【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程（Ｓ１０１）と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程（Ｓ１０２）と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程（Ｓ１０３）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種類、材料、形状によらずコントラストを高くする。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、光源と、光透過率を変更可能な透過率制御素子と、ビームスプリッタと、偏光制御部と、位相制御部と、波面分布制御部と、検出部とを含む。前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。前記偏光制御部は、前記参照光の偏光角および偏光位相を制御する。前記位相制御部は、前記参照光の位相を制御する。前記波面分布制御部は、前記透過率制御素子における前記参照光の波面分布を制御する。さらに、前記検出部は、前記干渉光を検出する。 （もっと読む）

【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部１０は、欠陥レビュー部１２を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し（レビュー画像取得部１０４）、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う（画像位置合わせ部１０５）。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する（致命度判定部１０６）。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの歩留まりに大きな影響を及ぼさない欠陥を排除し、それらに対処するために掛かっていた製造コストを削減する方法を提供する。
【解決手段】第１の検査対象物が欠陥を含むか否か検査するステップＳＴ１１Ａと、検出された欠陥を特長毎に分類し、欠陥の特長毎に欠陥の個数を算出するステップＳＴ１１Ｂと、ウェハ上の半導体デバイスの電気的特性を測定し、ウェハ上における半導体デバイスの不良マップを作成するステップＳＴ１２Ｂ，ＳＴ１２Ｃと、不良マップと検査対象物の欠陥の位置とを照合し、半導体デバイスの電気的不良確率を算出するステップＳＴ１３，ＳＴ１４と、電気的不良確率を用いて第２の検査対象物の使用の適否を判定するステップＳＴnとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】一つのＴＥＧで複数方向の位置ずれを検出できるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、ＴＥＧ３００を有している。ＴＥＧ３００は、プラグ及び配線のいずれか一方である第１要素と、プラグ及び配線の他方である第２要素を有している。第２要素は、互いに異なる方向から第１要素に面しており、第１要素から離間している。本実施形態において、第１要素はプラグ３２０であり、第２要素は配線３３０である。プラグ３２０は、コンタクトであってもよいし、ビアであってもよい。またプラグ３２０は、配線３３０の上に位置していてもよいし、下に位置していてもよい。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。
【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第１の期間と第１の期間よりも後の第２の期間に分割した場合において、第２の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検査準備時間が短く、１ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、１ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留りを効率的に、かつ高精度に算出する。
【解決手段】薄膜を一様に形成した半導体ウェハ２の画像データを取得し、品種ごとに形成された欠陥識別データ３８と製品パターン３９とを用いて、薄膜に形成された欠陥を抽出する。欠陥識別データ３８は、半導体装置の電気特性に影響を与える欠陥サイズの情報であり、製品パターン３８は、回路パターンが疎な領域をマスクしたパターンである。さらに、抽出した欠陥が存在するチップの数から歩留り率の予想値を算出し、その品種に必要とされる規定の歩留り数と比較して半導体ウェハ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】マスク上での欠陥と、そのウェハへの波及の程度を推定しながら、効率的に欠陥判定処理を行うことのできる検査措置と検査方法を提供する。
【解決手段】各転写像を次の（１）〜（３）の順にレビューする。
（１）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値以上であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値以上である場合、（２）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値未満であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値以上である場合、（３）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値以上であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値未満である場合 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなどのパターンが形成された試料のマクロ検査装置において、寸法・形状の異常を高感度で検出可能にする。
【解決手段】パターンが形成された試料の検査装置において、パターンが形成された該試料に光を照明する照明光学系と、該パターンの散乱光を受光する検出光学系と、該検出光学系の瞳面に配置され、該パターンのフーリエ像を撮像する撮像素子と、該フーリエ像を正常なパターンのフーリエ像と比較し、該パターンの異常を検出する処理部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】迅速に欠陥レビューを行うことができる欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム３１を試料８の表面に照射し、試料８の表面の観察領域内で電子ビーム３１を走査させる電子鏡筒１と、電子ビーム３１の光軸周りに相互に９０°の角度を開けて配置された４つの電子検出器９ａ〜９ｄと、電子検出器９ａ〜９ｄの検出信号に基づいて、観察領域をそれぞれ異なる方向から写した複数の画像データを生成する信号処理部１１とを備えた欠陥レビュー装置１００において、観察領域のパターンがラインアンドスペースパターンである場合には、欠陥検査部１２によってラインパターンに平行であって電子ビーム３１を挟んで対抗する２方向からの画像データの差分をとった差分画像に基づいて、欠陥の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡を用いたグローバルアライメント（ウェーハの位置ずれ・回転検出）を安定かつ自動に行う技術を提供する。
【解決手段】グローバルアライメント用のパターンとして、複数のアライメントパターン候補を算出し（１０７）、アライメントパターン毎に複数のマッチング用データを作成し（１０８）、光学顕微鏡からの画像信号に基づく画像（１１３）とアライメントパターンとして適正度の高いアライメントパターン候補順にアライメントパターン毎にマッチング用データとマッチングを行い（１１４）、マッチングの結果に基づき（１１５）ウェーハの位置ずれ量・回転量を算出する（１１６）。 （もっと読む）

【課題】測定のスループットが低下するのを防ぎ、測定感度の高い半導体計測装置を提供する。
【解決手段】一定の偏光状態の光を多入射角に分解する第１のレンズ３１と、第１のレンズ３１から出射される光が計測対象物で反射した、多反射角の反射光を同軸の平行光に変える第２のレンズ３２と、第２のレンズ３２を透過した光の所定の成分を波長および入射角に対応して分光する分光器４０と、分光器４０から照射される光の波長および入射角をパラメータとして表される光強度分布を検出して電気信号に変換する２次元検出器５０と、２次元検出器５０から受信する電気信号に基づく光学パターンを解析し、計測対象物の構造を特定する情報処理装置７０と、を有する。 （もっと読む）