【課題】フォーカス位置がずれた画像であっても作業時間を増大させることなく検査を行なうことができる画像処理装置、検査装置、画像処理方法および画像処理プログラムを提供すること。
【解決手段】所定のパターンを有する基準画像、前記パターンを有する取得画像および基準画像のコントラスト比とフォーカス位置からのずれ量との関係を示すコントラスト特性、およびコントラスト比から算出される取得画像のずれ量と取得画像の復元を行なう際に用いるパラメータである復元係数との関係を示す復元特性を記憶する記憶部と、基準画像と取得画像とのコントラスト比を算出し、コントラスト比が閾値を超えたか否かを判定する判定部と、コントラスト比が閾値未満であると判定された場合、コントラスト特性からずれ量を求め、ずれ量から復元特性をもとに復元係数を取得して取得画像の復元処理を行なう復元処理部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際に、該貼り合わせウェーハに存在するボイドを検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】２枚のウェーハを貼り合わせ、接合して貼り合わせウェーハを製造するに当たり、貼り合わせ過程における接合部と非接合部との境界が描く伝播形状に基づいて、当該貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドを検出し、貼り合わせ後のウェーハにおけるボイドの有無は、実際にボイドの発生のないウェーハにおける前記伝播形状と当該貼り合わせ後のウェーハにおける伝播形状との対比にて判定し、該貼り合わせ境界の形状を二次曲線で近似して該二次曲線の頂点での曲率を求め、得られた曲率と貼り合わせ境界の位置毎に予め求められたボイドが発生しない場合の曲率とを比較して誤差を求め、得られた誤差が所定の値を超える場合には、貼り合わせウェーハにボイドが存在すると判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）

【課題】加工起因欠陥をより高感度に検出することが可能な単結晶シリコンウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。本発明によれば、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施していることから、結晶欠陥については突起（凸型の欠陥）として顕在化し、加工起因欠陥についてはピット（凹型の欠陥）として顕在化する。このため、ピットの個数を計測することにより、加工起因欠陥だけを正しく検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する評価方法において、長期間安定して使用可能な標準試料を用いて信頼性の高い評価を行う手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する半導体ウェーハの評価方法。表面にレーザー痕（群）が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕（群）を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査に適したウェーハの画像を効率よく取得できるようにする。
【解決手段】受光部２により撮像された検査対象のウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあるか否かを判定し、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にないと判定した場合に、ウェーハＷを撮像する際の露光時間を変更して、受光部２によりウェーハＷの画像を再度取得させる制御処理部６ａと、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあると判定された場合に、当該ウェーハＷの画像に基づいて欠陥検査を行う画像処理部６ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの画像から適切に欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】画像中のウェーハＷの検査対象の領域内の各画素について、所定の直線方向に並ぶ複数の画素中の当該画素を含む所定の範囲内の複数の画素の輝度を平均した移動平均輝度を算出し、各画素における移動平均輝度と、各画素の輝度との差分値を算出し、各画素についての差分値と、閾値とを比較することにより、各画素が欠陥候補画素であるか否かを判定し、欠陥候補画素に基づいて、ウェーハにおける欠陥を検査する画像処理部６ｂを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】被判定データ群のいずれかのデータ点を第１代表点とする。第１代表点を基準点とし、基準点を通って各データ点へ向かうデータ点方向のうち、選定用方向に対してその方向から見て時計回りでなす角度が最小のデータ点方向に対応するデータ点を第２代表点とする。直前に選定された代表点を次の基準点とし、次の基準点を通って各データ点へ向かうデータ点方向のうち、次の基準点を通り、直前代表点の選定で用いられた基準点へ向かう方向に対してその方向から見て時計回りでなす角度が最小のデータ点方向に対応するデータ点を次の代表点とする処理を繰り返す。代表点が線で連結されてなる分布代表点領域と判定領域とが重なる重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。
【解決手段】鉄濃度既知のボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペアの乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求めること、求められたΔＰＬと既知の鉄濃度とに基づき、（ΔＰＬ）²と鉄濃度との相関関係を示す一次関数を求めること、測定対象であるボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペア乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求め、上記求められた一次関数により鉄濃度を算出すること、を含む、ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】画像内に含まれる目的の対象物を検出する速度を向上させる。
【解決手段】標準パターンの領域を、任意の点である領域分割中心点から放射線状に２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある標準パターン画素位置を標準パターン代表点として選定する。被判定パターンの領域を、標準パターン代表点選定ステップと同じ条件で領域分割中心点を用いて２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある被判定パターン画素位置を被判定パターン代表点として選定する。対応する分割領域における標準パターン代表点の座標と被判定パターン代表点の座標の位置的差異を求め、すべての分割領域において位置的差異が予め定められた範囲内であるときに被判定パターンは目的の対象物であると判定する。 （もっと読む）

【課題】マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。
【解決手段】検査対象を撮像して光学画像を得る。また、パターンの設計データから参照画像を作成する。１つ以上のテンプレートと、検査に必要なパラメータセットとを備えた検査レシピを用意する。パターンとテンプレートを照合して、テンプレートに対応する参照画像を選択する。選択した参照画像について、任意の座標を基準としてパラメータセットにしたがい第１のエッジと第２のエッジを検出する。選択した参照画像に対応する光学画像について、第１のエッジに対応するエッジと、第２のエッジに対応するエッジとを検出する。光学画像と参照画像との差または光学画像で検出したエッジ間の線幅を測定することにより、光学画像と参照画像との線幅の差から検査値を求める。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置が出力する欠陥候補の座標誤差が大きいと、レビュー装置上で欠陥候補の座標に移動しても視野内に欠陥が見つからない場合がある。移動した座標に欠陥が存在しない場合、周辺に移動して欠陥を探索したり、虚報として判定して見逃す場合がある。本発明の目的は、レビュー時の欠陥探索にかかる作業を軽減させるために、検査装置において、欠陥候補の座標誤差のばらつきを抑制することにより、欠陥候補の座標精度を向上したパターン付き半導体ウエハの検査装置を提供することである。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明では、定点観測位置設定処理により半導体ウエハ上で基準となるパターンを選定し、定点画像切出し処理で当該基準パターンと同じ座標の定点画像を切出して、欠陥座標補正処理により、それらの画像間のずれ量を算出して、各ずれ量で欠陥候補の座標データを補正する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハから得られる複数のメインチップにおいて、メインチップ毎のＯＮ電圧のバラツキを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。半導体ウェハ１０の表面全体に電子線等を照射する。ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２の中に再結合中心を形成する。測定装置１５によりトランジスタ２のＯＮ電圧を測定しつつ、ＩＧＢＴ素子１およびトランジスタ２において規定されたライフタイムを所定のアニール処理を施すことにより回復させる。ライフタイムが回復しているとき、制御装置１６は、ＩＧＢＴ素子１のＯＮ電圧がそれぞれ所定のＯＮ電圧となるように、測定されたトランジスタ２のＯＮ電圧に基づいてアニール処理におけるアニール処理量を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのテスト時間を短縮可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０ａ，１０ｂに、パッドとを有し、且つパッドが半導体チップ１１ａ，１１ｂの主面に形成されたパッド１６ａ，１６ｂと半導体チップの主面と相対向する半導体ウエハの主面に形成されてパッドと電気的接続されたパッド１７ａ，１７ｂとを有するテスト回路を内蔵した半導体チップを複数、形成する工程と、複数の半導体ウエハを、隣接する半導体ウエハにおける半導体チップの入力パッドの各々を互いに接触させて検査装置４０のステージ上に載置する工程と、載置された複数の半導体ウエハのうち外側の半導体ウエハにおける半導体チップのパッドに検査装置４０のプローブ針４３を接触し、半導体チップの各々を一括でテストする工程とを備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】測定対象物及びスライダの損傷を回避して、微小な欠陥を検出することが可能な平滑面検査装置を提供する。
【解決手段】測定対象物３を支持するステージ２６と、ステージ２６を回転させるスピンドル４と、測定対象物３に光を照射する光源５と、測定対象物３からの散乱光を信号化する光検出部８と、散乱光７を第１の欠陥の情報に変換する信号処理部１１と、第１の欠陥の情報を記憶する第１のメモリ部１２とを有する第１のパートと、第１の欠陥よりも小さい第２の欠陥を検出し、接触センサが搭載されたスライダ９と、スライダ９を浮上させるロード・アンロード機構と、第１のメモリ部１２に記憶された第１の欠陥の情報に基づいて、ロード・アンロード機構２２を制御するスライダ制御部１４と、接触センサ信号処理部１６で変換された第２の欠陥の情報を記憶する第２のメモリ部１７とを有する第２のパートとを備える。 （もっと読む）

【課題】単一の電源から複数の半導体主回路部に電源を供給する場合に安定した電源を供給する半導体検査システムを供給する。
【解決手段】半導体検査システムは、半導体装置１１００と、半導体検査装置１２００とを有し、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に配置された複数の半導体回路領域１１２０を有し、半導体回路領域はそれぞれ、半導体検査装置による検査の対象となる半導体主回路部１１２１と、半導体主回路部に供給される電源を検出する検出回路部１１２２と、検出回路部の出力を無線方式で出力する第１の無線回路部１１２４と、を備え、半導体検査装置は、主電源部と、プローブカードとを有し、プローブカードは、主電源部に接続された共通電源配線と、共通電源配線に接続された複数の電源回路部と、電源回路部に接続され、電源回路部を制御する制御回路部と、制御回路部に接続された第２の無線回路部１２２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料の観察画像の回転を精度よく検出することのできる画像処理技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る画像処理装置は、試料の測定箇所を含む広角画像データを介して、測定画像データと基準画像データの間の回転ずれを間接的に補正する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）