【課題】本発明は、集積回路ダイ又はチップを特徴とする半導体ウェーハのパターン化構造において、ランダムに存在する製造欠陥を電気光学的に検出するための方法及びシステムに関する。
【解決手段】パルス式レーザの短い光パルスで、顕微鏡レンズを有する電気光学カメラシステムの視野を照射し、各々４つの二次元ＣＣＤマトリックス光検出器のアレイを含む６つの検出器集合体から形成された光学撮像システムの焦点面に光検出器の表面を光学的に形成する焦点面アセンブリ上に移動中のウェーハを撮像する。二次元ＣＣＤマトリックス光検出器の各々が、２００万ピクセルのマトリックス電子画像を作成し、異なるＣＣＤマトリックス検出器の同時作成画像を画像処理技術により並行処理し、撮像視野を、基準となる別の視野と比較し、対応ピクセルの差異を、ウェーハダイ欠陥の存在を示すものとして検出する。 （もっと読む）

【課題】
パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパター
ンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な
欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する
【解決手段】
同一パターンとなるように形成されたパターンの対応する領域の画像を比較して画像の
不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、切替え可能な複数の異なる検出系と異な
る検出系の像を同時に取得可能な複数台のセンサとそれに応じた画像比較部とを備えて構
成した。
また，画像の特徴量から統計的なはずれ値を欠陥候補として検出する手段を備えて構成
し，ウェハ内の膜厚の違いに起因して画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている
場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】被検査対象基板上に繰り返して形成される様々な回路パターン上に生じる欠陥または異物を、光学条件に依存せず、正常な回路パターンと弁別して欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】被検査対象基板から取得した画像信号に対して、着目画素を含むその周囲に切り出す着目局所領域と、前記着目画素に対応する複数の対応画素の各々を含むその周囲に切り出す複数の対応局所領域の各々を設定し、該設定された着目局所領域の画像信号と前記局所領域設定ステップで設定された複数の対応局所領域の画像信号との類似度を探索し、該探索される類似度情報を用いて、前記着目局所領域の画像信号に類似する前記対応局所領域の画像信号を複数決定し、該決定した前記複数の対応局所領域の画像信号と前記着目局所領域の画像信号とを比較して総合的に欠陥を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像処理を用いた回路パターンの欠陥検査では、検査対象となる回路パターンの画像を撮影する。このとき、撮影する毎にカメラを移動・停止していると、画像データの取得に時間がかかってしまうという課題があった。
【解決手段】複数の被検査物（回路パターン）が配列された基板に対して、撮影用のカメラを一定速度で移動させながら、予め決めておいた視野位置で連続的に撮影を行う。このため被検査物の配列情報とシステム側のハード的、ソフト的な拘束条件から、移動速度、撮影タイミングなどを予め求めておく。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜形成時にゲート絶縁膜が受けるプラズマダメージを正確に評価する。
【解決手段】本発明のプラズマダメージ評価方法は、半導体基板１０にゲート絶縁膜１３を形成する工程と、ゲート絶縁膜１３上にゲート電極１４を形成する工程と、半導体基板１０内に拡散層１２を形成する工程と、層間絶縁膜１５を除去して、ゲート電極１４の上面を露出する工程と、露出されたゲート電極１４に通電してゲート絶縁膜１３の電気的特性を測定する第二の測定工程と、第一の測定工程における測定結果と第二の測定工程で測定結果とを比較する評価工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】抵抗率測定の再現性異常を検出する４探針抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針プローブを用いてウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する測定部と、ウェハ上の被検薄膜への４探針プローブの接触位置を移動させる移動手段と、測定部の測定結果を画面に表示する表示部３１と、測定部と移動手段を制御してウェハ上の被検薄膜の複数の測定位置において複数回の抵抗率の測定を行い、測定した複数の抵抗率のばらつきを示す値が所定値以上である場合、測定再現性に異常があると判断してこれを表示部に表示する制御部１１をもつ４探針抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの欠陥検査方法では、基準となるパターンの画像データを膨張・収縮といった操作を行い、許容できる最大の寸法と最小の寸法を有するマスタパターンを作製し、被検査物から得た画像データをこのマスタパターンと比較することで欠陥を発見する。このマスタパターンを作製する膨張・収縮という画像処理においては、画素毎にその周囲の画素を加減する処理が行われるが、様々な線幅が含まれる基準パターンの場合は線幅の比率によって一定の割合で膨張・収縮することが困難であった。
【解決手段】基準パターンに属する画素に背景からの距離データを付与し、周辺の画素に自分より大きな距離データがなくなるまで画素を削除し、基準パターンの骨格を代表する骨格パターンを作製する。この骨格パターンに属する画素が有する距離データに所定倍率をかけた範囲にある画素をマスタパターンとする。 （もっと読む）

【課題】
プロセッサエレメント（ＰＥ）に対する耐故障性を有する外観検査装置を提供すること。また、検査を中断することなく故障状況が表示される外観検査装置を提供すること。
【解決手段】
接続されたＰＥの状態に応じてＰＥへの画像分配制御を行う画像分配制御部３２を有し、画像分配制御部３２は、ＰＥの接続状態を監視するＰＥ状態監視部３８と、接続されたＰＥの数に応じて処理負荷値を各ＰＥに割振るテーブル設定部３６と、処理負荷値に応じて画像検出速度を設定する検出速度設定部３１とを備える外観検査装置。また、検査状態や処理速度、接続されているＰＥ数を表示するモニタを備えた外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】光子放出を利用して集積回路中の欠陥デバイスを検出する方法を提供する。
【解決手段】集積回路１６０の領域から放出画像（ＩＲＥＭ）を取得するステップと、集積回路の前記領域に存在する各デバイスからの放出の決定強度を提供するために、強度の値を決定するステップと、各デバイスに対応する参照強度を取得するステップと、強度が参照強度に対して描画され、曲線適合計算が実行されて計算強度と参照強度との直線関係が取得され、最大偏差が、標準偏差計算のような計算によるか、ユーザによる手動入力によって、各決定強度を対応する参照強度と比較するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの電気的特性評価方法及び電子デバイスの電気的特性評価装置に関し、実電子デバイスの電気特性を高精度でモニタリングするとともに、実測したモニタリング結果から抽出した物性値を用いて理論計算を行って精度の高いキャリア分布を取得する方法の提供。
【解決手段】電子デバイス試料の電気的物性値を測定する測定工程と、前記電子デバイス試料の歪み分布及び元素分布を数値的に畳み込んだ電気抵抗モデルを用いて、前記電子デバイス試料の電気的物性値を計算する計算工程と、前記測定工程で取得した実測値と前記計算工程で取得した計算値を照合して、前記実測値との差分が最小になるまで畳み込みの度合いを変化させて反復計算を続ける反復計算工程とを用いて前記電子デバイス試料のキャリア分布を取得する。 （もっと読む）

【課題】 基盤電流値を用いてコンタクトホール底、ビアホール底のプロセス状態の定量評価を実施する際に、ホール底以外の影響を最小限に抑制し、ホール底のプロセス状態を評価できるコンタクトホール界面評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明のコンタクトホール界面評価方法は、電子ビームＥＢをウェハ基板ＷＥＨのコンタクトホールＣＯＮＨに照射して、ウェハ基板ＷＥＨに吸収される吸収電流値をウェハ基板電流値ＩＡＣとして測定することによってコンタクトホール界面ＣＯＮＨＤを評価するものであり、電子ビームＥＢの照射により測定されるウェハ基板電流値ＩＡＣがウェハ基板ＷＥＨの帯電状態や微妙な表面状態の影響を受けることを避けるために、任意のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣを基準にして、それ以外の複数のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣとの差分を求め、コンタクトホール界面を評価する。 （もっと読む）

【課題】標準データの取得が容易な欠陥解析装置，および欠陥解析方法を提供する。
【解決手段】欠陥解析装置は，半導体ウエハへの所定の処理に対応する処理パターンの情報を含むデータを記憶する記憶部と，複数の標本箇所それぞれでの前記処理パターンの特徴を抽出する第１の抽出部と，前記複数の標本箇所における，特徴と頻度の第１の対応関係を導出する第１の導出部と，半導体ウエハから検出された，複数の欠陥箇所それぞれでの前記処理パターンの特徴を抽出する第２の抽出部と，前記複数の欠陥箇所における，特徴と頻度の第２の対応関係を導出する第２の導出部と，前記第１，第２の対応関係に基づき，標本箇所と欠陥箇所とで，頻度が乖離する特徴を検出する検出部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】精度高く基板の検査を行うことができる基板検査方法を提供すること。
【解決手段】３次元のワールド座標系における座標が既知である基準点を含む治具を撮像カメラにより撮像し、撮像素子のピクセル群により特定される画像座標系上の前記基準点の座標を取得する。そして、その基準点の座標を撮像カメラに設定されたカメラ座標系の座標へと変換し、ワールド座標系とカメラ座標系との変換パラメータを演算により求める。そして、その変換パラメータを用いて、被検査基板を撮像して得られるピクセル座標系上の画像データをワールド座標系上の画像データへと変換して検査を行う。このワールド座標系における被検査基板の画像は、撮像手段の位置及び姿勢による歪みが抑えられているので、被検査基板の検査精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の集積回路に多数形成されたコンタクトホール（孔）の形状ばらつきを、正確にかつ、高速に評価可能な半導体装置用パターン検査装置を実現する方法の提供。
【解決手段】ＳＥＭ画像検出部１．３６で検出されたパターン画像は多数のコンタクトホールが形成された基板のパターン画像である。ＳＥＭ画像検出部１．３６からパターン画像がコントラスト算出部１．２３に供給されパターン画像全体の濃淡コントラストを算出する。算出したコントラストはバラツキ算出判定部１．２４に供給され、多数のコンタクトホールの形状バラツキを算出し、数値化する。バラツキ算出判定部１．２４は数値化したバラツキが所定範囲内か否かをデータベース１．１７に記憶された基準値と比較して判定し、所定範囲外であれば停止信号を出力すると共にその旨を表示装置１．２７に表示させる。 （もっと読む）

【課題】
従来の照射光学系では、照射光学系の状態確認用にカメラを搭載しているが、明るさや光軸のモニタとして使用されているに留まり、装置の異常や定期メンテナンスなどの調整時に使用されていた。本発明では、複数のカメラで照射光学系の状態をモニタリングし、装置にフィードバックすることで、環境の変動に影響を受けない安定した照射光学系、および検査装置を提供することができる。また、部品交換などのメンテナンス時間の短縮を可能とすることを目的とする。
【解決手段】
複数台の撮像装置を設置し、それらの画像を解析することができる計算処理部を有し、計算結果より照射光学系にフィードバックすることができる調整機構を搭載していることを特徴とする検査装置。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置製造プロセスで形成されるパターンの検査前に実行されるプリチャージの最適な条件を簡易に設定できるようにし、プリチャージの良否を自動判定し、その後の動作にフィードバックするようにして、検査結果の信頼性の低下を防ぎ、常に安定した検査ができるようにする。
【解決手段】
電子ビームを照射する前に、電子ビームを発生させる電子源とは別の第二の電子源から電子を発生させて基板の表面に帯電を形成させる帯電形成手段と、該帯電形成手段により基板の表面に帯電が形成された状態で、基板に流れる電流の値を計測する電流計測手段と、該電流計測手段により計測された電流の値が予め定められた目標値になるように帯電形成手段により形成される帯電を調整する調整手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】プローブとウェハの接触を均一化して抵抗率の測定精度を向上する４探針抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を検出する４探針プローブと、４探針プローブを鉛直方向に駆動する駆動部と、４探針プローブの鉛直方向の位置情報を検出する検出部と、ウェハを載置するためのステージを回転する回転駆動部と、ステージの回転角を検出する角度検出部と、駆動部、回転駆動部、検出部及び角度検出部を用いて、ウェハ上の複数箇所において４探針プローブがウェハに接触する鉛直方向の位置情報を検出して記憶し、ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する際に、記憶した複数の位置情報に基いて４探針プローブの鉛直方向の位置を補正した後に測定する制御部をもつ４探針抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上における同層のショット間の位置の合わせずれ量を高精度で測定及び検出できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第１の露光でパターニングされる少なくとも１つのチップ領域１の周縁部に、第２の露光によって二重露光されてなり、第１の露光及び第２の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子５ａｂを有している。検査用評価素子５ａｂは、第１の露光によって形成される第１の配線パターン５ａと、第２の露光によって形成される第２の配線パターン５ｂとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】ベースユニットとプローブカードの誤接続を防止することが可能な半導体試験装置、プローバおよびヘッド旋回装置を実現する。
【解決手段】テストヘッドに実装されたベースユニットをプローバに実装されたプローブカードに接続してＤＵＴの試験を行う半導体試験装置において、ベースユニットに設けられ、プローブカードに付与された識別マークを検出する非接触センサと、非接触センサの検出結果に基づいて、プローブカードへの接続の可否を判定する判定部とを設ける。 （もっと読む）