【課題】
半導体製造工程で発生した欠陥の特性を正確に推定することのできる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】
先ず、構成が既知の欠陥部を有する参照試料を用いて、電位コントラストと、前記欠陥部の電気特性との対応関係（第１の検量線）を求める(S120-S125)。また、被検査ウエハにおける正常部の電気特性を測定する。次に、被検査ウエハの正常部の電気特性と先の第１の検量線に基づいて、被検査ウエハが有する正常部に、構成が既知の欠陥を付加して、被検査ウエハにおける欠陥部の電位コントラストと電気特性との関係（第２の検量線）を算出する(S126-S131)。欠陥部の電位コントラストを実測することにより、第２の検量線を用いて被検査ウエハに実際に含まれる欠陥部の電気特性を推定することができる(S132-S133)。 （もっと読む）

【課題】高感度の欠陥検出が可能となるように最適な撮像条件と閾値を簡単に決定する
ことができる欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】先ず、複数の撮像条件に基づいて、欠陥を含むパターンのシミュレーション画像と欠陥を含まないパターンのシミュレーション画像を生成し、次に、複数の撮像条件毎に両者の差分信号を計算し、最後に、複数の撮像条件毎に差分信号を表示装置に表示する。予想される複数の致命欠陥について、シミュレーション画像の差分信号を計算し、欠陥毎に差分信号を表示する。 （もっと読む）

【課題】微小な欠陥であっても適切に撮影することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法を提供する。
【解決手段】基板の半導体素子が形成される素子形成面の裏側に位置する目盛形成面に物理目盛を形成する（Ｓ１）。前記物理目盛を用いて欠陥検査装置内での第１の座標系を作成する（Ｓ３）。前記欠陥検査装置により前記素子形成面に存在する欠陥を検出する（Ｓ４）。前記第１の座標系における前記欠陥の位置を示す欠陥位置座標を特定する（Ｓ５）。前記物理目盛を用いて欠陥撮影装置内での第２の座標系を作成する（Ｓ７）。前記欠陥撮影装置により前記素子形成面の前記第２の座標系上における前記欠陥位置座標を含む領域の撮影を行う（Ｓ８、Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査で発見された半導体ウエハの欠陥の分布パターンと、電気的試験で発見された不良半導体チップの分布パターンとの間の相関関係を、極めて高い確度をもって、より高精度に短時間に行う。
【解決手段】半導体ウエハの複数の半導体チップに電気的試験を行い、電気的試験で発見された不良の半導体チップの第１座標データと、半導体チップについて条件を変えて測定した回路特性値を統計処理して取得した半導体チップの第３座標データとを照合して両者の相関の有無を判定し、第３座標データと相関が無いと判定された第１座標データと、半導体チップの欠陥検査で発見された欠陥の半導体チップの第２座標データとを照合して、両者の相関の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをＴＤＤＢ寿命によって分別できるようにする。
【解決手段】信頼性基準記憶部２１０は、第１配線層と、第１配線層の上に位置する第２配線層の重ね合わせ誤差の大きさに基づいて、半導体装置を３つ以上の信頼性ランクに分けるための基準データを記憶する。誤差記憶部２３０は、複数の半導体チップ１２が切り出される半導体ウェハ１０の面内の複数点で測定された重ね合わせ誤差を記憶する。誤差算出部２４０は、半導体ウェハ１０の面内における複数の半導体チップ１２の座標、及び誤差記憶部２３０が記憶している重ね合わせ誤差に基づいて、複数の半導体チップ１２別に重ね合わせ誤差を算出する。信頼性情報付与部２５０は、複数の半導体チップ１２別の重ね合わせ誤差と基準データに基づいて、複数の半導体チップ１２それぞれに信頼性ランクを示す信頼性情報を付与する。 （もっと読む）

【課題】メタル配線の断線を検査することが可能な半導体解析装置を提供する。
【解決手段】検査対象である半導体装置に電圧を印加するための電源部と、レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を前記半導体装置に走査しながら照射する光学系と、前記絶縁膜を介し前記半導体装置に設置された検出電極と、を有し、前記検出電極は前記半導体装置の配線と容量的に結合されており、前記レーザ光を走査しながら照射することのより得られる前記検出電極により検出される信号に基づき、前記半導体装置の故障部分を解析することを特徴とする半導体解析装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系１，４と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部７と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極５と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ１３と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器１４とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路１５と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】裏面から撮影した画像と設計像とを簡便に重ね合わせ表示する。歪を持った撮影像の歪を簡便に補正し、設計像と位置をあわせ、重ね合わせ表示する。
【解決手段】撮影像の歪を補正する歪補正工程（ステップＳ２）と、設計像と撮影像の位置を合わせるアライメント工程（ステップＳ３）と、設計像と撮影像とを重ねて表示する表示工程（ステップＳ１）と、を含み、歪補正工程は、設計像において垂直軸または水平軸と平行な第１軸が撮影像で垂直軸または水平軸と平行になるように撮影像を回転させる第１の歪補正工程と、設計像において第１軸と平行な第２軸が撮影像で指定され、撮影像上で第２軸中の１点を固定して第１軸で２分した領域のうち第２軸側の領域を第１軸と直交する方向に第１軸からの距離に比例して移動させる第２の歪補正工程を含む。 （もっと読む）

【解決手段】時間的に変化する分類性能の監視のためのシステムおよび方法が開示される。方法は、１つまたは複数の走査型検査ツールからの１つまたは複数の標本の１つまたは複数の特性の指標となる、１つまたは複数の信号を受信することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記１つまたは複数の信号に、１つまたは複数の分類規則を適用して、前記１つまたは複数の標本における１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、前記１つまたは複数の走査型検査ツールから受信した１つまたは複数の信号に適用される１つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記１つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記１つまたは複数の標本における前記１つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の１つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ・デバイスの製造工程においては、いわゆるＯＮＯ膜の膜厚を分光エリプソメトリにより、各層の膜厚を計測している。しかし、デバイスの微細化に伴いウエハ内の膜厚ばらつきが増加して、管理範囲内に収まらないという問題が発生している。本願発明者が検討したところによると、このようなばらつきの増加の主要な要因は、プロセスのばらつきではなく、分光エリプソメトリの多層膜間の膜厚分離性の不足によることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、不揮発性メモリ・セルを構成するＯＮＯ絶縁膜の膜厚等を分光エリプソメトリにより、計測/解析するに際して、下層酸化シリコン膜と上層酸化シリコン膜の合成膜厚（両膜厚の和）を取得して、それから、あらかじめ単層のときに計測しておいた下層酸化シリコン膜の膜厚を差し引くことにより、上層酸化シリコン膜の膜厚を取得するものである。 （もっと読む）

【課題】下層パターンを上面パターン上から判別できない場合であっても、上下層の位置関係を高精度に測定可能なパターン検査方法を提供すること。
【解決手段】下層側の実パターンを撮像した下層画像パターンと下層設計パターンとの間の位置ずれ量を下層データとして下層のパターン毎に算出し、上層側の実パターンと下層側の実パターンとの間の所定範囲内でのグローバルな合わせずれ量を算出し、下層設計パターンと上層設計パターンとの間の位置関係を、グローバルな合わせずれ量に応じた位置関係に補正するとともに下層のパターン毎に下層データに応じた位置関係に補正し、補正された下層設計パターンの位置と上層側の実パターンを撮像した上層画像パターンの位置との間の合わせずれ量を上下層間の合わせずれ量として算出する算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＪＩＴモデリングによる予測特性に異常が発生した場合でも異常原因を特定できる。
【解決手段】異常過去データ抽出部５は、記憶部４の過去データに関して、異常製造品の運転データとの距離が設定距離以下の過去データを、異常過去データとして抽出する。正常過去データ抽出部６は、上記異常過去データが処理装置９で処理された時刻から所定の時間範囲内に処理された運転データと良品と判定された特性データとの対を、正常過去データとして抽出する。モデル作成部７は、上記正常過去データに基づいて、原因解析用モデルを作成する。解析部８は、異常特性と判定された製造品について、異常原因を、上記原因解析用モデルに基づく変数毎の寄与率によって特定する。こうすることにより、ＪＩＴモデリングによる特性予測の場合でも、正常過去データをよく説明できる原因解析用モデルに基づいて、運転データの中から異常の原因となった運転データを特定できる。 （もっと読む）

【課題】極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量化が容易に行える測定方法と装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビュー装置などで取得された欠陥画像と設計データに基づくレイアウト画像とのマッチング処理の効率向上を図る。
【解決手段】欠陥画像処理装置は、設計データから得られるレイアウト画像５２と、欠陥画像５３から欠陥領域部分を除去した画像と、を正規化相互相関により画像マッチングし、そのマッチング結果として、レイアウト画像＆欠陥画像５４を表示装置に表示する。このとき、レイアウト画像＆欠陥画像５４には、欠陥画像５３と同じレイヤのレイアウト画像だけでなく、他のレイヤのレイアウト画像が欠陥画像５３に重ね合わせて表示される。従って、他のレイヤとの位置関係で発生するシステマティック欠陥の要因解析が容易になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターンを製造するために使用するデータの情報を使ったパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段１１と、前記データから領域検査に使用する基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段７と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段１２と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段１２とを備え、前記検査手段は、前記検査対象パターン画像のエッジと前記領域検査に使用する基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの測定エラーの要因で、装置の稼動状況に最も負荷を与えている修正すべきレシピの順位付けと測定エラーのシーケンス検知を容易に視覚的に判断できるエラー要因抽出の表示方法及びその表示システムを提供することにある。
【解決手段】ビジュアル情報管理部１１０は、測長ＳＥＭから取り込んだログ情報等から、エラー率分布やエラー内訳グラフ、相関グラフなどのエラー要因抽出グラフを作成する。ビジュアル情報制御手段１１８のグラフ表示処理部１１８Ａは、エラー率算出処理部１１８Ｂによって求めた総処理数におけるロット或いは測定点エラー率からエラー率分布を作成する。強調表示処理部１１８Ｃは、入力手段１２０のパラメータで指定された管理レシピをグラフ上に強調表示する。等高線表示処理部１１８Ｄは、グラフ上でエラー数の面内分布を等高線で表示する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの膜厚の変動に起因する欠陥をＳＯＩウェーハ表面異物に影響されることなく、感度良く、低コストで検査することができるＳＯＩウェーハ検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検査対象のＳＯＩウェーハと、検査対象のＳＯＩウェーハよりＳＯＩ層の膜厚が所定厚ｔ［ｎｍ］だけ薄い、又は厚い膜厚のＳＯＩウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルＰ１、Ｐ２を算出し、両者の差のプロファイルＰ３、又は変化率のプロファイルＰ４を算出し、該算出したプロファイルＰ３又はＰ４内の最大ピーク波長λ_Ｍに基づいて選択した波長λ又は波長帯の光を検査対象のＳＯＩウェーハの表面に照射し、該ＳＯＩウェーハからの反射光を検出し、その検出した反射光の反射強度が増加してピークとなる箇所をＳＯＩ層膜厚の変動に起因する欠陥として検知することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）