【課題】欠陥検査装置において、欠陥の生じた膜を特定することにより、欠陥発生の原因分析を迅速化し、生産性の低下を防止する。
【解決手段】複数種の膜が積層された被検査対象の基板Ｗを撮像し、撮像データＤを取得するステップと、取得した撮像データから欠陥の有無を検出するステップと、検出された欠陥の領域の色情報を、所定の表色系に準ずる値として抽出するステップと、データベースに記録された全ての膜種の教示データから、前記検出された欠陥の領域と同領域の色情報を、前記所定の表色系に準ずる値として膜種ごとに抽出するステップと、前記検出された欠陥の領域の色情報と、前記教示データから抽出された色情報との相違度を膜種ごとに算出するステップと、相違度が所定値より小さい場合に、その色情報を有する教示データにおいて成膜されていない膜と同種の膜に欠陥を有すると判定するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】照明光を短波長化しなくても、確実に繰り返しピッチの微細化に対応できる表面検査装置および表面検査方法を提供する。
【解決手段】被検基板２０の表面に形成された繰り返しパターンを直線偏光Ｌ１により照明する手段１３と、表面における直線偏光Ｌ１の振動面の方向と繰り返しパターンの繰り返し方向との成す角度を斜めに設定する手段１１,１２と、繰り返しパターンから正反射方向に発生した光Ｌ２のうち、直線偏光Ｌ１の振動面に垂直な偏光成分Ｌ４を抽出する手段３８と、偏光成分Ｌ４の光強度に基づいて、繰り返しパターンの欠陥を検出する手段３９,１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】低価格で、且つ半導体基板のルミネセンス画像から高い精度でクラックを検出できる半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１００にルミネセンスを生じさせる励起エネルギーＥｒを半導体基板に供給する供給装置１０と、第１の励起エネルギーＥｒ１及び第１の励起エネルギーＥｒ１と大きさの異なる第２の励起エネルギーＥｒ２が供給された半導体基板１００の第１及び第２のルミネセンス画像をそれぞれ取得する画像取得装置３０と、第１のルミネセンス画像と第２のルミネセンス画像とのルミネセンス強度の差分を半導体基板１００の各位置について算出して、強度差分画像データを作成するルミネセンス画像処理装置４１と、強度差分画像データの差分の大きさを用いた判定値に基づき、半導体基板１００のクラックが発生したクラック位置を検出する検出装置４２とを備える。 （もっと読む）

【目的】擬似欠陥を低減させるパターン検査を行う装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、パターン形成されたフォトマスク１０１における光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、パターンの設計データを画像データに展開して展開画像データを生成する展開回路１１１と、展開画像データに対してひずみ処理を行い、ひずみ画像データを生成するひずみ画像生成回路１４０と、画素毎に、展開画像データとひずみ画像データとの差異を示す非類似指数を算出する非類似指数算出回路１４２と、展開画像データに対してデータ処理を行い、光学画像データと比較するための基準画像データを生成する基準画像生成回路１１２と、画素毎に、非類似指数に応じた判定条件で、光学画像データと基準画像データとを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の抵抗値について基準値に対するばらつきを検出する回路を提供する。
【解決手段】第１の抵抗と、第２の抵抗と、第１の抵抗に電流を供給する第１の電流源回路と、第２の抵抗に電流を供給する第２の電流源回路と、電流の供給により第１の抵抗に生じる電位差と第２の抵抗に生じる電位差とを比較する電圧比較回路と、第１及び第２の電流源回路の少なくとも一方の電流供給量をディジタル的に調整する制御回路と、を備え、制御回路の調整値と電圧比較回路の比較結果から第１の抵抗と第２の抵抗の抵抗値の比率を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】不規則なパターンが存在する場合でも、そのパターンの影響を受けずに欠陥を検出することができる欠陥検出方法および欠陥検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】欠陥検出方法は、画像入力工程ＳＴ１と、検査データ抽出工程ＳＴ２と、比較データ抽出工程ＳＴ３と、背景パターン方向算出工程ＳＴ４と、欠陥検出工程ＳＴ５とを備える。背景パターン方向算出工程ＳＴ４は、検査データおよび各比較データの比較を、各比較データを前記走査方向に移動しながら行い、その比較結果に基づいて撮像画像の背景パターン方向を算出する。また、欠陥検出工程ＳＴ５は、検査データおよび各比較データにおいて前記背景パターン方向に位置するデータの差分を求め、その差分値に基づいて欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】パターン付基板を検査対象とした欠陥検査において，実際の検査対象物物が存在しない状態で、検査条件を設定することにより、検査装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】パターン設計データ１１１から得られるパターンデータを基本パターンに分解（１２１）し、プロセス条件データ１１２、材料定数データ１１３、装置パラメータ１１５を加味して基本パターンの検出出力の計算を行い（１２２）、基本パターンの検出出力を統合して推定画像を作成する（１２４）。一方、基本欠陥データ１１４、材料定数データ１１３、装置パラメータデータ１１５を用いて欠陥の出力データを作成する（１２３Ａ）。推定画像１２４および欠陥データ１２３Ａを用いて検査装置の検査条件を設定する。これによって検査条件をオフラインで設定でき、装置の稼働率を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】連続撮影画像の位置を合わせて平均画像（積算画像）を作成し、併せて、その後の検査処理に適していない画像か判定する。
【解決手段】連続撮影画像を取得し（ステップ１０２）、最初の画像と最後の画像をマッチングし（ステップ１０３）、相関値が所定の閾値以上かチェックする（ステップ１０５）。相関値が所定の閾値以上の場合は、各画像の移動量を線形に予測し（ステップ１０６）、位置ずれを補正した平均画像を作成する（ステップ１０７）。相関値が所定の閾値未満の場合、検査に適していない画像と判断して例外処理（ステップ１０９）を行う。 （もっと読む）

【課題】製造装置に加工を施すことなく、半導体デバイス製造工程での汚染微粒子の発生度合いを評価できるようにする。
【解決手段】汚染評価方法には、半導体デバイス製造工程中の所定の工程の前の段階でワークの表面の汚染微粒子の形状及び分布に関する特性値を測定する第１測定ステップＳＴ２と、前記所定の工程を通されたワークの表面の汚染微粒子の形状及び分布に関する特性値を測定する第２測定ステップＳＴ３と、第１測定ステップＳＴ２及び第２測定ステップＳＴ３での測定結果に基づいて、前記所定の工程での汚染微粒子の発生度合いを評価する評価ステップＳＴ４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の評価方法、半導体装置の製造方法、及びプローブにおいて、不良の原因を再現すること。
【解決手段】
素子Rを備えた半導体装置５０の絶縁膜上に導電性塗膜４０を塗布する工程と、導電性塗膜４０にプローブ１０３を接触させ、半導体装置５０が備えるシリコン基板１０とプローブ１０３との間に電位差Vを与える工程と、電位差Vが与えられた状態で、素子Rの電気的特性を評価する工程とを有する半導体装置の評価方法による。 （もっと読む）

【課題】高精度な試料の回転合わせや画像の位置合わせができ、高感度な検査を実現する高感度なパターン欠陥検査装置および方法を提供すること。
【解決手段】ウェハの回転合わせや画像の位置合わせにロバスト画像照合を用いることによって、高精度な位置合わせを行い高感度に欠陥を検出する。例えば、試料を載置して少なくとも一方向に移動可能な走査手段と、前記試料の回転方向を合わせる手段と、前記試料上を照明する照明手段と、該照明手段で照明された前記試料の光学像を形成する結像手段と、該結像手段で結像された光学像を検出して信号に変換する検出器を有する検出手段と、該検出手段で検出した信号を処理して前記試料上の欠陥を検出する欠陥検出手段と、該欠陥検出手段で検出した結果を表示する結果表示手段とを備え、前記回転方向を合わせる手段はロバスト画像照合を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精度よく検査することができる検査方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる検査方法は、パターンが対称に配置されている対称領域を有する検査対象を検査する検査方法であって、検査対象の検査画像を撮像するステップ（ステップＳ１０１）と、検査画像から対称領域を抽出するステップ（ステップＳ１０４、Ｓ１０５）と、対称領域の中で対称に配置されている対称画素の輝度値を比較するステップ（ステップＳ１０６，Ｓ１０７）と、輝度値の比較結果に基づいて、検査対象の良否判定を行うステップ（ステップＳ１０９）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】デバイスの電極パッドに付いた痕跡をプローブの針跡としてより正確に判定し、プローブの針跡としての誤判定を格段に軽減することができる針跡の判定方法を提供する。
【解決手段】本発明の針跡の判定方法は、複数のデバイスＤの複数の電極パッドＰに付いた痕跡に、プローブの針跡としての良否を判定するためのスコアを付与し、このスコアに基づいて不明確な痕跡が付いた対象電極パッド２Ｐを含む対象デバイスＤを選択する工程と、対象デバイスＤの検査方向の前後に時間的に連続してある４個の対照デバイスＤｂと９個の対照デバイスＤａを選択し、これらの対照デバイスＤｂ、Ｄａの対象電極パッドＤに対応する対照電極パッドＰに付いた痕跡２Ｐに付与されたスコアと対象デバイスＤの不明確な痕跡２Ｐに付与されたスコアとの加算値と所定の基準値を比較して対象デバイスＤの不明確な痕跡２Ｐのプローブの針跡としての良否を判定する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電源制御可能領域を有する半導体集積回路において、電源制御動作のテストをできる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電源制御スイッチ310A、310Bは、複数のスイッチセル17で構成されるスイッチ系列310A、310Bを有する。電源制御可能領域300は、出力ノード330A、330Bをスイッチ系列ごとに備える。出力ノード330A、330Bは、電源制御スイッチの各スイッチ系列310A、310Bの最終段を通過した電源制御信号CTLを電源制御可能領域300の外部に出力する。チップは、出力ノード330A、330Bからの出力を外部に出力する出力端子340A,340Bを備える。スキャンパステストを挿入する場合、観測用フリップフロップを各出力ノードに対応して設ける。これら観測用フリップフロップがスキャンパスチェーンを構成するように接続する。 （もっと読む）

【課題】欠陥等の分類精度を向上し得る半導体検査方法及び半導体検査システムを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の欠陥の座標値と、欠陥の輝度に応じた第１の特徴情報とを第１の装置により取得するステップＳ１と、第１の装置により取得された欠陥の座標値に基づいて、欠陥の画像を第２の装置により取得するステップＳ２と、第２の装置により取得された欠陥の画像に基づいて、欠陥に関する第２の特徴情報を抽出するステップＳ３と、第１の特徴情報と第２の特徴情報とに基づいて、欠陥の種類を判定するステップＳ５，Ｓ６とを有している。 （もっと読む）

【課題】 検査コストを低減し、製品化までの時間を短縮し、欠陥デバイスが合格デバイスとして通過してしまう誤りの率を低下できる集積回路の検査の方法、装置及びシステムを提供する。
【解決手段】 本発明の装置では、共通の基板に、複数の被検査デバイス（ＤＵＴ）と、複数の比較装置が設けられる。この複数のＤＵＴは、すべて同一の入力刺激で動作し、各々が実行結果を発生する。この実行結果は比較装置で比較されて、比較特徴が生成され、その特徴により、欠陥のある被検査デバイスを検出する。 （もっと読む）

【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第１領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも１回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程１１０、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第１領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第１光信号を測定する工程１２０、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第２光信号を測定する工程１３０、および第２光信号に対する第１光信号の比を測定し（１４０）、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程１５０を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層に存在する転位の種類を正確に特定することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体層４に存在する転位６，８，１０，１２の種類を特定する方法である。この方法は、半導体層４を化学エッチングすることによって、半導体層４の表面４ｂから窪んでいるエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａを形成する形成工程と、上記表面４ｂに対するエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａの傾斜角度αを特定する傾斜角度特定工程と、傾斜角度特定工程で特定されたエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａの傾斜角度αに基づいて、各転位６，８，１０，１２の種類を特定する転位種類特定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 製品試験装置の自己診断結果に異常が発見された場合における影響を受ける範囲の特定の容易化。
【解決手段】 製品試験装置は、試験対象の製品に応じて試験条件を設定し、前記試験条件を用いて試験を行った製品のロット情報を前記試験条件と関連付けて記録していく。前記自己診断機能による自己診断結果が出る度に、前記自己診断結果と、前記試験条件とを照合し、前記自己診断結果による影響を受ける試験条件にて試験を行った製品のロット情報を出力する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性劣化量の回復に起因する誤差を発生させることなく、しきい値電圧シフトを正確に評価する。
【解決手段】初期しきい値電圧Ｖｔ、初期線形ドレイン電流Ｉdlin１及び初期飽和ドレイン電流Ｉdsat１を測定する。次に、ストレスゲート電圧Ｖgstress を印加しながら、Ｖgstress よりも小さい測定ゲート電圧Ｖｇを間欠的に印加し、線形ドレイン電流Ｉdlin２及び飽和ドレイン電流Ｉdsat２を測定する。次に、Ｉdlin１及びＩdlin２から線形ドレイン電流の劣化率ΔＩdlin／Ｉdlinを求め、Ｉdsat１及びＩdsat２から飽和ドレイン電流の劣化率ΔＩdsat／Ｉdsatを求め、ΔＶｔ＝−（ΔIdsat／Idsat−ΔIdlin／Idlin）×（Ｖｇ−Ｖｔ）に従ってしきい値電圧シフトΔＶｔを算出する。 （もっと読む）