【課題】パターン形状の測定精度を向上させた検査装置を提供する。
【解決手段】下地層の上に所定のパターンを有するウェハ５のパターンを検査する検査装置であって、対物レンズ７の瞳面もしくは該瞳面と共役な面における領域毎の光の強度情報を検出する撮像素子１８と、パターンの形状変化に対しては強度情報の変化が異なり、下地層の変化に対しては強度情報の変化が同程度である、瞳面もしくは該瞳面と共役な面内の第１領域と第２領域の位置情報をそれぞれ記憶する記憶部と、撮像素子１８で検出される、第１領域の強度情報と、第２領域の強度情報との差異に基づいてパターンの形状を求める演算処理部２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理部の異常の有無をリアルタイムに判断し、且つ不良品ウェハが多量に生産されることを防止する。
【解決手段】塗布現像処理装置は、ウェハ搬送機構と、欠陥検査部と、ウェハの搬送を制御する搬送制御手段２００と，欠陥の状態に基づいて当該欠陥の分類を行う欠陥分類手段２０３と、処理ユニットによりウェハが処理された際のウェハ搬送機構によるウェハの搬送順路を記憶する記憶手段２０２と、欠陥分類手段２０３により分類された欠陥の種類と、記憶手段２０２に記憶された基板の搬送順路に基づいて、当該分類された欠陥が発生した処理ユニットを特定する欠陥処理特定手段２０４と、欠陥が発生したと特定された処理部の異常の有無を判定する欠陥処理特定手段を有し、搬送制御手段２００は、欠陥処理特定手段２０４により異常と判定された処理ユニットを迂回してウェハを搬送するようにウェハ搬送機構の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】実際のデバイスの絶縁破壊寿命に適合する精度の良いシミュレーションを行って、正確な絶縁膜の絶縁破壊寿命を求めることで、実測データとの対比で欠陥種、欠陥の大きさ等を正確に解析できる絶縁破壊寿命シミュレーション方法及びシリコンウェーハ表面の品質評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】前記シミュレーションする構造における、前記シリコンウェーハと前記絶縁膜の界面及び前記絶縁膜と前記金属電極の界面に、及び／又は、前記絶縁膜中に予め欠陥を組み込み、該欠陥を組み込んだ構造において、前記絶縁膜中に欠陥を乱数にて発生させて前記絶縁膜の絶縁破壊寿命を求める絶縁破壊寿命シミュレーション方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的な接続信頼性を向上させる。
【解決手段】（ａ）半導体基板の主面上に、主導体膜（下地膜）７Ａおよび主導体膜７Ａ上のストッパ絶縁膜（被測定膜）６ｓを積層する工程、（ｂ）ストッパ絶縁膜６ｓに開口部８を形成する工程、を含んでいる。また、（ｃ）開口部８に電子ビーム（励起線）ＥＢを照射して、特性Ｘ線を放出させる工程、および（ｄ）特性Ｘ線を検出し、特性Ｘ線の検出結果に基いて開口部８の底部８Ｂにおけるストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する工程、を含んでいる。また、（ｄ）工程では、特性Ｘ線に含まれる複数の元素成分の比率により、ストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ表面のキズ、結晶欠陥またはパーティクル等を簡便かつ正確に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハの表面欠陥を評価する方法であって、表面欠陥の二次電子像を電子顕微鏡にて取得した後、二値化により二次電子像の輪郭を明確化し、その後明確化した二値化二次電子像の輪郭に外接する四角形を描き、そして前記明確化した二値化二次電子像における前記表面欠陥部分の面積と前記四角形の面積または前記四角形のうち前記表面欠陥部分以外の面積との面積比を求め、面積比により欠陥の種類を分類することを特徴とするウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】露光に起因する欠陥を特定する欠陥検査装置および欠陥特定方法を提供する。
【解決手段】複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置は、複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持し、検出部が、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出すると、特定部は、露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が第１欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、露光領域内で所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が所定閾値を超えると、露光領域のうち、露光領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第２欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する。 （もっと読む）

【課題】危険度の高いシステマティック欠陥を識別することのできる半導体装置の製造方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、一方向に露光量を変化させ、他方向にＦｏｃｕｓ量を変化させた複数の露光領域がマトリックス状に配列されたウェーハを作製する工程（１）と、前記ウェーハの欠陥検査を行なう工程（２）と、前記欠陥検査工程で検出された欠陥について、システマティック欠陥を識別する工程（３）と、識別された前記システマティック欠陥が発生する露光条件に基づいて、前記システマティック欠陥について危険度の順位付けを行なう工程（４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置において、膜厚の違いなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する。
【解決手段】同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、複数の検出系とそれに対応する複数の画像比較処理方式を備えて構成し、又、異なる複数の処理単位で比較画像間の画像信号の階調を変換する手段を備えて構成し、画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】
欠陥密度の差の信頼性を高く維持した状態で、より少ない時間でステマティック欠陥判別を可能にする。
【解決手段】
半導体デバイスの特定レイヤの回路パターンをサンプリングし、このサンプリングされた回路パターンと特定レイヤ以外の１つ以上のレイヤの回路パターンとの重なり方をデザインデータを用いて判定し、その重なり方に応じて分類し、その比率を基準比率として算出し、この特定レイヤを他の検査装置で検査して検出された欠陥位置に対応するデザインデータ上のパターンと特定レイヤ以外のレイヤの欠陥の位置に対応する位置におけるパターンの重なり方を判定し、判定した重なり方を該重なり方に応じて分類し、この分類した比率を検査結果比率として算出し、この算出した基準比率と算出した検査結果比率とを比較し、基準比率と検査結果比率とを比較した結果に基づいてシステマティック欠陥を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】空間フィルタの設定には、オペレータの目視によるスキャン画像の確認と空間フィルタの調整の繰り返し作業が必要とされる。また、設定状態がオペレータに依存する。
【解決手段】散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）を同時に観察すると共に、散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）の各強度プロファイルを同時に監視する。１本の空間フィルタだけを回折光の像の視野範囲でスキャンし、空間フィルタを挿入しない場合の強度プロファイルに対する状態変化を検出する。検出された状態変化に基づいて空間フィルタの設定条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の欠陥を効率良く検査できるようにする。
【解決手段】半導体装置の欠陥検査装置は、半導体装置の表面画像を撮像し（ステップＳ１０１）、このときに得られる画像信号を輝度信号に変換する（ステップＳ１０２）。輝度信号の諧調値に応じて５つのグループに分類し（ステップＳ１０３）、グループ毎に設定された閾値を用い（ステップＳ１０４）、欠陥の判定を行う（ステップＳ１０４）。パターンが密に配置された領域の閾値と、パターンが疎に配置された領域の閾値とを異ならせることが可能になり、半導体装置の電気特性に影響を与える可能のある欠陥を効率良く抽出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】バンプ検査のスループットを向上することが可能な検査装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡から入射されたウェハの表面の像をセンスし、ウェハ１の表面の第１の検査画像データを取得する第１の受光センサ６と、顕微鏡から入射された像に対してウェハ１の表面に形成されたバンプの上部の基準位置にピントを補正し、顕微鏡から入射されたバンプの像をセンスし、バンプの第２の検査画像データを取得する第２の受光センサ７とを備え、第１の受光センサ６により取得された第１の検査画像データと、予め取得された第１の基準画像データとを比較し、この比較結果に基づいてウェハの表面の欠陥を検出する第１の画像処理ユニット８と、第２の受光センサ７により取得された第２の検査画像データと、予め取得された第２の基準画像データとを比較し、この比較結果に基づいてバンプの不良を検出する第２の画像処理ユニット９とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造上のばらつきの影響がないパターン付き標準ウエハを実現する。
【解決手段】標準ウエハ４となるウエハ上にパターン幅２３０ｎｍで、一定のパターンピッチＸを有する複数のパターンからなるチップ１を形成する。そして、チップ１の隣のチップ２は、パターン幅を同一とし、パターンピッチにわずかな差（Δｄ）を持たせる（パターンピッチＸ＋Δｄ）。さらにその隣のチップ３のパターンピッチを２Δｄだけ差をもたせる（パターンピッチＸ＋２Δｄ）。以降、パターンピッチはＸ＋ｎΔｄとなっていく（ｎは３以上の自然数である）。パターンの幅自体に意識的にばらつきを持たせる必要はなく、パターンの幅はウエハ製造上の最適の条件で設定可能であり、パターンのピッチを一定値ずつ増加させることにより、装置を校正する上で必要する特性を創出する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに発生した欠陥の要因を効果的に解析できる欠陥解析方法及び欠陥解析装置を提供する。
【解決手段】一態様に係る欠陥解析方法は、半導体デバイスの欠陥検査で得られた欠陥の位置及び大きさと、光学検査で得られた欠陥を含む領域の反射光の波形を取得するステップと、半導体デバイスを製造する複数の工程と、工程毎の処理内容を含む工程情報を取得するステップと、欠陥の位置及び大きさと、工程情報に基づいて、半導体デバイスのプロセスシミュレーションを行うステップと、シミュレーション結果に対して光学シミュレーションを行い、反射光の波形を生成するステップと、取得した反射光の波形と、生成した反射光の波形との類似度を算出するステップと、算出された類似度が、予め登録された閾値を超えているか否かを判定するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】装置の性能に影響する動作異常又は異常の可能性を、試料の処理シーケンス中に検出し、リアルタイムでフィードバックすることで、欠陥の見逃しなどレビュー性能の劣化に起因する工程トラブルの増大を防止する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の各処理ステップにおいて、電子線の制御状態，ウェーハ位置決め時のオフセット量，欠陥座標誤差オフセット量など、装置の動作状態を表すモニタリング項目を試料の処理シーケンス中にモニタリングし、履歴情報として保存する。また、処理シーケンス途中に、予め設定された判定基準で、モニタリング項目の値と、当該モニタリング項目に対応する過去の履歴情報との比較判定を行い、過去の履歴情報からの変動幅が基準範囲を外れた場合はアラートを発する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの異常の原因が複数の製造装置にある場合でも、異常の原因となった製造装置を効果的に推定できる不良解析方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る不良解析方法は、複数の半導体ウェハとこれらの半導体ウェハを処理した複数の製造装置とを関連付けて記憶し、複数の半導体ウェハの検査結果を複数のウェハマップとして記憶し、複数のウェハマップを複数のグループに分類し、複数のグループの少なくとも２以上のグループからウェハマップを抽出し、該抽出したウェハマップを合成して合成ウェハマップを生成し、合成ウェハマップと、合成ウェハマップの元となったウェハマップを抽出したグループ以外のグループに属するウェハマップとを比較し、比較したウェハマップに対応する半導体ウェハを処理した製造装置を抽出し、半導体ウェハの不良原因となった製造装置を推定する。 （もっと読む）

【課題】 欠陥検査方法、工程管理方法及び欠陥検査装置に関し、複数品種の電子デバイスの欠陥数データを同一のチャートにプロットして、工程管理を定期的に精度良く行う。
【解決手段】 電子デバイスチップが形成されたウェーハ表面に光を照射し、反射光強度を予め設定した閾値と比較してハレーションの有無を判定し、前記ハレーションの有無により前記ウェーハ中のハレーションのない領域の面積を算出し、前記測定した反射光強度の内の前記ハレーションのない領域の反射光強度について、互いに隣り合う前記電子デバイスチップ間で比較して欠陥の有無を判定し、前記判定結果より前記ウェーハ全体の欠陥数を集計し、前記集計した欠陥数を前記ハレーションのない領域の面積で割って実質欠陥密度を算出する。 （もっと読む）

【課題】導電膜と絶縁膜が交互に積層された積層体に形成されたコンタクトホールの異常を検出できる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る検査装置は、積層体に電子線を照射する電子線照射部と、積層体の端面に沿って上下方向に動作し、端面におけるトンネル電流値を計測する計測部と、計測部で計測されたトンネル電流値を所定の閾値と比較する比較部と、比較部での比較結果に基づいて、コンタクトホールの異常を判定する判定部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）