【課題】耐衝撃性に優れる樹脂組成物、封止剤、接着フィルムまたはシートを提供する。
【解決手段】エポキシ基を０．０３〜１０重量％含有し、１９０℃におけるメルトフローレートが１００ｇ／１０ｍｉｎ以上であるエチレン−（メタ）アクリル酸エステル系共重合体（Ａ）と、前記（Ａ）とは異なるエポキシ樹脂（Ｂ）とを含む樹脂組成物。該樹脂組成物と、硬化剤を混合して得られる封止剤。該樹脂組成物と硬化剤との混合物から形成されている、接着フィルムまたはシート。 （もっと読む）

【課題】溶融時の流動性及びパッケージの耐反り性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂をエポキシ樹脂組成物全量中２〜１５質量％含有し、可撓剤をエポキシ樹脂組成物全量中０．８〜４．５質量％含有し、上記エポキシ樹脂が式（１）で示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中３０〜１００質量％含有するものであり、上記可撓剤が式（２）で示されるアミノ変性シリコーンを全可撓剤中５０〜１００質量％含有するものである半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、溶融時の流動性及びパッケージの耐反り性に優れる。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、作業性、高流動性、耐燃性、耐半田クラック性のバランスに優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体を封止するのに用いられるエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ当量が３５０ｇ／ｅｑ以上、６００ｇ／ｅｑ以下である特定のビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ−１）と、結晶性エポキシ化合物（Ａ−２）と、特定のノボラック型フェノール樹脂（Ｂ）と、当該樹脂組成物の全量に対する配合割合が７５質量％以上、９３質量％以下である無機充填材（Ｃ）と、を含み、特定の全ノボラック型フェノール樹脂（Ｂ）の混合物における軟化点が５５℃以上、９０℃以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、ならびに、その半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】難燃性や耐熱性、成形収縮率、曲げ強度及び成形性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を提供し、耐湿性等の信頼性に優れた半導体中空パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）軟化点７０℃以上のフェノール系硬化剤、（Ｃ）イミダゾール系硬化促進剤、および（Ｄ）無機充填材を含有し、硬化後のガラス転移温度が１３０℃以上である、封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する。下記一般式（１）において、ｌは０〜１０の整数を表し、Ｒ_１〜Ｒ_４は水素又は炭化水素基を表し、互いに同じでも異なってもよい。
【化１】
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【課題】 硬化性を低下させずに流動性、耐半田リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で示されるシラン化合物（Ｉ）を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】


（式（Ｉ）で、Ｒ^１は炭素数５〜８のシクロアルキル基又はシクロアルケニル基を示し、Ｒ^２はＲ^１と同じ又は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、Ｒ^３は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、Ｒ^１〜Ｒ^３で示す基の水素原子の一部が置換されていても良く、ｐは１〜３の整数を示し、ｑは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】トリグリシジルイソシアヌレート類をエポキシ主剤として使用する光半導体封止用樹脂組成物に高チクソ性を付与し、しかもその硬化物に経時的に良好な透明性と良好な耐クラック性と良好な耐熱光耐久性とを同時に付与する。
【解決手段】光半導体封止用樹脂組成物は、トリグリシジルイソシアヌレート類を含有するエポキシ成分と、酸無水物系硬化剤と、重量平均分子量が２００００〜６５０００、粘度が１００〜１００００Ｐａ・ｓであるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル系樹脂と、硬化促進剤とを含有し、粘度が１０〜２００Ｐａ・ｓであり、且つチクソトロピックインデックスが３〜１５である。 （もっと読む）

【課題】難燃性が高く、ワイヤー流れ量が小さい良好な成形性を有する樹脂組成物、特に半導体封止材を提供する。また、そのような樹脂組成物を調製するのに好適な非晶質シリカ質粉末と、非晶質シリカ質粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５μｍ以上６０μｍ以下、最大粒子径が７５μｍ以下、相対密度が８５％以上であり、粒子径３０μｍ以上７５μｍ以下の粒子における、粒子内部に粒子径の３０％以下の径の空隙を含有する粒子の割合が１０％以上である非晶質シリカ質粉末。シリカ質原料粉末を、シリカ質原料粉末１ｋｇあたりの熱量を１５ＭＪ／ｋｇ以上２５ＭＪ／ｋｇ以下としたプロパンガスと酸素ガスとで形成した火炎中に噴射して溶融、非晶質化した後、さらに同様の熱量でもう一度溶融し、粒子融着指数を３．０以上７．０以下とし、溶融後の粉末を７５μｍ以下の目開きの網で篩うことを特徴とする非晶質シリカ質粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チオール系硬化剤の有する高い硬化性を維持しつつ、臭気を充分に抑制したエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有する室温で液状のエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化剤が、末端に下記式（１）で表される官能基を有するチオール系硬化剤を含み、前記チオール系硬化剤の含有量が、前記硬化剤全量に対して、２０質量％以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。



（式（１）中、Ｒは、アルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】成形性に優れ、無機充填材と複合化させた場合の熱伝導率が高く、かつ低熱膨張性で耐熱性および耐湿性に優れた成形物を与えるエポキシ樹脂組成物を提供し、更にそれを用いた成形物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び硬化剤、またはこれらと無機充填材を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂成分として、オキシメチレン基を持つエポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分中５０ｗｔ％以上用い、硬化剤成分として、二官能フェノール性化合物を硬化剤成分中５０ｗｔ％以上用いて得られるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、光学材料やコーティング材料等に適する、常温で固体の脂環式エポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】以下の（ａ）〜（ｄ）の規定を満足する脂環式エポキシ樹脂。
（ａ）エポキシ当量が５００〜１０，０００である。
（ｂ）核水素化率が９６％以上である。
（ｃ）ＪＩＳ−Ｋ−７２３４の環球法における軟化温度が４０〜２００℃である。
（ｄ）波長４００ｎｍで測定した光線透過率が９０％以上である。 （もっと読む）

【課題】光半導体封止材として、混練または混合行程のみでトランスファ成型時の反応性に優れ、同時にボイドの巻き込みの回避、脱型時の高熱時硬度、ゲートブレイク性に優れた硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定のエポキシ樹脂成分（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の配合バランスを精密に制御し、且つ多官能酸無水物硬化剤成分（Ｄ）、フェノール系硬化剤成分（Ｅ）を特定の比率で配合した硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた実装構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の回路基板３の側端面に配線電極７が露出するように配設される。第１の回路基板３にＩＣチップを含む半導体部品１並びに電子部品２Ａおよび２Ｂが実装される。半導体部品１並びに電子部品の少なくとも一部を覆うように樹脂からなるモールド体５が形成される。モールド体５の表面を、導電性材料からなる被覆部６が多い、その被覆部６が、配線電極７と接触するように形成される。 （もっと読む）

【課題】常温での取扱性に優れ溶融混練を経るコンパウンド化や成形が容易であり、かつ、硬化物において難燃性、耐熱性や耐湿性に優れるエポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料、及びこれを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物、半導体装置を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）が１，４−ジヒドロキシナフタレンとエピハロヒドリンとを反応させて得られる、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により毎分３℃の速度で昇温して測定した融解ピークの頂点が８０℃以上１０５℃以下にあるナフタレン型エポキシ樹脂結晶化物であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】成形性に優れ、無機充填材と複合化させた場合の熱伝導率が高く、かつ低熱膨張性で耐湿性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を提供し、更にそれを用いた硬化物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び硬化剤、またはこれらと無機充填材を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、硬化剤成分として、ジフェニルエステル構造を有するフェノール性化合物を硬化剤成分中５０ｗｔ％以上用いて得られるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系難燃剤等の難燃剤を用いず、かつ、無機充填材を多量に含有させなくても、耐炎性の優れ、かつ、粘度の充分に低いエポキシ樹脂組成物を得ることを目的とする。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填材を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂が、特定の構造を有するフェニルフェノールノボラック型エポキシ樹脂と、ビフェニル型エポキシ樹脂とを含み、前記フェニルフェノールノボラック型エポキシ樹脂の含有量が、前記エポキシ樹脂全量に対して、４０〜８０質量％であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】低透湿性を有し、また、透明性及び高屈折率を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ化合物、及び、
（ｂ）前記エポキシ化合物と反応性の架橋性基を２個以上有する化合物、
を含むエポキシ樹脂組成物であって、
（ａ）／（ｂ）の質量比が０．３〜３であり、そして前記エポキシ樹脂組成物の屈折率が１．６以上である、
エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】顆粒状の半導体封止用樹脂組成物を用いて圧縮成形により半導体素子を封止して半導体装置を得る場合において、良好な充填性が得られ、ワイヤのショート不良が発生し難いという、圧縮成形時の歩留まりや半導体装置における品質を高めることができる半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧縮成形により半導体素子を封止してなる半導体装置に用いられる顆粒状の半導体封止用樹脂組成物であって、誘電分析装置にて測定温度１７５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件にて測定した際に、下記ａ）〜ｃ）を満たすことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
ａ）測定開始から最低イオン粘度に到達するまでの時間が２０秒以下である。
ｂ）最低イオン粘度値が６．５以下である。
ｃ）測定開始から最低イオン粘度に到達するまでの時間と、測定開始から３００秒後におけるイオン粘度値の９０％のイオン粘度値に到達するまでの時間と、の間隔が１０秒以上である。 （もっと読む）

【課題】 冷熱サイクル負荷、高温高湿負荷、高温負荷等の環境負荷に対する耐久性に優れる電気電子部品封止体を提供すること、それに適した電気電子部品封止体の製造方法および電気電子部品封止用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 結晶性ポリエステル樹脂（Ａ）１００質量部に対しエポキシ樹脂（Ｂ）０．１〜５０質量部およびポリオレフィン樹脂（Ｃ）０．５〜５０質量部が配合されており、 水分率０．１％以下に乾燥して２２０℃に加熱し圧力１ＭＰａを付与し、孔径１．０ｍｍ、厚み１０ｍｍのダイより押出したときの溶融粘度が５ｄＰａ・ｓ以上２０００ｄＰａ・ｓ以下であり、 ガラスフィラー３０重量％入りポリブチレンテレフタレート板に対する、−４０℃３０分と８０℃３０分の冷熱サイクルを１０００サイクル付加した後の初期せん断密着強度に対するせん断密着強度保持率が５０％以上であり、 ガラスエポキシ板に対する、−４０℃３０分と８０℃３０分の冷熱サイクルを１０００サイクル付加した後の初期せん断密着強度に対するせん断密着強度保持率が５０％以上である、 電気電子部品封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた耐半田性を有しながらも、良好な離型性をも兼ね備えた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに、下記の（Ｄ）成分を含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）下記の一般式（１）で表される化合物からなる離型剤。
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【課題】本発明は熱伝導性に優れた樹脂組成物、半導体封止材料、プリプレグ及び硬化物を提供することを目的とする。
【解決手段】
ジヒドロキシナフタレン類とエピハロヒドリンとを反応させることにより得られるエポキシ樹脂、硬化剤及び、熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填材を含有してなるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）