【課題】 蛍光Ｘ 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの金属不純物の元素情報及び空間情報を高感度且つ高精度で取得することができ、加えて低コスト且つ簡便に実現することができるシリコンウェハの金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング用のＯ_３／ＨＦ混合ガスをシリコンウェハ表面に噴射し、シリコンウェハ表面を気相エッチングする。これにより、第１表層のシリコンが分解され、該第１表層に含まれる金属不純物がその位置をほぼ維持したまま第１表層分解後のシリコンウェハ表層に蓄積する。また、第１表層分解後のシリコンウェハ表面は、Ｏ_３／ＨＦ混合ガスによる気相エッチングにより鏡面化される。その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高分解能な画像を求め、故障箇所を高精度に絞り込むことができるようにすること。
【解決手段】故障解析装置は、半導体集積回路にＸ線を照射するＸ線発生部と、半導体集積回路を透過したＸ線を光に変換する移動可能なシンチレータと、シンチレータによって変換された光を検出するとともに、電圧が印加された半導体集積回路から生じたフォトエミッション光を検出する光検出部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶基板の検査方法に関するもので、結晶の検査工程に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【解決手段】準備工程として、結晶基板に樹脂溶液を塗布する第１の工程と、検査工程として、前記樹脂溶液を塗布した結晶基板を検査装置に固定し、検査を行い、その後、結晶基板を検査装置から取り外す第２の工程と、検査後工程として、検査装置から取り外された結晶基板を樹脂除去溶媒に浸漬し、結晶基板表面の樹脂を除去する第３の工程と、を備えた結晶基板の検査方法。 （もっと読む）

【課題】カソードルミネッセンスを用いた半導体基板中の結晶欠陥の評価において、半導体基板表面のクリーニングをせずに高精度に結晶欠陥を評価することを可能にする。
【解決手段】欠陥検査装置１００は、半導体基板２を支持するステージ３と、電子線照射部７と、ＣＬ検出器１４と、Ｘ線検出器１９と、データ処理部２２とを備える。電子線照射部７は、半導体基板２に電子線を照射する。ＣＬ検出器１４は、半導体基板２の検査箇所に電子線が照射されることによって検査箇所の結晶欠陥から発生したカソードルミネッセンス光を検出する。Ｘ線検出器１９は、検査箇所に電子線が照射されることによって検査箇所の表面に付着する有機化合物から発生した炭素の特性Ｘ線を検出する。データ処理部２２は、検出された炭素の特性Ｘ線の強度に基づいて、検出されたカソードルミネセンス光の有機化合物による減衰を補正する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。
【解決手段】単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるＸ線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。この際、前記裾野部分の位置を、Ｘ線解析強度がバックグラウンドレベルまで減衰した位置、または、ピーク位置から±５０００秒離れた位置とする。 （もっと読む）

【課題】既知の反射特性を有する第１層と、第１層上に形成された第２層を有するサンプルの検査方法を提供する。
【解決手段】本方法は、サンプル表面へ放射線を向けること、表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するためにその表面で反射された放射線を検知することを含む。第１層からの放射線の反射による特徴は反射信号で同定される。同定された特徴と第１層の既知の反射特性とに対応して反射信号が較正される。その較正された反射信号は第２層の特性を決定するために分析される。他方で、向上された検査方法も同様に開示する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の表面または内部において局所的に存在する金属不純物元素を現実的な時間内で検出、定量可能な元素分析方法を提供する。また、インラインで、できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プロトンを、０°より大きく９０°より小さいプロトン入射角で分析対象の基板へ入射させる。このとき、プロトンの入射により励起され、分析対象の基板から放射される特性Ｘ線は、エネルギー分散型のＸ線検出器等により計測される。分析対象の基板内部に存在する不純物元素は、計測された特性Ｘ線から特定される。プロトンビームを走査することで基板面内の分布を取得でき、異なるプロトン入射角でプロトンを入射することで深さ方向の分布を取得することができる。また、当該元素分析方法を、半導体装置の製造工程に適用することで、金属汚染の分析や導電型決定不純物量の定量をインラインでかつ高精度に実施できる。 （もっと読む）

【課題】基板中および基板上に存在する、基板とは元素組成が異なる領域の評価を、非破壊、高精度、短時間で行うことにより、半導体製造ラインの高性能化を計る。
【解決手段】評価対象試料（基板等）４上に、例えばＭｏターゲットのＸ線源１からモノクロメータ２を介してＸ線３が低い角度で照射される。照射領域は、符号３ａで示される領域である。さらに、この装置には、基板４の中心から延びる基板面の法線を回転軸とする面内回転機構（θｚ）と、ｙ軸に関して入射Ｘ線の入射角度（α１）を変更することができる傾斜角度変更機構と、基板面における測定位置を変更できる移動機構とを有している。特に重要なことは、基板４のうちのある面積だけにＸ線を照射することができ、この領域３ａを変更することができるように構成されている点である。評価は、試料から放出された蛍光X線の強度を測定することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の外周面に存在する不純物を簡易的に分析する方法を提供する。
【解決手段】測定対象となる半導体基板４を分割構造のステージ２で挟持し、半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで、半導体基板４の外周面を中心とする平坦部Ｆを形成する。半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで形成された平坦部ＦにＸ線を全反射条件で照射し、半導体基板４の外周面から発生した不純物の蛍光Ｘ線を検出する。蛍光Ｘ線の検出結果に基づいて半導体基板４の外周面の不純物による汚染状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】非破壊検査により簡便に信頼性高く行うことができるシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、シリコンウェーハ上にゲート酸化膜を形成し、形成されたゲート酸化膜直下のシリコンウェーハ表層部をＸ線回折測定して、測定により得られるロッキングカーブの半値幅が０．００１１０°以下であるか否かにより、ゲート酸化膜の電気的特性の良否判定をするシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によりゲッタリング能力を付加したデバイス形成用ウエーハにおけるゲッタリング能力及び転位の発生有無を、デバイス製造工程の初期段階で、簡便かつ非破壊で評価でき、優れたゲッタリング能力を有するデバイス形成用ウエーハを効率的に提供する。
【解決手段】イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハの元素がイオン注入された表面側から、Ｘ線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブのピーク位置から該ピーク位置よりも低角度側（高角度側）の角度範囲の回折強度を、該角度範囲と同一の角度範囲におけるイオン注入ダメージ層を有さないリファレンスウエーハのロッキングカーブの回折強度と比較することによって、前記イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハを用いて作製されるデバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力を評価することを特徴とするデバイス形成用ウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶ウェハから炭化珪素半導体素子を製造するに際し、ウェハ面における特定の基底面内欠陥を他の転位や積層欠陥と識別することによりその位置及びその種類を非破壊的に特定し、これに基づいて、結晶欠陥による素子特性への影響がない炭化珪素半導体素子を製造することを目的としている。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウェハのウェハ面内における反射Ｘ線トポグラフィー測定を行い、これにより得られた、ウェハ面内におけるＸ線回折データから、特定の回折パターンを識別することにより特定の基底面内欠陥を非破壊的に検出し、得られたウェハ面内における該基底面内欠陥の位置情報を取得することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び、該欠陥検出方法を用いた炭化珪素半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶を破壊することなく簡便に精度良く転位を評価する方法を提供する。
【解決手段】結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための様々な方法ならびにシステムに関する。ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成するための方法は、少なくとも一つのロット内の全てのウエハー上の全ての測定箇所で測定を実施することを含む。また本方法は、測定結果に基づきプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームに関する最適なサンプリング・スキーム、強化されたサンプリング・スキーム、削減されたサンプリング・スキーム、そして閾値を決定することを含む。閾値は、測定に関して最適なサンプリング・スキーム、強化されたサンプリング・スキーム、そして削減されたサンプリング・スキームがプロセスに関して使用されるべき測定の値に対応する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が経時的に得られるゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の製造方法および評価方法、さらに、このゲート絶縁膜を用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、半導体基板（基材）２上に化学的気相成膜法を用いて成膜され、平均厚さが１０ｎｍ以下のものであり、シリコン、酸素原子および水素原子で構成され、その密度が２．５ｇ／ｃｍ^３以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体手装置の不良品判別を行う半導体装置の試験方法に関し、ウエーハ上に封止樹脂等を形成した後であっても半導体素子の良否判定を行うことを課題とする。
【解決手段】樹脂封止後に個片化される半導体装置の試験方法において、ウエーハ１０の半導体素子領域に検査用パッド１２を形成し、ウエーハ１０に対し実施した試験結果に基づきその良否を示す不良マーク（打痕）を検査用パッド１２に形成し、封止樹脂２８の封止後に検査用パッド１２に形成された不良マーク２０の有無をＸ線により検査することにより、半導体装置３０の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装後に生じる半導体素子の特性劣化の原因を解析可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に搭載され、Ｘ線照射量に基づく特性変化量が予め定義された複数の半導体素子２０１ａ，２０１ｂを含む半導体チップ２と、基板１上に半導体チップ２と共に搭載され、半導体チップ２のＸ線照射量を測定する照射量測定装置３と、半導体チップ２を封止する封止樹脂４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＭＩＳ汚染を発生させることなく、膜中の異物を正確に検出し電子顕微鏡による観察を迅速に行うことができる荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置を提供する。
【解決手段】他の光学式検査装置によって検出された、膜６６中に存在する欠陥の原因となる異物６５を他の光学式検査装置で取得された位置情報を基に光学式顕微鏡４３で検出し、電子顕微鏡画像やイオン顕微鏡画像による異物６５の観察やＥＤＸによる異物６５の元素分析ができるように非金属のイオンビーム２２で試料３１を加工する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）