【課題】本発明は、ＳＡＤＰのような複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高精度且つ高いスループットにて実現することを目的とする。特に、ギャップ判定が困難な試料であっても、適切にその判定を可能とするパターン測定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する複数種類の特徴量を抽出し、当該複数種類の特徴量の内、適切な種類の特徴量について、前記パターンの一端側と他端側の特徴量を比較し、当該比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
半導体プロセスの立ち上げ時期のように、検査すべき項目が多種多様であり、かつそれらが時間と共に頻繁に変化する場合であっても、簡易な操作で対応可能なウェハ検査技術を提供する。
【解決手段】
検査画像を収集した後に、検査画像の中からテンプレートを作成する。このテンプレート上に複数の領域を定義し、各領域に検査手法と出力指標を対応付けて登録する。検査時は、取得した検査画像に対応するテンプレート画像を参照し、そこに登録されている検査情報に基づいて検査実行し出力定量値を算出する。 （もっと読む）

【課題】従来の技術においては、設計データを用いることにより、ウェーハ上の配線等の構成物との相対関係を考慮し、欠陥の重要度の判定は可能であるが、設計データが無い場合は、判定ができなかったので、設計データが入手できない場合についても欠陥検出の実施を可能とする方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスにおいて、製造するための設計データの代わりに、実際のウェーハ上の画像を取得することにより、半導体デバイス上の構成物との相対位置を検出し、欠陥の重要度を判定することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】正確に、かつ短時間に空間フィルタの設定を行なうことができ、検出感度の低下防止も可能な表面欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】それぞれ異なるパターンピッチを有する複数の領域からの光像が混在した回折光像710aを表示し、選択した領域のパターンピッチ702aと算出された回折光ピッチ702bが表示される。回折光ピッチ702bに合わせたピッチのゲージ710b、701cが回折光像710aに重畳して表示させる。ゲージ710b、710cは回折光像710cのピッチに合わせられるように作業者が移動でき、ゲージ710b、710cを合わせたピッチの画像が抽出され、別の表示領域に表示される。異なるパターンピッチを有する複数の領域のそれぞれに対して実行し、それぞれのパターンピッチとそれに対応する画像を表示する。表示した画像等に従い、選択した回折光を除去可能なように空間フィルタの間隔を設定できる。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗が同じ条件でテストを行うことができる、半導体検査装置、及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】検査対象ウエハを載置する、ステージと、前記検査対象ウエハに形成された電極と接触するプローブ、を有するプローブカードと、前記プローブカードと前記検査対象ウエハとの間の距離を調節する、距離調節機構と、制御装置とを具備する。前記制御装置は、前記プローブカードを介して前記電極と前記プローブとの間の接触抵抗を測定し、接触抵抗データを生成する接触抵抗測定部と、前記接触抵抗データに基づいて、前記接触抵抗が所望の値になるように、前記距離調節機構のオーバードライブ量を決定する、オーバードライブ量決定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

例えばリソグラフィ技術によるデバイス製造などで使用可能な半導体ウェーハ上の処理欠陥を検出する検査方法及び装置。スキャン経路に沿ってダイのストリップを移動する測定スポットで照明する。散乱放射を検出してストリップ上部に空間的に集積された角度分解されたスペクトルを取得する。散乱データを測定又は計算によって入手した基準スペクトルのライブラリと比較する。該比較に基づいてダイの上記ストリップの欠陥の存在を決定する。測定スポットはウェーハにわたって大きな（一定の）速度部分を含むスキャン経路軌跡のウェーハに沿ってスキャンされ、角度分解スペクトルが取得され、フルスキャン速度で比較が実行される。ダイにわたってストリップに沿ってＹ方向に長時間の取得が実行される場合、位置変動の結果としての取得されたスペクトルの変動は主としてスポットのＸ位置に依存する。高速スキャン経路軌跡に沿ってスポットがウェーハに整列しないため、スポット位置が変動する。ダイ上のそれぞれのＸ位置でのある範囲のスキャン経路について基準スペクトルのライブラリが入手され、高速測定スポットのＸ位置の変動が可能になる。 （もっと読む）

【課題】絶縁部及び導電部を含む回路パターンが形成された基板に対して、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の検査を高精度に行うこと。
【解決手段】絶縁部及び導電部を含む回路パターンがその表層部に形成された基板（ウエハＷ）を真空容器２１内の載置台２２に載置する。次いで前記ウエハＷに対して電荷密度が６．７×１０^-３Ｃ／ｎｍ^２以下の電子線を照射し、前記電子線の照射により放出された２次電子を検出する。電子線の照射位置と載置台とを相対的に移動させて、ウエハＷの検査対象領域全体において、放出された２次電子の検出結果と、ウエハＷ上の電子線の照射位置とを対応付けたデータを取得し、このデータに基づいて、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】非接触で良品との比較なしに不良品単独で不良箇所を判定できる半導体装置の不良解析方法、不良解析装置、及びそれらのコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】半導体装置の露出した導電層を帯電させ荷電粒子を照射して電位コントラスト像を取得する観測画像取得工程と、導電層の接続先の終点を設計データから探索する配線探索工程と、接続先の終点の状態毎にあらかじめ３段階以上のレベルに分類した電位コントラストと、観測画像取得工程で取得した電位コントランス像とを比較し、一致／不一致を検出する判定工程と、を備える。３段階以上のレベルに分類するので、たとえば、トランジスタの拡散層へ接続されている導電層と配線間のショートを区別すること等もできる。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のＬＯフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射してＬＯフォノンバンド波数を測定し、前記複数の試料のそれぞれについてＸ線回折の成長表面に垂直な方向の歪により半導体化合物結晶層の残留応力を測定し、ＡＦＭ像を用いて前記複数の試料のそれぞれの半導体化合物結晶層の結晶性を評価し、前記評価において結晶性が良好と判断された前記試料のうち前記ＬＯフォノンバンド波数が最も低いものを基準値とし、評価対象の化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射して得られたＬＯフォノンバンド波数が前記基準値超の場合に、評価対象の化合物半導体結晶層が良好な結晶性に達していると判断することを特徴とする化合物半導体結晶層の結晶性評価方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置で撮像された試料の画像を、受像処理装置に伝送する際の欠落やデータ化けを、高速性を損なわずに検出できる仕組みを提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置で撮像された試料の画像又はその一部画像の識別子を生成する。一方、受像処理装置は、受信データに基づいて試料の画像又はその一部画像に対応する識別子を生成し、別に受信した識別子と比較する。二つの識別子が一致しなければ、画像の欠損やデータ化けが発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表層の深さ方向における電気的に活性な欠陥や汚染の分布を評価可能な半導体ウェーハの表層評価方法を提供する。
【解決手段】良品の半導体ウェーハのフォトルミネセンス強度について、複数の温度別深さ依存グラフおよび基準温度依存グラフを作成し、温度別深さ依存グラフ毎について、フォトルミネセンス強度の支配的なウェーハ深さ領域を求め、実測温度依存グラフを作成する。その後、基準温度依存グラフと実測温度依存グラフとを対比して欠陥および汚染を評価する。また、シフト量が大きい部分の温度を求め、これに応じた温度別深さ依存グラフの支配的なウェーハ深さ領域から、実測のウェーハの欠陥や汚染の深さ領域を推定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置１３において、外観検査装置３などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール１０〜１２を構成することにより上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、検出感度を向上させることができるパターン検査装置及びパターンを有する構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンの光学画像に基づいて検出データを作成する検出データ作成部と、前記パターンに関する参照データを作成する参照データ作成部と、テンプレートを構成する画素における論理を任意に設定することができる可変テンプレートを有するテンプレートマッチング部と、前記検出データと、前記参照データと、を比較して欠陥部を検出する欠陥検出部と、を備えたことを特徴とするパターン検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ工程を正確に検証することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ピックアップ済みの半導体ウェハＷＦに対し、ラインカメラＬＣＭを用いた各列毎の撮像が行われ、この撮像データ群３１から得られるマップデータと、プローブ検査によって得られたウェハマップデータＷＭＤとが自動照合手段３２で照合される。この撮像データ群３１からマップデータを得る際には、ダイシング時のブレードによってダイシングシートＤＳ上に形成されたダイシング溝１０が検出され、このダイシング溝１０の区画と基準チップＣＰ＿Ｒとの位置関係に応じてチップ座標が認識され、各チップ座標におけるチップＣＰの有無に基づいてマップデータが生成される。 （もっと読む）

【課題】パターンの輪郭データの抽出を失敗すること無く、高速かつ正確に回路パターンの検査を行うことのできる、パターン検査方法及びシステムを提供する。
【解決手段】試料に電子線を照射し、試料から放出された反射電子によって生成された反射電子像と試料から放出された２次電子によって生成された２次電子像の対応関係にある画素の輝度値を比較し、相対的に輝度値が高い画素或いは輝度値が低い画素を選択、又は、反射電子像と２次電子像の輝度値を均等或いは不均等な割合で積算する。そして、選択された画素或いは積算によって得られた画素に基づいて構成される画像から回路パターンの輪郭データを抽出する。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法やパターン形状ばらつきの低減や下層との重ね合わせやダブルパターニング法を用いた半導体デバイス製造時の重ね合わせ精度向上。
【解決手段】本発明では、パターン形状のばらつきの定量化および適正化を達成するために、以下の手段を用いた。半導体集積回路の一部が形成されたシリコン基板上で、電子を発生させる電子源と電磁レンズあるいは静電レンズからなる電子光学系により試料上で上記電子を走査して得られる信号により構成したＳＥＭ画像を取得して、複数の画像を平均化あるいは設計データから自動生成によって参照画像をもとめ、比較して、パターンの形状ばらつきや重ねあわせ精度を統計的に算出する。これらの算出をもとに、製造条件にフィードバックあるいはフィードフォワードをかけるＡＰＣを実施する。 （もっと読む）

【課題】 物体の欠陥を検出するための方法および装置を提供する。
【解決手段】 物体２０を透過する波長の光５０を照射することによって物体２０を局部的に照明するステップ１０と、直接透過した照射光の部分４８の検出を少なくとも部分的に回避しつつ、かつ１回反射した照射光５０の部分５３ａ、５３ｂの検出を少なくとも部分的に回避しつつ、複数回反射した照射光５０の部分を検出するステップ１２と、検出した照射光５０の部分の強度の差を評価することによって欠陥２２を識別するステップ１４とを備える、物体２０の欠陥２２を検出するための方法ならびにこの方法を実施するための装置。 （もっと読む）

【課題】FDSOIトランジスタの電気性能を評価するための方法を提供する。
【解決手段】基板３に電圧V_BG>0またはV_BG<0を印加し、ゲート１５に印加される電圧V_FGに応じてFDSOIトランジスタのキャパシタンスおよび/またはコンダクタンスを測定する段階と、モデル化トランジスタの誘電体-半導体界面における欠陥密度D_it1、D_it2の選択された理論値について、FDSOIトランジスタと等価な電気回路によってモデル化されたトランジスタのキャパシタンスおよび/またはコンダクタンスの理論値を計算する段階と、FDSOIトランジスタのキャパシタンスおよび/またはコンダクタンスの測定値とモデル化トランジスタのキャパシタンスおよび/またはコンダクタンスの理論値との比較によって、FDSOIトランジスタの対応する界面におけるD_it1、D_it2の真の値を決定する段階とを含む。 （もっと読む）