拡大像をシンチレータ５１に結像させ、リレー光学系でＣＣＤに導き、二次元像を得る構成の電子線装置において、前記ＣＣＤには前記二次元像を映像できる面を少なくとも二つ設け、一方の面が拡大像を受像中に他の面から画像データを取り出すことを特徴とする電子線装置。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】 全ての欠陥種を検出できる最適の欠陥検査レシピを作成者の熟練度に依存することなく作成する方法を提供する。
【解決手段】 模擬正常パターンに対して高さ方向での変化と平面形状での変化とを有する模擬欠陥パターンＤＦ１〜ＤＦ３を備える模擬欠陥ウェーハ１を用いて暫定検査レシピを作成し、模擬欠陥ウェーハ１について欠陥検査を行ない、検出された欠陥データと、予め得られた模擬欠陥ウェーハ１の模擬欠陥データとを照合して欠陥検出感度を定量化し、所望の欠陥検出率が得られるまでレシピパラメータを変更して暫定検査レシピを作成する。 （もっと読む）

【課題】 短時間で致命率を算出することができ、且つその算出精度を高めることができる欠陥解析システム、記録媒体、欠陥解析方法、及び工程管理方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン（半導体）ウエハに対して行われる複数の工程のうちの一つの工程によってシリコンウエハに新たに発生した新規欠陥を抽出するステップＳ１と、新規欠陥の個数を計数するステップＳ２と、新規欠陥の個数を計数した後に、シリコンウエハ１の上に第１、第２一層目銅配線（導電パターン）１１ａ、１１ｂを形成して、ボルテージコントラスト法により新規欠陥と位置が一致する銅配線１１ａ、１１ｂの不良箇所の個数を計数するステップＳ３と、新規欠陥と不良箇所のそれぞれの個数の計数値を用いて、上記一つの工程における新規欠陥の致命率RFを算出するステップＳ４とを有することを特徴とする欠陥解析方法による。 （もっと読む）

【課題】 最小線幅０．２ミクロン以下のパターンを有する試料の欠陥検査等の評価を、マルチビームを用いて高スループットで行なう。
【解決手段】 単一のカソードから放出された電子線をマルチ開口で分離し、マルチビームを作る。集束したマルチビームを用いて、評価すべき試料と同じＺ座標にあるマーカ上を走査する。マーカ上の走査点から放出された電子線をＥ×Ｂ分離器で一次電子線から分離し、単一の検出器で検出する。単一の検出器を用いた検出によって、ビーム分解能、ビーム間隔およびビーム強度のうちの少なくとも一つを評価する。次にＥ×Ｂ分離器の偏向方向を逆にし、試料上の走査点から放出された二次電子群を二次光学系へ導く。複数の検出器で二次電子群によるマルチビームの各ビームに対応する信号を検出し、試料面上のパターンの評価を行なう。 （もっと読む）

【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 収差の小さい対物レンズを用いて、高スループットで試料の評価を行うことが可能な電子線装置を提供すること。
【解決手段】 複数の一次電子線を対物レンズで収束して試料を走査し、該試料から放出される二次電子線を検出して前記試料の評価を行う電子線装置は、電子銃ＥＧからの電子線で照射される複数の開口６と、ＮＡ開口７と、縮小レンズ８と、磁極間隙１４を試料１０の側に有する電磁レンズを有する対物レンズ９と、電子線走査用の偏向器１２と、二次電子線を一次電子線から分離する分離器１３と、二次電子線を検出する複数の二次電子検出器２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）

特徴部を評価する方法であって、前記特徴部の画像を受け取るステップと、前記画像において前記特徴部のエッジ上で、複数の突端の、それぞれの座標を決定するステップからなる前記方法。非円の非線状形状を有する図形は、複数の突端に適合され、その複数の突端と図研との間の、それぞれの距離が決定される。特徴部のための粗さパラメータは、それぞれの距離に応じて計算される。上記方法は、電子走査型顕微鏡（ＳＥＭ）により結像されるように、集積回路の限界寸法（CD）の分析において、更に、特に、これらの特徴部と構成要素の測定において応用を見出す。
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本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
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第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。 （もっと読む）

ウェハ検査のための方法及び装置。この装置は、少なくとも部分的に導電性の第１層と、該第１層の上に形成された第２の誘電体層とを有するサンプルであって、第２層に接触開口を形成した後のものであるサンプルをテストすることができる。この装置は、（ｉ）荷電粒子の高電流ビームを指向して、サンプルのエリアにわたり分布した複数の場所における非常に多数の接触開口に同時に照射させるよう適応された電子ビーム源と、（ii）複数の場所における非常に多数の接触開口の照射に応答して第１層に流れる試料電流を測定するよう適応される電流測定装置と、（iii）測定に応答して少なくとも欠陥ホールの指示を与えるように適応されたコントローラと、を備えている。 （もっと読む）

プロセス監視のための方法は、エッチングプロセスによる第２の層におけるコンタクト開口の生成に続いて、少なくとも部分的に導電性の第１の層と、該第１の層の上に形成された該第２の層とを有するサンプルを受け取るステップを含んでおり、該コンタクト開口は異なるそれぞれの横方向寸法を有する複数のテスト開口を含む。帯電粒子ビームは該テスト開口を照射するために向けられる。該ビームに応答して、該第１の層を流れる試料電流と、該サンプルの表面から放出された電子の全歩留まりの少なくとも一方が測定されることによって、エッチングインジケータ信号を生成する。該エッチングインジケータ信号は、該エッチングプロセスの特徴を評定するために該テスト開口の該横方向寸法の関数として分析される。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットへ高電圧を印加する為の高電圧ケーブルの損傷及びターゲット移動精度の低下を防ぐ。
【解決手段】 長手方向に沿って凸部が形成されている一方のＸ軸レール２４Ａはステージベース２１上に固定され、長手方向に沿って凹溝が形成されている他方のレール２４ＢはＸ方向ステージ２２に固定され、レール２４Ａの凸部がレール２４Ｂの凹溝にはめ込まれ、Ｘ方向ステージ２２の移動によりレール２４Ａがレール２４Ｂに対して摺動可能に成してある。長手方向に沿って凸部が形成されている一方のＹレール２５ＡはＸ方向ステージ２２上に固定され、長手方向に沿って凹溝が形成されている他方のレール２５ＢはＹ方向ステージ２３に固定され、レール２５Ａの凸部がレール２５Ｂの凹溝にはめ込まれ、Ｙ方向ステージ２３の移動によりレール２５Ａがレール２５Ｂに対して摺動可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンが形成されたウエハの欠陥の種類を分類するウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】 検査の対象となるウエハがウエハ欠陥検査部11で検査され、該ウエハ欠陥検査部11から座標値データS11 が出力される。座標値データS11 は画像データ生成部12に入力され、該画像データ生成部12でウエハの欠陥を表す図形が各チップ毎に作成されて画像データS12 が生成される。画像データS12 はパターン重なり評価部13に入力され、該パターン重なり評価部13で該画像データS12 に対応した第１の画像と回路の配線情報に基づいた回路パターンを表す第２の画像との重なりの状態が解析されて解析データS13 が出力される。解析データS13 は欠陥種自動分類部14に入力され、該欠陥種自動分類部14で各チップの被検査面上に存在する欠陥の種類が分類される。 （もっと読む）