【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】１つ又は複数の欠陥関連の機能を遂行するコンピュータ実行方法を提供する。
【解決手段】検査データ中のノイズを識別する一方法は、所定の数よりも少ない数の検査データの組の中で検出される事象を、ノイズとして識別する。欠陥をビン分類する一方法は、欠陥の特性、及び、これらの欠陥が検出された検査データの組に基づいて、これらの欠陥をグループにビン分類する。欠陥解析のために欠陥を選択する一方法は、これらの欠陥の互いの近接性、及び、グループ（１つ又は複数）により形成される空間シグネチャに基づいて、欠陥をこのグループ（１つ又は複数）にビン分類することを含む。欠陥解析のために欠陥を選択する別の方法は、欠陥解析のために、欠陥特性（１つ又は複数）のうち、もっとも多様なものを有する欠陥を選択することを含む。一方法は、試料のために生み出された検査データを、この試料のために生み出された欠陥レビューデータと組み合わせたものを使用して、この試料上の欠陥を分類することを含む。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成により転送路の異常を即時に検出できる荷電粒子線応用装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線応用装置は、荷電粒子線装置と画像処理装置を接続する転送路と、を有する。転送路は、画像データを荷電粒子線装置から画像処理装置に転送するための第１の信号伝送線と、同期信号を荷電粒子線装置から画像処理装置に転送するための第２の信号伝送線と、を有する。画像処理装置は、第１の信号伝送線を経由して送信された同期信号を監視することによって、転送路の状態を監視する転送路監視部を有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線が照射される位置の安定性を容易に評価することができる変位検出回路を提供する。
【解決手段】ヘテロダイン干渉計と、該ヘテロダイン干渉計の基準信号と測定信号のそれぞれの光ビート回数をカウントするデジタルカウンタと、前記基準信号と前記測定信号との差分をとる減算器と、前記基準信号の波形の位相をシフトさせる位相シフト回路と、該位相シフト回路で位相シフトされた位相シフト信号の波形から特定の１つの信号波形を選択するスイッチ回路と、前記基準信号と前記測定信号との位相差を検出するゲートと、該ゲートの出力からヘテロダイン周波数の信号を取り除くローパスフィルタと、を構成とする。 （もっと読む）

【課題】ユーザの意図を反映可能な分類条件設定機能を有する二分木構造を用いて欠陥を分類する装置の提供。
【解決手段】欠陥検査装置から取得される検出信号を基に抽出される欠陥の特徴量に基づいて二分木構造の分類器を用いて欠陥を分類する欠陥分類方法であって、予め欠陥クラスと対応付けられた特徴量データとの教示に基づいて、二分木構造の分岐点毎に、分岐の両側のグループにそれぞれ属する欠陥クラス、分岐に使用する特徴量および判別基準からなる分岐条件を設定することにより前記二分木構造の分類器を構築する分類器構築過程を有し、該分類器構築過程において、さらに予め欠陥クラス毎並びに全体および最悪のピュリティおよびアキュラシーの目標分類性能について優先順位をつけて指定しておく優先順位指定過程と、前記設定した分岐条件による前記指定した目標分類性能を満足するか否かを項目毎に評価して該項目毎の評価結果を表示する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】検査対象物上の同一箇所に電子線を複数回走査し、各走査で得られる画像信号を加算して画像を形成する機能を備え、当該加算により形成された検出画像と所定の参照画像とを比較することにより欠陥を検出する半導体ウェーハ検査装置において、前記電子線を前記検査対象物に照射する照射光学系（１，４）と、前記検査対象物上の電子線照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部（７）と、当該電子線の走査により得られる二次電子又は反射電子を検出するセンサ（１３）と、当該センサの出力信号をディジタル変換して得られるディジタル画像信号を、前記検査対象物上の欠陥部と正常部とで前記検出信号の値に差がある期間加算する制御を行うことにより、欠陥を識別できる過渡画像を前記検出画像として取得する全体制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】絶縁領域と導電領域が形成されている試料面の観察を高コントラストで行い、且つ、欠落欠陥や開放欠陥の検出と欠陥種類の分類を容易なものとする技術を提供すること。
【解決手段】導電領域の輝度が絶縁領域の輝度よりも高い条件下で画像の取得と、絶縁領域の輝度が導電領域の輝度よりも高い条件下で画像の取得とを行い、これらの画像に基づいて、試料面上の欠落欠陥と開放欠陥の双方を高い精度で検出する。この方法は、絶縁領域と導電領域を有する試料面に材料コントラストが最大となる照射エネルギ（ＬＥ）の撮像電子ビームを照射するステップ（Ｓ２０３）と、当該撮像電子ビームの照射を受けた試料面から、導電領域の輝度が絶縁領域の輝度よりも高い条件下で画像を取得するステップ（Ｓ２０５）と、絶縁領域の輝度が導電領域の輝度よりも高い条件下で画像を取得するステップ（Ｓ２０７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造プロセスにおいて，パターン微細化に伴い，致命となる欠陥サイズも微小化しており，微細な欠陥を検出するために欠陥検査装置の感度を上げると，本来は欠陥ではない製造公差などを検出してしまい，欠陥の発生傾向を捕らえることが困難となる。
【解決手段】
被検査対象を検査する方法において，被検査対象の指定箇所について画像撮像手段を用いて撮像し，撮像した画像から欠陥を検出し，撮像した画像から回路パターンを認識し，検出した欠陥から画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，認識した回路パターンから画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，検出した欠陥と認識した回路パターンの中から特定の欠陥又は回路パターンをフィルタリングして抽出し、フィルタリングして抽出された特定の欠陥又は回路パターンの特徴量の中からマッピングする特徴量を決定し、決定した特徴量の分布状況を画面上にマップ形式で表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】歩留り予測の精度を向上することができる歩留り予測システム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のチップ領域が設定された基板の処理を行う工程と、前記処理後の基板の状態に基づいて歩留りを予測する工程と、を繰り返し行う。前記歩留りを予測する工程では、前記基板に存在する欠陥の状態を把握し（Ｓ１４）、前記欠陥の状態に基づいて前記複数のチップ領域のうちから不良チップ領域を特定し（Ｓ１６）、前記不良チップ領域に関するデータをデータベースに格納し（Ｓ１７）、前記データベースに格納されている不良チップ領域に関するデータに基づいて歩留りを算出する（Ｓ１８）。また、前記欠陥の状態を把握する際には、前記データベースを参照して、既に不良チップ領域であるとして特定されているチップ領域については前記欠陥の状態の把握を省略する。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥を自動分類するための電子顕微鏡を用いた撮像ユニットにおいて、画像取得時間，画像処理の計算コスト、および、計算機資源を抑えた撮像ユニットおよびその方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡を用いた欠陥分類用撮像ユニットにおいて、欠陥画像１７と参照画像１６を互いに異なる解像度で取得する仕組みを備え、かつ、参照画像の解像度を欠陥画像の解像度よりも少なくして取得することで解決されるため、微細な欠陥を自動分類するための電子顕微鏡を用いた撮像ユニットにおいて、参照画像の解像度を欠陥画像の解像度と比較して少なくすることで、画像取得時間，画像処理の計算コスト、および、計算機資源を抑えつつ、微細な欠陥を自動分類することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】
複数本の二次電子ビーム調整を、効率良く実施することのできる半導体検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
被検査対象物に複数の照射光を照射する照射光学系と、前記照射光学系により照射され、該被検査対象物から放出される複数の光を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出した複数の光に基づく信号の強度を比較する比較部と、前記比較部で比較された結果に基づき該複数の光の位置と前記検出光学系における該複数の光の検出位置とのずれ量を算出する補正量算出部と、該複数の光に基づく信号を処理して該被検査対象物の検査を行う処理部とを備える演算処理部と、を備え、前記検出光学系は、さらに、前記補正量算出部で算出されたずれ量に基づき前記照射光学系を調整する制御部を有することを特徴とする検査装置である。 （もっと読む）

【課題】精度の良い試料表面検査を行える方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子線式試料表面検査装置を用いて試料表面を検査する方法であって、前記試料表面検査装置の電子銃から発生した電子ビームを前記試料表面に照射し、前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面に向けて結像させ前記試料表面を検査する方法において、前記検出器の検出面における前記二次電子の結像条件を、前記試料表面の電位が前記試料表面に照射された電子ビームの量に応じて変化するように制御する。 （もっと読む）

【課題】高感度にＲＯＩ領域の欠陥発生頻度や特性尤度の効率的なモニタリングをする。
【解決手段】ステージの連続移動に同期して、マトリクス状に配置した複数の電子線をステージ移動方向に間引いて回路パターンに照射し、発生する二次電子等を取得し、同一領域で取得した画像を加算平均することで高速にしかも高ＳＮの画像を取得し、取得画像より回路パターンの欠陥を判定する。ステージ移動と垂直方向への移動時に隣接領域ではなく、間引いて画像取得することで、ＲＯＩ領域のみ、又は回路パターン全体の欠陥発生頻度や特性尤度を効率的にモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）