【課題】微細な欠陥を自動分類するための電子顕微鏡を用いた撮像ユニットにおいて、画像取得時間，画像処理の計算コスト、および、計算機資源を抑えた撮像ユニットおよびその方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡を用いた欠陥分類用撮像ユニットにおいて、欠陥画像１７と参照画像１６を互いに異なる解像度で取得する仕組みを備え、かつ、参照画像の解像度を欠陥画像の解像度よりも少なくして取得することで解決されるため、微細な欠陥を自動分類するための電子顕微鏡を用いた撮像ユニットにおいて、参照画像の解像度を欠陥画像の解像度と比較して少なくすることで、画像取得時間，画像処理の計算コスト、および、計算機資源を抑えつつ、微細な欠陥を自動分類することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの分類等に関し各種の不良領域の高精度な分類等を可能とする。
【解決手段】本方法及びシステムでは、フェイルビット解析結果やクリティカルエリア等の情報を用いて、ウェハ領域を、異物不良領域（Ｅ１）、同心円状不良領域（Ｅ２）、及びクラスタ不良領域（Ｅ３）に分類する処理を行う。そして、各領域の不良率（工程ごと、フェイルビットモードごと等）を求め、その結果情報を出力する。分類処理は、ウェハ領域分割（S501）、チップ単位の不良数の算出（S502）、ヒストグラム作成（S503）、領域合成・異常値チップ除外（S504）、第１の分類（Ｅ１，Ｅ２）（S505）、第２の分類（Ｅ３）（S506）、分類確定（S507）等から成る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥を検査する際に、検査レシピを効率よく更新する。
【解決手段】ウェハを撮像して基準画像を取得し（工程Ｓ１）、当該基準画像を含む検査レシピを記憶部に記憶する（工程Ｓ３）。検査レシピに基づいてウェハを撮像して検査対象画像を取得し（工程Ｓ４）、検査レシピと検査対象画像に基づいてウェハの欠陥を検査する（工程Ｓ１０）。検査対象画像や検査結果等を含むレシピを記憶部に記憶する（工程Ｓ１１）。工程Ｓ４〜Ｓ１１を繰り返し行い、記憶部に所定の条件を満たす検査対象画像が記憶された際、当該検査対象画像を含むレシピに基づいて記憶部に記憶された前記検査レシピを更新する（工程Ｓ１２）。以後、更新された検査レシピに基づいて工程Ｓ４〜Ｓ１１が行われ、ウェハの欠陥が検される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価方法や評価装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、半導体ウェーハである試料を載置する載置台と、前記試料の一方の主表面を支持する片押さえ手段と、球状物と、該球状物を任意の所望の高さから落下させるための落下手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記片押さえ手段により前記試料の一方の主表面を支持した状態で、前記落下手段により前記球状物を前記所望の高さから前記主表面に向けて落下させることができるものであることを特徴とする半導体ウェーハ評価装置。 （もっと読む）

【課題】照明条件、もしくは検出条件の異なる検査結果を統合することで、ノイズやNuisance欠陥と真の欠陥を高精度に判別することができる欠陥検査装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置であって、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、該複数の画像データから検出された欠陥候補の情報を統合して、欠陥とノイズを判別する検査後処理部とを有する画像処理部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層構造を有する回路パターンのように、観察像のコントラストが明確でない回路パターンを、正確に検査することのできる技術を提供する。
【解決手段】パターン検査方法は、反射電子像の輝度を用いて回路パターンを区分し、各区分に属する反射電子像内の領域と、２次電子像内の領域とを対応付ける。具体的には、反射電子の信号からＢＳＥ像を合成し（ステップＳ３０２）、区分する（ステップＳ３０４）。さらに、パターンマッチングを行って（ステップＳ３０６）、設計データとの比較により所望の回路パターンが得られたかを検査する（ステップＳ３０７）。 （もっと読む）

【課題】複数の外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置情報が大きな誤差をもつことが原因で、実施が困難な工程トレースを通常の自動撮像時に同時に実行する。
【解決手段】外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーの工程で必要とされるホットスポット検査において、広い観察面積を短時間で観察できる高解像度の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数本の電子線１１８で試料１１９上を走査し、それぞれの電子線から放出される２次電子１２０を同一の検出器１１２で取り込むことで、ＳＥＭ画像は複数本の電子線間の相対距離に依存した、位置がずれた画像（ゴースト画像）となる。前記相対距離を調整し、画像処理部１０４で位置ずれを復元することで、画素サイズが大きくても高感度なホットスポット検査装置を実現することができ、広い面積を短時間で観察できる。 （もっと読む）

【課題】複数台の画像処理装置を用いて欠陥レビューないし欠陥分類を実行する欠陥レビュー装置において、１台の画像処理装置が故障しても欠陥レビューを継続可能な欠陥レビュー装置を実現する。
【解決手段】複数台の画像処理装置間を統括制御する画像処理制御部を設け、複数台の画像処理装置間で常に生存信号を送受信する。生存信号に何らかの障害が検出された場合（タイムアウトなど）、複数台の画像処理装置間で実行している画像処理について、画像処理制御部が画像処理を実行する画像処理装置の再割り当てを行う。
【効果】障害が発生しても欠陥レビュー装置の動作を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において、オートフォーカスを実行する際の焦点測度のステップ量を、焦点測度分布の近似曲線の広がりに対して最適な値に適正化する。
【解決手段】第一の倍率で撮像した画像または設計データから求まるレイアウト画像から得られる画像特徴量を用いて、オートフォーカス実行時の焦点測度のステップ量を補正する。得られたステップ量に基づきオートフォーカスを実行し、観察，計測あるいは検査対象試料を撮像する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不要な輪郭線処理を抑制、或いは必要な部分の選択的な輪郭線化を目的とする輪郭線抽出方法、及び輪郭線抽出装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子に基づいて形成される画像上のパターンエッジの輪郭線を抽出する輪郭線抽出方法、及び装置において、複数の撮像領域の画像を接続して合成画像を形成するときに設けられる重畳領域に位置するパターンの輪郭線化を実施するときに、当該パターンの前記複数の撮像領域における面積、或いは予め設定された測定部位を求め、当該面積の大きい側、或いは当該パターンについて測定部位が位置する側の撮像領域の画像に対し、前記パターンの選択的な輪郭線抽出を行う輪郭線抽出方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】欠陥発生の原因となった設備の異常を早期に特定する。
【解決手段】欠陥検査装置は、基板において欠陥の発生が予測される位置を示す位置情報と、基板を処理する処理装置の名称と、を記憶する記憶部と、基板で発生した欠陥を検出する検出部と、検出された欠陥が、複数の基板において共通する範囲内で発生しているかを判定する判定部と、検出された欠陥が、複数の基板において共通する範囲内で発生している場合、複数の基板において共通する範囲内で発生した欠陥の位置を示す位置情報を、記憶部に記憶する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】異なる製造条件からなる半導体デバイス同士でも高精度なスクリーニングができるスクリーニング装置を提供すること。
【解決手段】半導体デバイス５の特性を測定するとともに半導体デバイス５の識別符号を読み取る測定手段１と、識別符号と半導体デバイスの作製条件との対応表を含むデータベース６と、測定手段１から送られてきた識別符号に基づいてデータベース６から対応する作製条件を取り出し、作製条件を対応する前記特性と関連付ける変換手段２と、変換手段２から送られてきた作製条件別に特性を仕分けする特性再構成手段３と、特性再構成手段３で作製条件別に仕分けされた特性を予め定められた方法で評価・解析することによりスクリーニングすべき半導体デバイスを選出する評価・解析手段４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】
レビューＳＥＭを用いて回路パターンを定点観察する場合に、観察する回路パターンのばらつきが大きい場合でも、虚報の発生を抑えて安定した検査を行えるようにする。
【解決手段】
レビューＳＥＭを用いて所定の回路パターンを順次撮像してえたＳＥＭ画像を記憶手段に記憶し、この記憶したＳＥＭ画像の中から設定した条件に適合する画像を選択し平均化して平均画像(ＧＰ画像)を作成し、このＧＰ画像を用いたＧＰ比較によりパターン検査を行うことにより、回路パターンのばらつきが大きい場合でも虚報の発生をおさえた検査を可能にした。 （もっと読む）