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Fターム[4M109CA04]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | ポッティング(上記方法を除く) (983)

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【課題】耐熱性、耐油性、耐薬品性、耐溶剤性、低温特性、耐湿性、低気体透過性等に優れる均一なパーフルオロポリエーテル系ゲル硬化物からなる被覆層を各種基材上に薄膜状で形成することができるコーティング又はポッティング用液剤、特には、パーフルオロポリエーテル系ゲル硬化物を有機溶媒中に溶解、分散させてなるコーティング又はポッティング用液剤及びその製造方法、該コーティング又はポッティング用液剤から有機溶媒を揮散させることにより得られるゲル状に硬化したパーフルオロポリエーテル系ゲル硬化物からなる被覆層を基材上に形成する方法、並びに該硬化物からなる被覆層を基材上に有する物品を提供する。
【解決手段】(A)パーフルオロポリエーテル系ゲル硬化物 5〜40質量%、
(B)有機溶媒 60〜95質量%
(但し、(A)、(B)成分の合計は100質量%である。)
からなるコーティング又はポッティング用液剤。 (もっと読む)


【課題】充填材の漏れに起因する導通不良を防止する電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器1は、例えば、図1(a)、(b)及び図2(a)に示すように、複数の溝を有する2つのリードフレーム2及びリードフレーム3と、半導体装置5が収容される収容部12、外部の端子と接続する接続部14、及び収容部12に充填される充填材4が接続部14に漏れ出すのを防止する防止壁13を有し、リードフレーム2及びリードフレーム3と一体に形成される本体10と、を備えて概略構成されている。また、この電子機器1は、例えば、リードフレーム2及びリードフレーム3の溝に沿って防止壁13が位置する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物の4つの立体異性体のうち、エキソ−エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、前記異性体合計量中80%以上である脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに、これを用いた半導体装置。
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【課題】 バイト工具の切刃の過度の磨耗を防止するとともに金属ポストの引き伸ばしを防止可能な被加工物の加工方法を提供することである。
【解決手段】 それぞれ電極を有する複数のデバイスと、該デバイスの該電極に接続する複数の金属ポストとが封止剤で封止された被加工物の加工方法であって、少なくとも被加工物の該封止剤を研削砥石を有する研削手段で研削する粗加工ステップと、該粗加工ステップを実施した後、該金属ポストを該封止剤とともにダイアモンドからなる切刃を備えたバイト加工手段で切削して、該金属ポストの端面を該封止剤から露出させる仕上げ加工ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記一般式(I)で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも1種の化合物とを含有する組成物。


(式中、Lは、炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成されるm価の基、又はm価の炭化水素基を示す。R〜Rはそれぞれ独立に、水素原子又は1価の炭化水素基を示す。Rは炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成される1価の基、炭素原子、水素原子及び窒素原子から構成される1価の基、又は1価の炭化水素基を示す。mは2〜6の整数を示す) (もっと読む)


【課題】半導体パッケージにおいて、半導体素子と、多層配線基板のギャップを液状アンダーフィルによって封止した後、この周囲をバックフィルで埋めるとき、多層配線基板上に搭載されている積層セラコンなどの受動部品が樹脂下に埋没することがある。このような半導体パッケージをPWBなどに2次実装する際、突起電極接合時の熱履歴によって、埋没した積層セラコン下ではんだフラッシュと呼ばれる短絡が発生することがある。
【解決手段】アンダーフィル封止後の半導体パッケージに塗布するバックフィルを、連続気泡多孔体材料とすることで、熱履歴時の樹脂と突起電極膨張から発生する内部圧力の緩和と放熱を行い、樹脂と受動部品間の剥離を防ぐ。これにより半導体パッケージをPWBに2次実装する際に起こりやすいはんだフラッシュを防止する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、耐熱性、耐候性、耐油性、耐寒性、電気絶縁性等の一般的な特性を有する上、粉体状の成分を添加しなくても光透過性が低く、内部の構造を隠蔽でき、低粘度で流動性が良好なシリコーンゲル組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 (A)組成が異なるオルガノポリシロキサンを含むオルガノポリシロキサン混合物であって、前記オルガノポリシロキサン混合物に含まれるオルガノポリシロキサンの25℃における屈折率の差が0.05〜0.12であるオルガノポリシロキサン混合物、
(B)珪素原子に結合した水素原子を1分子中に少なくとも2個有するオルガノハイドロジェンシロキサン、及び
(C)白金系触媒
を含有するシリコーンゲル組成物であって、該シリコーンゲル組成物を硬化させた硬化物のJISK2207で規定される針入度が10〜200であることを特徴とするシリコーンゲル組成物。 (もっと読む)


【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】電子部品用液状樹脂組成物を、エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記式(III)で表される構造部位を有する化合物を含有せしめて構成する。
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【課題】誤った方向でコネクタと嵌合することを確実に防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板1と、回路基板1上に設けられる光半導体素子3と、回路基板1上に形成され、光半導体素子3を被覆する直方体または立方体状の被覆樹脂7と、を備え、被覆樹脂7の外面に、少なくとも1つの切り欠き部10が形成されており、切り欠き部10が1つ形成される場合、切り欠き部10は被覆樹脂7の上面の中心を除く位置に形成され、切り欠き部10が複数形成される場合、切り欠き部10は被覆樹脂7の上面の中心に対して、非点対称である位置に形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージを傷つけることなく安定した状態で確実に持ち上げて搬送でき、また、半導体パッケージを搬送する搬送装置の製造コストや維持費も低く抑えることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ4を含む板状のパッケージ本体2を備え、当該パッケージ本体2の側部に、パッケージ本体2の板厚方向に段差が形成されることで、搬送用の治具100をパッケージ本体2の板厚方向の一方側から当接させる支持用段差部8が画成され、この支持用段差部8が、少なくとも平面視したパッケージ本体2を側部から挟み込むような位置に形成された半導体パッケージ1を提供する。 (もっと読む)


【課題】適度な粘度(吐出性)と、非流動性(加熱硬化時の形状安定性)及び光の反射性に優れ、特にLED用光反射材に使用される自己接着性を有する付加硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)一分子中に珪素原子に結合するアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン:100質量部、
(B)一分子中に少なくとも2個の珪素原子に結合する水素原子と少なくとも1個のアルコキシ基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:上記(A)成分の総アルケニル基数に対して総Si−H基数が1.4〜5.0倍となる量、
(C)煙霧質シリカ:(A)、(B)成分の合計100質量部に対し8〜30質量部、
(D)白色顔料、
(E)硬化触媒
を含有する光半導体装置に対する自己接着性付加硬化型シリコーン組成物。 (もっと読む)


【課題】エッチングリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物半導体パッケージのいくつかの典型的な実施形態を開示する。その一実施形態は、III族窒化物トランジスタのソースの上にスタックしたダイオードのアノードと、III族窒化物トランジスタのゲートおよびダイオードのアノードに結合した第1のリードフレームパドル部分およびIII族窒化物トランジスタのドレインに結合した第2のリードフレームパドル部分を形成するようにエッチングしたリードフレームとを有するIII族窒化物トランジスタからなる。これらリードフレームパドル部分は、パッケージを表面実装するのを可能にする。かくして、従来のワイヤーボンディングパッケージに比べて、縮小パッケージフットプリント、改善されたサージ電流耐性および高性能とを達成することができる。さらに、多重パッケージを一度に組み立て得るから、個別のパッケージ処理と外部供給部品を要求する従来の方法に比べて、高集積とコスト削減を達成することができる。 (もっと読む)


【課題】高熱伝導率と高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填材を含有し、(C)無機充填材が平均径0.5μm以上1.0μm未満の球状アルミナ(1)と平均径1.0μm以上3.0μm未満の球状アルミナ(2)との混合物を含み、且つ(D)塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはpH値が7を超えるものである液状封止樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】低ガス透過性で光半導体封止に適するシリコーン樹脂組成物。
【解決手段】(A)平均組成式(1)で示され、2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン(RSiO3/2(RSiO)(RSiO1/2)(RSiO3/2(1)(式中、Rはアリール基、Rは一価炭化水素基であり、Rはアリール基以外の一価炭化水素基であり、aは0.3〜0.9であり、但しa+b+c=1.0)(B)両末端及び片末端にSiH基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが10:90〜90:10のモル比でなるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、成分中のSiH/アルケニル基のモル比が0.4〜4.0となる量(C)付加反応用触媒を含有するシリコーン樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも2層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂(A)及び平均粒径0.1μm以上5μm以下、且つ、最大粒径10μm以下であり、熱伝導率が2W/(m・K)以上の無機フィラー(B)を含有する第1の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 (もっと読む)


【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第1のヤング率を有する第1の樹脂層と、前記第1のヤング率よりも大きな値の第2のヤング率を有する第2の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、複数のベアチップを樹脂材料で封止した樹脂モールド基板の製造方法と樹脂モールド基板に関するものである。
【解決手段】 本発明の樹脂モールド基板の製造方法は、ベアチップを樹脂材料で封止した樹脂モールド基板の製造方法であって、1つ以上のベアチップの周りを囲む枠を第1の樹脂材料を用いて形成する枠形成工程と、ベアチップが配置された枠の内側に、第2の樹脂材料を充填してベアチップを封止する封止工程と、を有するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】電磁シールド機能を備えていて、小型・薄型化と低コスト化とを共に実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一つ以上の半導体装置用回路が面付けされた回路基板1に対して一つ以上の電子部品2を実装する。さらに、回路基板1に形成されたグランド接続用のランド上において、電子部品2を囲むようにして側壁シールド金属部品(金属部品)4を実装する。その後、電子部品2の上面を覆い、かつ側壁シールド金属部品4の上端の一部が電気接点として露出されるように、封止樹脂(絶縁性樹脂)3で封止する。そして、封止樹脂3の上部を覆い、かつ側壁シールド金属部品4の電気接点と接続されるようにシールド層(導電層)5を形成する。その後、側壁シールド金属部品4を両端に残して回路基板1を切断することにより、個片化された電磁シールド機能付き半導体装置7aが製造される。 (もっと読む)


【課題】温度サイクル等の印加時にアンダーフィル樹脂の剥離を抑制し、半導体チップの断線不良等を防止することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置10は、配線基板1と、この配線基板1上に搭載された半導体チップ積層体2と、半導体チップ積層体の各半導体チップ間に充填されたアンダーフィル4層と、半導体チップ積層体2等の外側に被覆・形成されたモールド樹脂硬化物の封止層8とを備える。アンダーフィル層4は、アミン系の硬化剤を含むアンダーフィル樹脂の硬化物であり、Tgが65℃以上100℃以下の硬化物により構成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高い耐熱性、耐光性を有し、ガスバリア性、耐冷熱衝撃性、光取り出し効率性に優れるポリシロキサン系組成物、該組成物を用いてなる封止剤、および光学デバイスを提供する。
【解決手段】以下、(A)、(B)、(C)成分からなるポリシロキサン系組成物。
(A)アルケニル基含有多面体構造ポリシロキサン系化合物(a)に対して、ヒドロシリル基を有する化合物(b)を変性して得られた多面体構造ポリシロキサン変性体、
(B)1分子中にアルケニル基を2個以上有するオルガノポリシロキサン、
(C)1分子中に炭素−炭素2重結合を1個有する環状オレフィン化合物 (もっと読む)


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