【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】限界寸法の測定、及び、製造均一性を監視する方法とシステムを提供する。
【解決手段】
限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ，ＣＤ）を測定する方法は、ダイの少なくとも１つの注目領域をスキャンして、少なくとも１つの走査像を得るステップと、走査像を少なくとも１つの設計レイアウトパターンに照準させて、走査像内の複数の境界を識別するステップと、設計レイアウトパターンに対応する特定タイプの限界寸法に関連するパターンの１つ、又は、複数の境界からそれぞれ測定される距離を平均化し、ダイの限界寸法の値を得るステップと、を含む。ダイの限界寸法の値は、相対して高いスキャン速度により得られる低解像度の走査像から得られるので、上述の方法は、受け入れ可能な検査時間内で、ウェハ全体中の各ダイの限界寸法の値を得て、半導体製造プロセスの均一性を監視することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に発生した欠陥や異物の画像を撮像し、欠陥や異物を種類ごとに分類する欠陥分類装置において、撮像した画像に写っている欠陥の重要度を定量的に計算し、重要度の高い欠陥が写っている画像だけをデータベースに保存することで、ネットワーク負荷やデータベース負荷を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥座標データを入力し、画像撮像プログラム５０１にて画像を撮像し、特徴量抽出プログラム５０２にて撮像した画像から欠陥の特徴量を抽出し、欠陥分類プログラム５０３にて欠陥を種類別に分類し、重要度予測プログラム５０４にて欠陥毎に重要度を計算し、画像選別プログラム５０６にて重要度に基づいて画像をデータベースに伝送するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体パターンであっても，撮影中一次荷電粒子線照射起因帯電の影響を抑制し，二次荷電粒子の検出率の変化を抑制することにより視野内の計測歪みを抑制することのできる走査型荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 試料８上の二次元領域に対し，荷電粒子線４のライン走査の方向が交互に反転するように走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡において，荷電粒子線４の走査ライン間距離は，試料８に荷電粒子線４を照射したときの，試料８の帯電特性又は試料８の明度の視野内均一性に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子顕微鏡のレンズ条件を変化させることなく、予備帯電によってもたらされる電位勾配を抑制する走査型電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料表面を帯電させる第１のビームを試料上に走査した後に、試料より放出される電子を検出するための第２のビームを走査するように、走査偏向器を制御すると共に、第１のビームの走査領域の中心部に対して相対的に、第１のビームの走査領域の周辺部の電荷密度を高めるように、前記第１のビームを走査することを特徴とする走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの全ての領域で欠陥検査が可能であり、欠陥検査が不可能な領域をなくすことができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】欠陥が検出される試料の画像を取得する画像取得手段１１０と、取得した試料の画像を複数の画像ブロックに分割する分割手段１４０と、複数のプロセッサエレメントが、画像ブロックから切り出された画像から２枚の差画像を生成し、この２枚の差画像を用いて試料の欠陥検出処理を行い、検出した欠陥の位置を含む欠陥情報を出力する第１の画像処理手段１５０と、第１の画像処理手段から出力された欠陥情報に従って、画像取得手段１１０で取得した試料の画像から画像を切り出す画像切り出し手段１３０と、複数のプロセッサエレメントが、画像切り出し手段で切り出された４枚の画像から２枚の差画像を生成し、この２枚の差画像を用いて試料の欠陥検出処理を並列に行う第２の画像処理手段１５１を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の欠陥を撮像した画像を，ユーザが定義したクラスごとに自動で分類する装置において，異なる複数の観察装置で撮像した画像が混在して入力された場合，観察装置の違いによる画像の性質の差により，欠陥画像の分類正解率が低下することを防止する。
【解決手段】複数の観察装置で撮像した欠陥画像が入力となる画像自動分類装置において，レシピを作成する際に観察装置ごとに画像処理パラメータの調整と分類識別面の作成を行い，画像の分類時には，欠陥画像を撮像した観察装置を画像の付帯情報などをもとに特定し，画像を撮像した観察装置に応じた画像処理パラメータと分類識別面を用いて，画像処理と分類処理を行うようにした。また，観察装置ごとの画像処理パラメータ調整を効率的に行うために，教示された欠陥領域をもとに適切な画像処理パラメータを自動調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第１サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第１サーチダイの右隣のダイを第２サーチダイとし、第２サーチダイの上隣のダイを第３サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第２サーチダイ及び第３サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第２サーチダイのパターンマッチ座標と第３サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第１サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】マッチング精度が向上するＡＰを設定可能な走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料上のＥＰを観察する前に位置決め用として前記ＥＰ周辺に設定されたＡＰに関する情報を含む撮像レシピに基づき、ＥＰの画像を取得する走査型電子顕微鏡であって、前記ＡＰの位置と前記試料の設計データを含む情報を取得する情報取得部と、前記情報を基に、前記ＡＰのＦＯＶに含まれるパターンが閉図形であるか否かを判定するパターン解析部と、前記ＡＰのＦＯＶに含まれるパターンが閉図形の場合、該閉図形を包含する矩形領域が前記ＡＰのＦＯＶに収まる場合は頂点数を最も多く有する閉図形が前記ＡＰの中心になるように前記ＡＰを移動するか、または前記矩形領域が前記ＡＰのＦＯＶに収まらない場合は前記閉図形の頂点数が最も多くなる位置に前記ＡＰを移動する位置調整部と、前記最適化したＡＰの位置を撮像レシピに登録する撮像レシピ登録部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ表面のキズ、結晶欠陥またはパーティクル等を簡便かつ正確に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハの表面欠陥を評価する方法であって、表面欠陥の二次電子像を電子顕微鏡にて取得した後、二値化により二次電子像の輪郭を明確化し、その後明確化した二値化二次電子像の輪郭に外接する四角形を描き、そして前記明確化した二値化二次電子像における前記表面欠陥部分の面積と前記四角形の面積または前記四角形のうち前記表面欠陥部分以外の面積との面積比を求め、面積比により欠陥の種類を分類することを特徴とするウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低いパターンと信頼性の高いパターンを均一に評価されるため、パターンマッチングの成功率が低い場合がある。
【解決手段】パターンマッチングに使用するデザインパターン又はデザインテンプレートのパターンに重みを付し、信頼性の低いパターンの領域と信頼性の高いパターンの領域を重みにより区別可能にする。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡で画像を撮像するとき，焦点を合わせるために動作させるＺ座標の走査範囲を短くして，焦点を合わせる時間を短縮する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡で試料上の複数の箇所のＳＥＭ画像を順次取得することを、最初の所定の数の箇所においては電子ビームの焦点位置を試料の表面の法線方向に所定の範囲走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせてから試料を撮像し、最初の所定の数の箇所において試料の表面に合わせた電子ビームの焦点位置の情報を用いて試料の表面の曲面形状を推定し、最初の所定の数の箇所で撮像した後は、電子ビームの焦点を試料の表面に合わせるために電子ビームの焦点位置を法線方向へ走査する範囲を推定した曲面情報を用いて最初の所定の数の箇所において走査した所定の範囲よりも狭い範囲で走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせて前記試料を撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 （もっと読む）

【課題】試料表面に異物が付着することを極力防止することができる電子線検査装置を提供する。
【解決手段】試料２００を配置したステージ１００が真空排気可能な真空チャンバ１１２の内部に設置されており、該試料２００の周囲を包囲する位置に集塵電極１２２が配置されている。集塵電極１２２には、試料２００に印加される電圧と同じ極性で絶対値が等しいかそれ以上の電圧が印加される。これにより、集塵電極１２２にパーティクル等の異物が付着するので、試料表面への異物付着を低減することができる。集塵電極を用いる代わりに、ステージを包含する真空チャンバの壁面に凹みを形成するか、又は、所定の電圧が印加されるメッシュ構造の金属製平板を壁面に敷設してもよい。また、中央に貫通孔１２４ａを有する隙間制御板１２４を試料２００及び集塵電極１２２の上方に間隙制御板１２４を配置することにより、異物付着をより低減することができる。 （もっと読む）