【課題】
多層レイヤにおける下層パターンやホールパターンの穴底などの鮮明度の低い領域に対して高画質化が行える，高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】
設計データの高さ情報または画像から求めた試料の高さ情報の推定値を用いて鮮明化強度を計算し，該鮮明化強度を用いて撮像画像の画質改善処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
チルト像には立体的なパターンの様々な輪郭線が存在し、またパターン表面のラフネス等により計測対象外の形状変化に伴うエッジも含まれるため形状認識は複雑になり画像処理による形状計測は容易でない。さらに，パターンの形状評価に適した観察方向を判断することが困難であった。
【解決手段】
評価対象となるパターンの撮像方向と撮像領域内に含まれる回路パターンの設計データから撮像画像上でのパターンの輪郭線の予想位置（予想輪郭線）を推定し，予想輪郭線と実際の輪郭線との位置ずれ予想範囲を設定し，前記位置ずれ予想範囲を基に画像処理範囲あるいは画像処理方法を設定してパターンの寸法，輪郭線，画像特徴量，三次元形状を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像から輪郭線を抽出してＧＤＳＩＩなどのポリゴン座標データに変換する際に、輪郭を構成する座標点数をなるべく少なくすると同時に、パターン形状の変動を転写シミュレーションに影響がない程度に抑えるパターンデータ変換方法及びパターンデータ変換装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク又はウェハのパターンデータの画像を入力し、入力したパターンデータの輪郭線を抽出するとともにパターンデータの輪郭線をより滑らかに変形するように変形処理し、変形処理された輪郭線からパターンデータを再現するのに必要な座標データを抽出してポリゴン座標データを生成することを特徴とするパターンデータ変換方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置１３において、外観検査装置３などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール１０〜１２を構成することにより上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】効率的に検査領域を設定することが可能な半導体装置の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ＮｏｎパターンＤｉｅ１０及びパターンＤｉｅ１１を比較して第１の仮パターンを取得し、第１の仮パターン第１の微細部分の集合とし、第１の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第１の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第１の微細部分を抽出し、抽出された第１の微細部分から第１のエッジ領域を規定し、ＮｏｎパターンＤｉｅ及びパターンＤｉｅを９０度回転させて比較して第２の仮パターンを抽出し、第２の仮パターンを第２の微細部分の集合とし、第２の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第２の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第２の微細部分を抽出し、抽出された第２の微細部分から第２のエッジ領域を規定し、第１及び第２のエッジ領域に囲まれている領域を検査領域として導出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分を拡大するなどして詳細に検査するときに、記録した参照画像の再利用率があがるように欠陥検出の処理手順などを改良することで、検出率を下げずに短時間に効率よく欠陥を観察することができるようにする。
【解決手段】欠陥画像と記録した参照画像を比較して欠陥を抽出できなかった場合に、新たに参照画像を撮像すること、複数の記録した参照画像やこれらを組み合わせて生成した参照画像と比較したり、異なる倍率の画像の倍率が同じになるように画像処理をしたり、機差による画像の視野を補正すること、記録した参照画像に対して、優先順やスクリーニングによる評価を行うことなどを特徴とする試料の観察方法とした。 （もっと読む）

【課題】
撮像する度に発生する異なる歪を算出し、画像毎に異なる歪補正をすることによって、高感度での欠陥検出を可能とし、かつ、歪の無い検査画像を出力する。
【解決手段】
検査画像をビーム走査方向に長い小領域に分割し，領域毎に参照画像と位置合せを行い，検査画像と参照画像の歪状態を補正し、歪補正した検査画像と参照画像の差分を演算して欠陥を検出し、欠陥箇所の歪補正した検査画像と参照画像とをＧＵＩ上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法において、欠陥観察装置と基板との位置合わせ精度を向上させること。
【解決手段】基板Wの表面の欠陥D_iのそれぞれの欠陥座標を取得するステップＳ１と、欠陥D_iのそれぞれに所定領域Rを設定し、その中に含まれる欠陥の総個数N_iを計数するステップと、ステージ座標を一番目の欠陥D₁の欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第１の欠陥D₁を導入するステップと、視野中心２２ｃと第１の欠陥D₁とのズレ量を取得するステップと、上記ズレ量に基づいて、第１の欠陥D₁よりも上記総個数が多い第２の欠陥D₂の欠陥座標を補正するステップと、補正後の第２の欠陥D₂の欠陥座標にステージ座標を合わせることにより、顕微鏡の視野２２ｆ内に第２の欠陥D₂を導入するステップとを有する欠陥観察方法による。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】多層パターンに対してテンプレート・マッチングを短時間で且つ正確に行うことができる画像処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】上層パターンと下層パターンをそれぞれSEM画像の間でパターン・マッチングを行ない、上層相関マップと下層相関マップを生成する。上層相関マップと下層相関マップを合成して合成相関マップを生成する。合成相関マップより、相関値が極大値を取る点を、マッチング位置とする。このような予備マッチングの結果を利用して、再度、高精度マッチングを行う。高精度マッチングでは、上層パターンと下層パターンを合成し、合成画像を生成する。この合成画像は層間ズレ情報が含まれている。この層間ズレ付き合成画像とＳＥＭ画像の間でテンプレート・マッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 自動分類の信用性を高めるために調整をしなければならない対象を容易に特定することのできる技術を提供すること。
【解決手段】 分類調整装置１４０は、電子顕微鏡１１０から得られた画像データよりより得られる欠陥の特徴量より、当該欠陥を第一のクラス群に分類し、当該第一のクラス群に分類された前記欠陥の前記特徴量より、前記欠陥を第二のクラス群に分類する。そして、前記第二のクラス群に分類された欠陥と、第二のクラス群に分類されるべき欠陥と、を比較することにより分類性能を算出し、算出した分類性能を予め定められた表示形式にして出力部１８０に出力する。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像を記憶するメモリのオーバフローが発生した場合でも基板の全面についての欠陥分布を早期に得ることができる基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法を提供する。
【解決手段】基板の画像を取得し、画像比較により差のある画素を抽出し、該画素の信号量が予め設定された閾値を超えた場合に欠陥候補と判定し、欠陥候補の代表画素の座標を記憶装置へ記憶し、記憶装置の容量がオーバフローした場合、またはオーバフローの前に、閾値の値を変更して欠陥候補の判定を継続し、基板の欠陥分布をディスプレイへ表示する。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されたパターンの欠陥を高精度で検出できる検査領域の設定を簡単に実行する。
【解決手段】半導体集積回路のダイの設計レイアウト図における複数のサンプリング位置からパターンを抽出するパターン抽出ステップ（ステップＳ２）と、前記抽出されたパターンを図形的特徴の一致度に基づいて前記抽出されたパターン数よりも少ない複数種類に分類するパターン分類ステップ（ステップＳ３）と、前記ダイの大きさよりも小さい候補領域を定め、前記定めた候補領域のうちの前記パターン分類ステップにより分類されたパターンの種類を最も多く含む候補領域を欠陥検査を実行する検査領域に設定する空間探索・空間探索・検査領域設定ステップ（ステップＳ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】凹パターンと凸パターンを有する絶縁膜における凹パターンの底面を明瞭に観察する。
【解決手段】絶縁膜に形成された、ラインパターン２とスペースパターン３を有するパターン１を観察するパターン観察方法であって、パターン１に電子ビームを照射してパターン１の仮画像を取得し、この仮画像を用いてラインパターン領域４とスペースパターン領域５を算出し、ラインパターン領域４に対して正帯電条件で電子ビームを照射し、かつ、スペースパターン領域５に対して負帯電条件で電子ビームを照射することにより、ラインパターン２の上面とスペースパターン３の底面との間に、スペースパターン３の底面から放出される二次電子をパターン１の外側に引き出すための電界を形成し、その後、パターン１に電子ビームを照射して、スペースパターン３の底面の情報を有するパターン１の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料台から被検査試料を離脱する際の発塵を抑制することができる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ５を載置する試料台６と、試料台６に設けられた複数の電極８，９と、複数の電極８，９と半導体ウエハ５とを電気的に絶縁する絶縁部材４と、複数の電極の少なくとも１対の電極８，９間に電圧を印加する外側及び内側電極用電源１１，１３とを備えた半導体試料検査装置において、インピーダンス測定部１９により複数の電極８，９間のインピーダンスを測定し、昇降制御部２１ａは、その測定結果に基づいて動作信号１２１を出力する。プッシュピン２２及びプッシュピン駆動部２３は、その動作信号１２１に基づいて半導体ウエハ５を試料台６に対して昇降する。 （もっと読む）

【課題】被検査試料の外周部と中心部とで帯電特性が異なることから、被検査試料外周部と中心部とで同等の検査感度を得ることができない。
【解決手段】被検査試料を載置する試料ホルダの外周部に試料カバーを設け、被検査試料の帯電特性にあわせて試料カバーの帯電特性を変更する。これにより、試料外周部と中心部とで均質な帯電状態を形成でき、試料外周部の検査・観察が従来よりも高感度に実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程で発生した欠陥の特性を正確に推定することのできる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】
先ず、構成が既知の欠陥部を有する参照試料を用いて、電位コントラストと、前記欠陥部の電気特性との対応関係（第１の検量線）を求める(S120-S125)。また、被検査ウエハにおける正常部の電気特性を測定する。次に、被検査ウエハの正常部の電気特性と先の第１の検量線に基づいて、被検査ウエハが有する正常部に、構成が既知の欠陥を付加して、被検査ウエハにおける欠陥部の電位コントラストと電気特性との関係（第２の検量線）を算出する(S126-S131)。欠陥部の電位コントラストを実測することにより、第２の検量線を用いて被検査ウエハに実際に含まれる欠陥部の電気特性を推定することができる(S132-S133)。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定した結果を元に得られたスペクトルと同測定条件の下で計算により求めたスペクトルとが合致するように寸法の標準偏差もしくは分散もしくは相関距離もしくは基本となるスペクトルからの変形を特徴付ける変数の内の少なくとも一つに対して適切な値を選択することによりその値を決定するプログラム、及び寸法測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】微小な欠陥であっても適切に撮影することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法を提供する。
【解決手段】基板の半導体素子が形成される素子形成面の裏側に位置する目盛形成面に物理目盛を形成する（Ｓ１）。前記物理目盛を用いて欠陥検査装置内での第１の座標系を作成する（Ｓ３）。前記欠陥検査装置により前記素子形成面に存在する欠陥を検出する（Ｓ４）。前記第１の座標系における前記欠陥の位置を示す欠陥位置座標を特定する（Ｓ５）。前記物理目盛を用いて欠陥撮影装置内での第２の座標系を作成する（Ｓ７）。前記欠陥撮影装置により前記素子形成面の前記第２の座標系上における前記欠陥位置座標を含む領域の撮影を行う（Ｓ８、Ｓ９）。 （もっと読む）