【課題】初心者であっても、試行錯誤することなく、様々な評価対象パターンに対して、最適な評価指標を容易に選択可能な表面観察装置を実現する技術の提供。
【解決手段】画像処理部から評価画像入力部に複数の評価画像が入力される（ステップ９０１）。入力された評価画像はディスプレイ１１５に表示され、ユーザはディスプレイを参照しながらユーザの評価基準で画像を並べ替えて評価基準を定義する（ステップ９０２）。入力された評価画像に対して複数の評価指標で評価値を算出する（ステップ９０３）。各評価指標における評価値と、ユーザが定義した評価基準とを比較して、相関係数を算出して（ステップ９０４）、ユーザが定義した評価基準に対して、相関係数の絶対値が最大の評価指標を、最も近い評価基準として自動選択する（ステップ９０５）。相関係数順に、画像が並びけられ、ディスプレイに評価値順に一覧表示される（ステップ９０６）。 （もっと読む）

【課題】本発明の基板検査装置は、基板の検査エリアの設定を簡単にし、且つ検査エリア設定の自由度を確保して効率良く基板の検査を実行することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ８０における「左エッジからの距離Ｒ」と「右エッジからの距離Ｒ」とを検査エリアとする設定がされた際、全体制御部は、この設定に基づいて検査室にロードされる半導体ウエハ８０の検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路に登録する。全体制御部は、演算結果を登録した補正制御回路を用いて検査エリアとしての半導体ウエハ８０の左エッジからの距離Ｒにある領域（５）のチップ８１の斜線で示すセル８２と領域（６）のチップ８１の距離Ｒ内の斜線で示すセル８２、及び半導体ウエハ８０の右エッジからの距離Ｒにある領域（８）のチップ８１の斜線で示すセル８２と領域（７）のチップ８１の距離Ｒ内の斜線で示すセル８２の自動検査を制御する。 （もっと読む）

【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源１４・６と、該試料を保持する試料ステージ１４・２２と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器１４・４と、該検出器１４・４に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット１４・５と、電子源１４・６から試料ステージ１４・２２への１次電子光学系と試料ステージ１４・２２から検出器１４・４への２次電子光学系を分離するウィーンフィルタ１４・３と、を備え、電子銃１４・６から放出された電子線はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成し、１次電子光学系と２次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ１４・３上で異なっている。 （もっと読む）

【課題】専門的な知識を持たないユーザでも比較的容易にウェハ検査における検査条件を決定できることを目的とする。
【解決手段】過去に撮像した画像及び当該画像に関する検査条件の情報が格納されている検査条件データベース１１５を有し、解析制御ユニット１１４が、検査条件データベース１１５に格納されている複数のサンプル画像及び当該サンプル画像に関する検査条件を画像処理ユニット１１３に表示し、入力部を介して表示されている複数のサンプル画像及び検査条件から、所定の検査条件が選択され、入力部を介して、ウェハにおける所定の領域が選択され、当該選択された領域を選択された検査条件で、電子線ウェハ検査装置１００が撮像を行って取得画像を取得し、取得画像の解析を行い、解析の結果に基づいて、所定の検査条件の評価付けを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提
供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与え
られるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査
され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平
行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により
偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が
発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号と
して記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定
される。 （もっと読む）

【課題】焦点合せを欠陥候補の撮像領域外で行って、撮像画像の帯電やコンタミネーションを防ぐとともに、焦点のずれのない撮像画像を得ることができるレビュー装置及びレビュー方法を得る。
【解決手段】試料を移動させて、欠陥候補の位置を含む撮像領域に電子ビームを位置付け、電子ビームの光軸を平行移動させて、欠陥候補の画像を撮像する領域の外の焦点合せ領域に光軸を位置付け、焦点合せ領域で電子ビームを偏向させるとともに、電子ビームの焦点位置を変えながら、焦点合せ領域から発生した二次信号の強度を取得し、該二次信号の強度に基づいて合焦点位置を求め、その後、焦点合せ領域に位置付けられた電子ビームの光軸を欠陥候補の位置に移動させ、撮像領域に電子ビームを照射して発生する二次信号から画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】パターン付基板を検査対象とした欠陥検査において，実際の検査対象物物が存在しない状態で、検査条件を設定することにより、検査装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】パターン設計データ１１１から得られるパターンデータを基本パターンに分解（１２１）し、プロセス条件データ１１２、材料定数データ１１３、装置パラメータ１１５を加味して基本パターンの検出出力の計算を行い（１２２）、基本パターンの検出出力を統合して推定画像を作成する（１２４）。一方、基本欠陥データ１１４、材料定数データ１１３、装置パラメータデータ１１５を用いて欠陥の出力データを作成する（１２３Ａ）。推定画像１２４および欠陥データ１２３Ａを用いて検査装置の検査条件を設定する。これによって検査条件をオフラインで設定でき、装置の稼働率を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを観察できる試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料観察方法は、電子ビームを用いて試料のパターンを観察する。この方法は、試料に電子ビームを照射し、電子ビームの照射によって生じるミラー電子を検出し、検出されたミラー電子から試料の画像を生成する。電子ビームを照射するステップは、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーＬＥが調整された電子ビームを試料に照射する。好適な条件は、ＬＥＡ≦ＬＥ≦ＬＥＢ＋５[ｅＶ]である。 （もっと読む）

【解決手段】ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステムが提供される。或るコンピュータによって実行される方法は、異なる場所で少なくとも１種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程を含む。方法は、更に、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程を含む。加えて、方法は、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成することを含む。ローカル属性の値に基づいて群が生成され得るので、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する画素を同じ群に割り当てることとなり、当該群は、欠陥検出アルゴリズムにとって重要なものとなり得る。より望ましいセグメント化は、より望ましい雑音統計推定をもたらすことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に荷電粒子ビームを照射することなく、帯電等の影響が反映された画像を形成する画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体デバイスの設計データから、荷電粒子ビームを照射する範囲を含む領域の情報を取得し、当該情報に基づいて、前記荷電粒子ビームの照射範囲について画素単位で、試料に荷電粒子ビームを照射したときの前記画素部分にて検出される電子の量を計算し、当該電子量に基づいて求められる輝度情報を配列して、画像を形成する画像形成装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の配線の良否を高精度で検査することが可能な半導体基板の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１４に電子ビーム１３を照射し二次電子１６を検出する。信号処理装置１８は、二次電子１６の信号強度に応じて半導体基板１４の被検査面の状態を示す電位コントラスト画像を作成する。制御用計算機１９は、欠陥検査においてノイズ源となる非検査対象の配線の画像を自己生成画像で置き換え、置換処理後のコントラスト画像に基づいて検査対象の配線の欠陥を検査する。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】試料を保持する試料ステージと、前記試料に電子線を照射する電子光学系を有するカラムと、前記電子線の照射により前記試料から発生した信号に基づいて第一および第二の画像を取得する画像取得部と、前記第一の画像から予め指定された種類の欠陥の有無を判定する画像演算部とを有し、前記画像演算部によって当該欠陥があると判定された場合、前記電子光学系は、前記第一の画像を取得したときの電子線と試料面のなす角度とは異なる角度で前記試料に電子線を照射し、前記画像取得部は、前記試料から発生した信号に基づいて第二の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＦＯＶ内外のパターンの形成状況に依らず、高い再現性による測定を行い得るパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に荷電粒子ビーム装置のパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置であって、パターンが形成された試料の設計データから得られるＳＥＭの視野内、及び／又は視野外のパターン情報に基づいて、ＳＥＭのビーム条件を導出する方法、及び装置を提案する。また、当該方法及び装置の具体的な態様の１つとして、ＦＯＶが設定される領域のパターン情報に応じて、光学条件を導出するパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】指定された配線の不良位置を自動で検出する装置を提供する。
【解決手段】試料にプローブと電子線を当て試料に吸収された吸収電流の像を利用して、長い配線でも不良位置を自動で検出する装置とその方法。プローブを当てたまま真横へ移動しながら吸収電流画像を取得し、その画像の吸収電流像を基にイメージシフトとステージの両方で補正する。試料回転ステージのないステージでバックラッシュ等の正しい角度で移動しないハード要因を含めて対策し、正確に長い配線の端まで移動しても配線を表示し続け、自動で配線の両端まで数往復する間に不良位置を検出する。 （もっと読む）

ウエハの検査のための１つまたは複数のパラメータを選択するためのコンピュータ実装方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、およびシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査部１２とを備え、データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、得られた欠陥情報から、データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識する繰り返し欠陥認識部２５を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単にビーム走査範囲単位での照射量のコントロールだけでは、抑制することが困難な寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に、ビームによるコンタミネーションの付着によって生じる正の堆積と、試料除去によって生ずる負の堆積が相殺される走査範囲内の位置を測定部位として選択、或いは走査領域内において、寸法変動の影響がない、或いは少ない部分を測定部位として選択する方法、及び装置を提案する。当該方法及び装置によれば、走査領域面内で、寸法測定を行うに当たり適正な位置を選択することが可能となる。上記構成によれば、ビーム照射によって生じる寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料搬送中に、試料に付着した異物の除去を行う試料搬送機構、及び試料搬送機構を備えた走査電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料を裏面から支持する試料搬送用ハンドを備えた試料搬送機構であって、前記試料を吸着して保持する吸着機構と、当該吸着された試料と、前記試料搬送ハンド間に形成される閉空間内で、試料に気体を吸着する吸着機構と、当該閉空間内の気体を吸引する吸引機構を備えた試料搬送機構を提案する。更に走査電子顕微鏡内で発生した異物を、試料カセット等に持ち込まないように、走査電子顕微鏡鏡体と試料カセットとの間に設けられた試料搬送用ハンドに設けられた異物除去機構によって、異物を回収する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）