【課題】 シールド構造を具備したモジュール部品において、金属箔からなるシールド層へのクラックの発生を防止でき、更なる薄型化を低コストに実現できるモジュール部品及びモジュール部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 モジュール部品１０及びモジュール部品１０の製造方法は、回路基板１１の第１の面に複数の電子部品１２と主要電子部品１３とが配置され、主要電子部品１３の接続部を保護する補強樹脂と、電子部品１２の表面および回路基板１１の第１の面を皮膜する絶縁性樹脂層１４と、絶縁性樹脂層１４を覆い回路基板１１のグランドパターン１６に接続された導電性樹脂層１５と、を具備し、補強樹脂と絶縁性樹脂層１４とが同一樹脂にて一連して形成され、且つ絶縁性樹脂層１４の上面が主要電子部品１３の上面よりも低いか同じである。 （もっと読む）

【課題】特定温度以上の加熱により優れたリペア性を発現し、通常のヒートサイクルの熱衝撃に対しては、優れた電気的動作を維持することができる、液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、及び発泡剤を含む液状エポキシ樹脂組成物であって、発泡剤が熱分解型発泡剤であることとする。 （もっと読む）

【課題】内蔵する電子部品の位置精度が向上する電子部品内蔵モジュール、電子部品内蔵モジュールの製造方法及び電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シートを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュールは、配線パターンと、配線パターンと電気的に接続する電子部品と、電子部品が搭載される第１樹脂と、電子部品と第１樹脂とを覆う第２樹脂と、を有し、第１樹脂は、未硬化の状態で、示差走査熱量測定により測定した発熱量が温度に対して発熱ピークを含み、常温より高い温度かつ発熱ピーク以下の範囲で、発熱ピークの発熱量の１／１０の発熱量となる温度の上限が１００℃以上となる。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、（Ｅ）アミノ基を含有するシランカップリング剤と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールのＸ線解析を防止することにより耐タンパ性を具備する電子回路モジュールを提供する。
【解決手段】プリント基板アセンブリからなる電子回路部を第２筐体５１に収容し、第２筐体に収容された電子回路部を第１筐体１で覆い、第２筐体内部に絶縁性の高い第１封止剤５５を注入し、第１筐体と第２筐体の間に、耐タンパ性を考慮した、Ｘ線透過が容易でない金属フィラー入りの第２封止剤５６を注入する。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、かつ、先供給方式によりフリップチップ接続を行う場合でも充分な接続信頼性を得ることが可能な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤及びフラックス剤を含み、硬化促進剤がイミダゾール類の有機酸付加体である、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。前記有機酸が、イソシアヌル酸、芳香族カルボン酸及びルイス酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機酸である、上記に記載の半導体封止充填用エポキシ樹脂素組成物６である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部基板を接合する接合樹脂による接合応力を均一化し、半導体チップのトランジスタ特性変動が生じない半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ組立において、半導体チップ１と外部基板１３の間に接合樹脂１７を注入して接合させる際、本接合樹脂を２種類にわけ、半導体チップ１の中心部分には低応力接合樹脂２３、周辺部分には高応力接合樹脂２１を注入したり、半導体チップ１の中心部分にはＳｉＮ等をはじめとした第１層表面保護膜とポリイミドやＰＢＯ等をはじめとした第２層表面保護膜の２層構造、周辺部分にはＳｉＮ等をはじめとした第１層表面保護膜の１層構造とすることにより、半導体チップ１内のトランジスタ特性変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】粘度が低く、侵入性が良好で、シリコンチップの表面等との密着性に優れ、かつ強靭性に優れた硬化物を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤、及び（Ｃ）平均粒径が０．１〜３μｍのシリカである無機充填剤Ａと平均粒径が５〜７０ｎｍの非晶質ナノシリカである無機充填剤Ｂからなる無機充填剤であって、該無機充填剤Ｂが下記式（１）及び／又は（２）で表されるシランカップリング剤で表面処理されてなる無機充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。


（式中、ｎは１〜５の整数、ｍは１又は２である。） （もっと読む）

【課題】吊りリードの絶縁性を確保しつつ、パッケージを小型化することができる樹脂封止型半導体装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１０，１２上に半導体チップ２０，２２が搭載されている。ダイパッド１２から離れてリード端子１６が配置されている。半導体チップ２２とリード端子１６はワイヤ２４により接続されている。ダイパッド１０に吊りリード１８が接続されている。これらのダイパッド１０，１２、半導体チップ２０，２２、リード端子１６の一部、ワイヤ２４、及び吊りリード１８の一部は、モールド樹脂３０により封止されている。リード端子１６は、モールド樹脂３０の側面から外部に突出している。モールド樹脂３０の側面には切り欠き３６が形成されている。吊りリード１８は、切り欠き３６の奥からモールド樹脂３０の外部に突出している。吊りリード１８のモールド樹脂３０の外部に突出した部分は、ポッティング樹脂５２により覆われている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低粘度であり狭ピッチや狭ギャップへの浸入性がよいアンダーフィル材であって、低吸湿であり、かつシリコンチップやパッシベーション膜材料に対する高い接着性を有する硬化物を提供するアンダーフィル材及び該アンダーフィル材の硬化物で封止された半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】
（Ａ）（Ａ−１）１分子中に２つ以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂及び／又はエポキシ化合物 ５０〜９９質量部、及び（Ａ−２）ビフェニル構造を有する単官能エポキシ化合物 １〜５０質量部（但し、（Ａ−１）と（Ａ−２）の合計は１００質量部である）
（Ｂ）アミン系硬化剤 （Ｂ）成分中のアミノ基のモル量に対する（Ａ）成分中のエポキシ基のモル量が０．７〜１．２となる量、
（Ｃ）無機充填剤 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し５０〜３００質量部、及び
（Ｄ）ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を被覆してなるシリコーン微粒子 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し１〜１５質量部
を含有するアンダーフィル材。 （もっと読む）

【課題】電気的な接続不良が生じることが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】モールドＩＣ（１０）と、筐体（２０）と、ターミナル（３０）と、ポッティング剤（４０）と、を有し、モールドＩＣ（１０）が筐体（２０）の底部（２１）内面に固定され、モールドＩＣ（１０）のリード（１１）と、ターミナル（３０）における筐体（２０）の収納空間内に突出した突出部位（３１）との電気的な接続部位（３１ａ）が、収納空間内の一部を充填するポッティング剤（４０）によって被覆された半導体装置であって、底部（２１）と突出部位（３１）との間に、ポッティング剤（４０）よりも線膨張係数及びヤング率の少なくとも一方が低い材料から成る低応力部（５０）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成形性に優れ、なおかつトランスファー成形時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料および（Ｆ）カップリング剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成形温度が１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さい半導体封止材料、及び、該半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】
分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で固体の脂環式エポキシ化合物Ａ、分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で液体の脂環式エポキシ化合物Ｂ、２５℃で液体の硬化剤、硬化促進剤、及びシリカを含有し、かつ、前記脂環式エポキシ化合物Ａの含有量に対する脂環式エポキシ化合物Ｂの含有量の割合が、（脂環式エポキシ化合物Ｂ）／（脂環式エポキシ化合物Ａ）の重量比で０．５〜２であることを特徴とする半導体封止材料、並びに、該半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】薄型で安価な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、リードフレームと、ＬＥＤチップと、透明樹脂と、ハウジング樹脂とを備えている。透明樹脂は、ＬＥＤチップ及びリードフレームの上面を覆うとともに第１のリードフレームと第２のリードフレームとの間に充填され、一部がリードフレームの下面側に露出されている。ハウジング樹脂は、リードフレーム上に設けられ、透明樹脂の上面を覆う上部と、透明樹脂の側面を覆う側面部と、透明樹脂の側面の一部を露出させる開口部とを有する。 （もっと読む）

【課題】透明でかつ厚膜形成が可能であり、しかも耐光性に優れた封止材用組成物、その封止材用組成物を用いた発光デバイスおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表されるシルセスオキサンおよび／またはその重合体からなる有機ケイ素化合物と、下記の一般式（２）で表されるシルセスオキサンおよび／またはその重合体からなるフッ素含有有機ケイ素化合物とを含むことを特徴とする封止材用組成物。
（Ｒ^１ＳｉＯ_１．５）_ｎ ・・・（１）
（Ｒ^２ＳｉＯ_１．５）_ｎ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】Ｂステージ化した後、常温に戻した段階でのタック値が低く、リフロー時の温度域での溶融粘度が低く、Ｂステージ化した後の透明性に優れたウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法の提供。
【解決手段】（Ａ）結晶性エポキシ樹脂、（Ｂ）結晶性フェノール樹脂、（Ｃ）有機酸、（Ｄ）硬化触媒、および、（Ｅ）溶剤よりなり、前記（Ａ）結晶性エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格を有するものを含むことを特徴とするウェハレベルアンダーフィル組成物。 （もっと読む）

【課題】微粒子やポリマーを配合することなく、強靭化されたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤、（ｃ）分子内に少なくとも一つ以上のアクリル基を有する改質剤を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物が、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤を含む樹脂組成物の硬化物よりも強靭化されている、エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の耐光性、およびプライマー層のガス遮断性の機能を保ちながら、材料構成を変更せず、封止樹脂の接着性を向上させる発光部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子とガス遮断性の高いプライマー層とを、耐光性が優れる封止樹脂で封止すると共に、上記プライマー層をガス遮断層と、封止樹脂の接着性を向上させる密着層からなる多層構造とすることで、封止樹脂の接着性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージの樹脂塗布装置、及びこれを用いる発光素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】内部に液状樹脂が充填される樹脂貯蔵手段１１と、上記樹脂貯蔵手段１１下部に結合されて樹脂が吐出される樹脂吐出手段１２を含む樹脂塗布部１０と、樹脂塗布のとき上面に発光素子パッケージ５０が配置される領域を有し、上記配置される発光素子パッケージ５０と電気的に接続されるように構成された支持部２０と、上記樹脂塗布部１０と上記支持部２０には両端子が接続され、電圧を印加する電圧印加部４０と、上記樹脂塗布部１０及び上記支持部２０にそれぞれ電気的に接続され、上記樹脂塗布部１０と上記発光素子パッケージ５０の接触を電気信号で感知する感知部３０とを含む発光素子パッケージの樹脂塗布装置１００及びこれを用いる発光素子パッケージ５０の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高いガラス転移温度を有し長期耐熱性に優れ、デバイスとしての信頼性を向上させることができる高耐熱性を備えた熱硬化性樹脂組成物硬化体の製法を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を１００〜２００℃の温度にて１〜６０分間加熱した後、さらに２２０〜３５０℃の温度で１０〜６０００分間加熱することにより上記熱硬化性樹脂組成物を硬化させ硬化物を作製する。
（Ａ）アリル化ナフトール樹脂。
（Ｂ）エポキシ樹脂。
（Ｃ）硬化促進剤。 （もっと読む）