【課題】効率的に検査領域を設定することが可能な半導体装置の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ＮｏｎパターンＤｉｅ１０及びパターンＤｉｅ１１を比較して第１の仮パターンを取得し、第１の仮パターン第１の微細部分の集合とし、第１の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第１の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第１の微細部分を抽出し、抽出された第１の微細部分から第１のエッジ領域を規定し、ＮｏｎパターンＤｉｅ及びパターンＤｉｅを９０度回転させて比較して第２の仮パターンを抽出し、第２の仮パターンを第２の微細部分の集合とし、第２の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第２の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第２の微細部分を抽出し、抽出された第２の微細部分から第２のエッジ領域を規定し、第１及び第２のエッジ領域に囲まれている領域を検査領域として導出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分を拡大するなどして詳細に検査するときに、記録した参照画像の再利用率があがるように欠陥検出の処理手順などを改良することで、検出率を下げずに短時間に効率よく欠陥を観察することができるようにする。
【解決手段】欠陥画像と記録した参照画像を比較して欠陥を抽出できなかった場合に、新たに参照画像を撮像すること、複数の記録した参照画像やこれらを組み合わせて生成した参照画像と比較したり、異なる倍率の画像の倍率が同じになるように画像処理をしたり、機差による画像の視野を補正すること、記録した参照画像に対して、優先順やスクリーニングによる評価を行うことなどを特徴とする試料の観察方法とした。 （もっと読む）

【課題】ウエハまたはチップからなる基体が積層されている場合に、積層された基体と基体との間の接触部の接続抵抗値を容易に精度良く予測する予測方法を提供する。
【解決手段】面接触部における第１接続部と第２接続部との接触面積（被接触面積Ｓ_１）を算出する工程と、第１接続部と同じ抵抗率を有する第１基準接続部を有する基準値設定用第１基体と、第２接続部と同じ抵抗率を有する第２基準接続部を有する基準値設定用第２基体とを積層し、第１基準接続部と第２基準接続部とを面接触させて形成した基準面接触部における第１基準接続部と第２基準接続部との接触面積（基準接触面積Ｓ_０）を算出する工程と、基準面接触部の接続抵抗値（基準接続抵抗値Ｒ_０）を得る工程と、Ｒ＝Ｒ_０｛１／（S_１／S_０）｝（式１）を用いて面接触部の接続抵抗値Ｒを算出する工程とを備える接続抵抗値の予測方法とする。 （もっと読む）

【課題】
撮像する度に発生する異なる歪を算出し、画像毎に異なる歪補正をすることによって、高感度での欠陥検出を可能とし、かつ、歪の無い検査画像を出力する。
【解決手段】
検査画像をビーム走査方向に長い小領域に分割し，領域毎に参照画像と位置合せを行い，検査画像と参照画像の歪状態を補正し、歪補正した検査画像と参照画像の差分を演算して欠陥を検出し、欠陥箇所の歪補正した検査画像と参照画像とをＧＵＩ上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の発光解析により半導体装置の故障箇所を精度よく検出可能な発光解析装置および発光解析方法を提供する。
【解決手段】発光解析システムは、制御部１と、画像取得部２と、画像記憶部３と、座標合わせ部４と、比較部５と、駆動装置６と、発光検出器７と、画像表示部８と、を備えている。終了テストパターンアドレスを変化させながら複数の合成発光積分画像を取得し、終了テストパターンアドレスが小さい順、すなわち開始テストパターンアドレスに近い終了テストパターンアドレスから順に良品および不良品半導体装置の合成発光積分画像の比較を行う。そのため、不良品半導体装置における異常な発光が生じる頻度が小さい場合や、良品半導体装置との発光の差異がタイミングの差異のみである場合でも、合成発光積分画像の差異を検出でき、故障箇所を特定できる。 （もっと読む）

【課題】不具合箇所を容易に特定することのできる半導体装置の解析装置及び解析方法の提供。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した２次電子強度に応じた２次電子像を表示する機能を備える。解析対象の半導体装置に対し、第１の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。次に、前記解析対象の半導体装置の電荷の蓄積状態を観測する。電荷の蓄積状態が正常でない箇所を、半導体装置の不具合箇所として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの内部欠陥及び表裏面の欠陥検査を簡素化することにある。
【解決手段】光源と撮像器と光学系を備える２組の光源・撮像ユニット４、５をウェーハ１を挟んで対向して配置し、光源・撮像ユニット４、５の少なくとも一方からウェーハ１に赤外光を照射してウェーハ１からの透過光を受光してウェーハ１の透過画像を撮像する第１撮像工程と、光源・撮像ユニット４、５からウェーハ１に赤外光又は可視光を照射してウェーハ１からの反射光を受光してウェーハ両面の反射画像をそれぞれ撮像する第２撮像工程と、透過画像と両面の反射画像に基づいてウェーハ１の欠陥を抽出する抽出工程を有し、ウェーハの内部欠陥と表裏面の欠陥を同一時に検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層パターンに対してテンプレート・マッチングを短時間で且つ正確に行うことができる画像処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】上層パターンと下層パターンをそれぞれSEM画像の間でパターン・マッチングを行ない、上層相関マップと下層相関マップを生成する。上層相関マップと下層相関マップを合成して合成相関マップを生成する。合成相関マップより、相関値が極大値を取る点を、マッチング位置とする。このような予備マッチングの結果を利用して、再度、高精度マッチングを行う。高精度マッチングでは、上層パターンと下層パターンを合成し、合成画像を生成する。この合成画像は層間ズレ情報が含まれている。この層間ズレ付き合成画像とＳＥＭ画像の間でテンプレート・マッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】プローブカードにおける導通試験の結果に基づきプローブカードの交換時期を的確に知ることのできるプローブカードの検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハに形成されたチップ領域における電気的な試験を行うための半導体検査装置に取り付けられたプローブカードの検査方法において、前記チップ領域における電極端子と、前記プローブカードのプローブ針とを接触させて、前記チップ領域に電流を流し電圧値を計測する導通試験工程と、前記計測された電圧値の標準偏差を算出する算出工程と、前記標準偏差の値が所定の範囲内であるか否かを判断する判断工程と、を有し、前記標準偏差の値が所定の範囲を超える場合には、前記プローブカードに設けられた表示部において、前記半導体検査装置に取り付けられた前記プローブカードを新しいプローブカードと交換する旨を知らせることを特徴とするプローブカードの検査方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】大規模な半導体集積回路（ＤＭＡ−ＴＥＧ等）における不良トランジスタの検出と、不良トランジスタのトランジスタ特性の測定を高速で行うことができる、半導体集積回路評価方法を提供する
【解決手段】本発明の半導体集積回路評価方法においては、評価セルアレイ中の被評価トランジスタの閾値Ｖｔｈの電圧が、閾値Ｖｔｈ電圧の正規分布曲線に対して、５σ（σは標準偏差）以内の分布から外れたものを選別する。そして、閾値Ｖｔｈの電圧が５σ（σは標準偏差）以内の分布から外れた被評価トランジスタに対して、トランジスタ特性の測定を行う。 （もっと読む）

【課題】大規模な半導体装置において構成されたトランジスタの特性の評価に要する時間を短縮し、個々のトランジスタの特性を測定することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧と基準電圧との大小関係を比較する複数のトランジスタを有し、２つの出力端子から比較結果を出力するペアトランジスタを備えた評価セルをｍ行ｎ列に配置した評価セルアレイと、評価セルアレイから１つの評価セルを選択し、該評価セルの出力を増幅回路に入力させる評価セル選択部と、評価セル選択部が選択した評価セルの２つの出力端子の電位差を増幅する増幅回路と、評価セル選択部が選択した評価セルが有するトランジスタのドレイン、ソース及びゲートそれぞれに接続された複数の外部端子とを具備する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を生じさせる原因となる装置を容易に特定することができる基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板２１を処理する複数の設備１〜８のそれぞれについて基板２１の搬出時の第１のノッチ方向を設備１〜８に関連づけてデータ化して記憶部１３に記憶する工程と、複数の設備１〜８の少なくとも一部により処理された処理基板２１に発生した傷のパターンと処理基板２１の第２のノッチ方向を検出する工程と、処理基板２１の第２のノッチ方向と基板の第１のノッチ方向を照合し、同じ方向を有する設備１〜８を傷発生源と特定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 自動分類の信用性を高めるために調整をしなければならない対象を容易に特定することのできる技術を提供すること。
【解決手段】 分類調整装置１４０は、電子顕微鏡１１０から得られた画像データよりより得られる欠陥の特徴量より、当該欠陥を第一のクラス群に分類し、当該第一のクラス群に分類された前記欠陥の前記特徴量より、前記欠陥を第二のクラス群に分類する。そして、前記第二のクラス群に分類された欠陥と、第二のクラス群に分類されるべき欠陥と、を比較することにより分類性能を算出し、算出した分類性能を予め定められた表示形式にして出力部１８０に出力する。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されたパターンの欠陥を高精度で検出できる検査領域の設定を簡単に実行する。
【解決手段】半導体集積回路のダイの設計レイアウト図における複数のサンプリング位置からパターンを抽出するパターン抽出ステップ（ステップＳ２）と、前記抽出されたパターンを図形的特徴の一致度に基づいて前記抽出されたパターン数よりも少ない複数種類に分類するパターン分類ステップ（ステップＳ３）と、前記ダイの大きさよりも小さい候補領域を定め、前記定めた候補領域のうちの前記パターン分類ステップにより分類されたパターンの種類を最も多く含む候補領域を欠陥検査を実行する検査領域に設定する空間探索・空間探索・検査領域設定ステップ（ステップＳ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像を記憶するメモリのオーバフローが発生した場合でも基板の全面についての欠陥分布を早期に得ることができる基板の検査装置、および、基板の検査装置における基板の欠陥分布を得る方法を提供する。
【解決手段】基板の画像を取得し、画像比較により差のある画素を抽出し、該画素の信号量が予め設定された閾値を超えた場合に欠陥候補と判定し、欠陥候補の代表画素の座標を記憶装置へ記憶し、記憶装置の容量がオーバフローした場合、またはオーバフローの前に、閾値の値を変更して欠陥候補の判定を継続し、基板の欠陥分布をディスプレイへ表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の欠陥検査において検査スループット向上させ、検査時間を短縮する。
【解決手段】レチクル情報を蓄積するレチクル情報データベース２６と、欠陥検査結果を蓄積する検査結果データベース２７と、欠陥検査結果から異常判定規格を算出する規格算出部２４と、算出された異常判定規格と欠陥検査結果とを照合して異常判定規格を上回る欠陥多発異常の検知件数を算出する規格異常検知件数算出部２３と、検査条件から検査に要する時間を算出する検査時間算出部２１と、単位時間当たりの異常検知件数を算出する異常検知能力算出部２８と、半導体基板表面内で偏分布する分布異常を任意の検知率以上で検知できる間引き率を算出する分布異常検知限界間引き率算出部２５と、単位検査時間当たりの異常検知件数が最大となる検査領域を自動で設定して、検査エリアを決定する検査エリア算出部２２などを具備している。 （もっと読む）

【課題】高感度の欠陥検出が可能となるように最適な撮像条件と閾値を簡単に決定する
ことができる欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】先ず、複数の撮像条件に基づいて、欠陥を含むパターンのシミュレーション画像と欠陥を含まないパターンのシミュレーション画像を生成し、次に、複数の撮像条件毎に両者の差分信号を計算し、最後に、複数の撮像条件毎に差分信号を表示装置に表示する。予想される複数の致命欠陥について、シミュレーション画像の差分信号を計算し、欠陥毎に差分信号を表示する。 （もっと読む）

【課題】被検査試料の外周部と中心部とで帯電特性が異なることから、被検査試料外周部と中心部とで同等の検査感度を得ることができない。
【解決手段】被検査試料を載置する試料ホルダの外周部に試料カバーを設け、被検査試料の帯電特性にあわせて試料カバーの帯電特性を変更する。これにより、試料外周部と中心部とで均質な帯電状態を形成でき、試料外周部の検査・観察が従来よりも高感度に実現可能となる。 （もっと読む）

設計データおよび欠陥データを使用して複数のスキャナを適合化させるシステムおよび方法が説明される。黄金ウェハは、黄金ツールを使用して処理される。第２のウェハは、第２のツールを使用して処理される。両方のツールとも、焦点／露光の調節を提供する。両方のウェハのための重大な構造体のウェハレベル空間シグナチャは、スキャナの挙動を評価するために比較できる。重大な構造体は、類似するパターンを有する黄金ウェハ上の欠陥をビニングすることによって識別できる。一実施形態では、シグナチャは特定の割合の中で一致しなければならないか、または第２のツールが「不一致」として特徴付けられる。レチクルは同様に比較することができ、黄金ウェハおよび第２のウェハが、それぞれ黄金レチクルおよび第２のレチクルを使用して処理される。 （もっと読む）