【課題】
同じ検査領域に繰り返し電子線を照射することなしに、検査条件を決定することができる基板の検査装置、および、基板の検査方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、回路パターンが形成された基板に電子線を照射して発生する二次電子を検出し、検出された信号を画像化して記憶し、該記憶された画像を他の同一の回路パターンから形成された第二の画像と比較し、予め設定された欠陥判定条件に基づいて比較結果から基板の欠陥を抽出する基板の検査装置において、基板の一端から他端にわたる範囲の領域の画像を蓄積する記憶部と、該記憶部に蓄積された画像を利用して欠陥判定条件とは異なる欠陥判定条件で繰り返し欠陥判定する欠陥判定部とを備える構成を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の検査条件で検査装置が検出した多くの欠陥の解析を容易に行うことができるツールを提供する。
【解決手段】データ処理装置は、被検体を複数の検査条件により検査して得られた複数の欠陥の座標を検査装置から取得し前記検査条件と関連付けて記憶する記憶装置と、前記複数の検査条件のうちの少なくとも２つの検査条件に共通な座標の有無を検知する座標突合せを行う演算装置と、前記少なくとも２つの検査条件で得られた前記欠陥を複数の欠陥座標マップで表示する表示装置とを備え、適切な検査条件を選択する。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて欠陥候補を高速に抽出することが可能な電子線を用いた基板の検査装置を提供する。
【解決手段】回路パターンを有する基板に電子ビームを照射し、基板を一定速度又は加減速しながら連続で移動させ、該移動による位置をモニタし、基板の座標に応じて電子ビームの照射位置を制御し、移動の速度より遅い速度で基板の部分領域の画像を検出し、該検出した画像に基づいて欠陥候補を検出し、検出された欠陥候補をマップ形式で表示する構成を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料の自重を押圧作用に変換して試料を保持する機構を備えると共に、試料の大きさに依らず安定して試料を保持する試料ホルダの提供を目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、試料押圧機構による試料の押圧によって、試料を保持する試料ホルダであって、２つのてこを用いた試料ホルダを提案する。前記２つのてこは、試料を試料ホルダに載せたときの自重による押圧力を受ける第１のてこと、第１のてこによってもたらされる押圧力を、試料端部を押圧する押圧力とする第２のてこから構成される。 （もっと読む）

【課題】基準パターンを活用して基準データをもとにして各種の計測条件を自動設定することができるパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターンに荷電粒子線を走査して検査対象パターン画像を生成し、検査対象パターン画像の画素の位置を置き換えることで回転した画像を取得する生成手段と、検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】キラー率が高い欠陥のサンプリング数を低下させずに欠陥データを解析に用いることが可能な欠陥検査装置、欠陥検査システム及び欠陥データ処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１１１上の欠陥データを欠陥検査装置１００の検査部１１０で取得して記憶部１２２に格納し、得られた欠陥データを記憶部１２２内に予め格納している所定の分類基準に基づいて分類判定部１２３により欠陥種に分類する。分類された欠陥データに対して詳細な観察を行うレビューの対象とする第一のデータリストと、レビューの対象には含めないが解析を行う必要がある欠陥データを第一のデータリストに加えた第二のデータリストを処理演算部１２４で生成し、それぞれを他の検査工程において取得されたデータリストと重ね合わせ、レビューの対象には含めないが解析を行う必要がある欠陥の発生原因及び発生工程を特定する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの高精度な偏向制御と高速動作を可能とした電子ビームを用いた半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハに形成された回路パターンを有する試料に細く絞った電子ビームを照射し、照射期間中に前記試料から発生する二次信号を検出し、照射期間と振り戻し期間とを繰り返す偏向制御により前記試料を走査し、検出した前記二次信号から画像を生成して前記試料の欠陥を検査する電子ビームを用いた半導体検査装置において、電子ビームの照射期間中の偏向制御電圧を、照射期間中の開始電圧の値と最終電圧の値のみ設定し、その間を連続的に変化させ、これを走査の１ライン分として繰り返すことで、複数のラインを走査するように、電子ビームの偏向を制御する。 （もっと読む）

【課題】
観察試料の周縁部での電界乱れを補正して分解能の低下を防ぐことができる試料保持装置、及び、荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
本発明の実施態様によれば、試料に荷電粒子線を照射し発生する二次信号から画像を生成する荷電粒子線装置に用いられる試料保持装置において、試料が載置される面に設けられた複数の電界補正電極と、荷電粒子線を減速させるリターディング電圧を試料へ印加するリターディング電圧印加用ケーブルとを備え、試料の画像に基づいて電界補正電極へ印加される電圧が調整されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置のメモリマット部の最周辺部や、繰り返し性の無い周辺回路まで高感度に欠陥判定できる検査技術を提供する。
【解決手段】
繰り返しパターンを有する複数のダイで構成された回路パターンの画像を取得する画像検出部、取得した検出画像について、繰り返しパターンの領域とそれ以外の領域とに応じて加算対象を切り替えて参照画像を合成し、検出画像と比較して欠陥を検出する欠陥判定部、検出された欠陥の画像を表示する表示装置を備える。 （もっと読む）

【課題】複数段多極構成の静電偏向器方式に基づいた電子ビーム式検査装置において、ＰＶＣモードとＮＶＣモードのいずれにも対応できる偏向電圧生成方法を提供すると共に、偏向制御回路のノイズに起因する電子ビームの走査ずれを低減して検出感度を向上できる検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム式検査装置において、静電偏向器を制御する偏向制御手段２は、偏向制御信号を生成する偏向波形生成手段２１と、生成された制御信号を増幅し、この増幅された制御信号を分岐して静電偏向器の各段に違う電圧を印加する偏向信号出力手段２０とを有する。偏向信号出力手段２０は、静電偏向器の各段に違う電圧を印加するために、帯電制御手段により設定されて帯電制御電極に印加する電圧に応じて静電偏向器の各段に印加する制御信号の電圧比を切り替える偏向電圧比切替手段２０３を有する。 （もっと読む）

【課題】装置のメンテナンスまでの期間の間、摺動部に塗布された潤滑剤の枯渇を防止し、駆動部の安定性と信頼性の高い荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】真空室内にて移動する移動部材の摺動部分に潤滑剤を塗布した荷電粒子線装置において、当該潤滑剤として、以下を満足するものを採用する。（１）押圧下で潤滑剤の分解反応が開始する累積摺動時間（インダクション時間）が１４０時間以上である。（２）潤滑剤の分解反応がおこる押圧（臨界面圧）が０．５ＧＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】
取得画像の像質や分解能の劣化を防ぐことができる走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡の画像の改良方法を提供する。
【解決手段】
試料に電子ビームを照射し該試料から発生する二次信号の情報を画像化する走査型電子顕微鏡において、前記電子ビームを前記試料で走査する走査信号を補正する補正データを格納する記憶部と、該記憶部へ格納された補正データを用いて前記走査信号を補正する補正回路と、該補正回路で補正された走査信号を用いて得られた画像を表示するディスプレイとを備え、該ディスプレイには、さらに、前記補正データに基づいて生成された補正データ波形が表示される。 （もっと読む）

【課題】
装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、温度変化による試料座標の情報を精度良く補正し、高い観察倍率で長時間検査が可能な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
試料座標系の座標値が既知であるアライメントパターンから発生する二次信号に基づいて試料の座標系とステージの座標系との間の位置ずれ量を算出し、座標補正データを生成するとともに、アライメントパターンから発生する二次信号を少なくとも１回検出し、座標補正データを更新する再アライメントを実行する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ減衰の改善効果が、外部環境の状況に依存せずに得られる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数のラインに沿って電子線１６を走査し、走査上の観察試料４から発生した二次電子１４に基づいて観察信号を生成させる電子顕微鏡２０において、ラインの走査の直前又はライン同士の走査の間に、電子線１６に標準信号発生用試料５を走査させて、発生させた二次電子１４に基づいて標準信号を生成させ、標準信号を周波数空間のスペクトルに変換し、標準信号のスペクトルと標準信号のノイズが無い場合の理想信号のスペクトルとの差分の信号のスペクトルを生成し、差分の信号を減衰させるフィルタをフィルタ処理部１５に設定し、フィルタを用いて観察信号にフィルタ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、フォーカス精度劣化をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた試料検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】試料を移動可能なステージ上にロード後、試料の高さ計測を行った後、試料に電子線ビームを走査させ、得られた画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査方法及び装置において、高さ計測がステージ移動による補正処理機能を備えている。 （もっと読む）

【解決手段】検出アルゴリズムの１つ以上のパラメータの値を選択するために用いられる情報を生成する方法及びシステムが提供される。１つの方法は、ユーザの介入なしに、ウェハ上の欠陥を検出するために、検査システム及び検出アルゴリズムのパラメータのデフォルト値を用いてウェハの領域の走査を行う。その方法は、走査の結果から、検出アルゴリズムの１つ以上のパラメータの値を選択するために用いられる所定の欠陥合計最大数に基づいて、欠陥の一部を選択する工程も含む。その方法は、更に、情報を記憶する工程を含む。その情報は、検査レシピに用いられる検出アルゴリズムのパラメータの値を、走査の後にウェハの追加走査を行うことなしに選択するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥観察装置を用いて短時間に多数の試料上の欠陥を観察する方法において、高スループットで、かつ安定に欠陥画像を収集する。
【解決手段】欠陥観察装置において、観察対象となる試料上の各欠陥について、試料の設計情報から算出された試料の外観特徴に基づき欠陥検出方式を撮像前に選択して設定し、試料上の欠陥座標および該設定された欠陥検出方式をもとに、ステージの移動時間が短くなるように欠陥画像および参照画像の撮像順序を設定して欠陥画像の収集を行うようにし構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程における半導体装置等の欠陥を発見した場合に、後のレビューに有益な情報を取得する方法の提供。
【解決手段】外観検査装置１が取得した検査対象物に関する欠陥情報２１の入力を受け付けて記憶する記憶部３２と、検査対象物に関する画像を取得する画像取得部と、画像取得部を用いて欠陥情報に基づく欠陥レビュー用データを取得する処理部３１と、を備える欠陥レビュー装置２４、２５による欠陥レビュー方法である。処理部は、記憶部から読み出した欠陥情報２２ｂ、２３ｂにおいて、欠陥の集まりを示すクラスタが有るか否かを判定し、クラスタが有ると判定した場合、当該クラスタの分布特徴に基づき、画像取得部を用いて、検査対象物に関してクラスタの一部である欠陥部分の画像と付加的なデータとを取得する。 （もっと読む）