【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）式（１）の化合物を５質量％以上含有する芳香族アミン系硬化剤、（Ｃ）無機充填剤を含有する組成物において、無機充填剤として、粒子径１０μｍ以上の粒子の含有率が５，０００ｐｐｍ以下、かつ平均粒子径が１〜５μｍであり、０．２μｍ以下の粒子の割合が０．２〜２０質量％である高流動性球状シリカ粉末粒子を使用すると共に、このシリカ粉末粒子の組成物中の含有率が６０〜８５質量％である半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化１】


（Ｒ¹〜Ｒ³は一価炭化水素基、ＣＨ₃Ｓ−又はＣ₂Ｈ₅Ｓ−）
【効果】 本発明の組成物は、粘度が低く、作業性に優れ、シリコンチップの表面との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー温度が上昇しても不良が発生せず、更に高温多湿の条件下でも劣化せず、温度サイクルにおいても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、実装時にボイドの発生がない封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用液状エポキシ樹脂組成物で封止した素子を備えた電子部品装置を提供しようとするものである。
【解決手段】下記一般式(I)で示される単官能縮合多環オキサジン化合物（Ａ）を含有する封止用液状エポキシ樹脂組成物。
【化１】


（一般式（I）中、[Ａ]は隣接する炭素原子をオキサジン環を共有して縮合環を形成する単環又は縮合多環芳香族炭化水素環を示し、Ｒ^１及びＲ^２は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜４の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】 硬化性や耐熱性が飛躍的に改善されるとともに、従来に比較して著しく金型汚れおよび成型品表面の汚れが少なく、かつ色相が良好であるエポキシ樹脂の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ２価フェノール類（ｘ１）とアルデヒド類（ｘ２）とを酸性触媒（Ｉ）の存在下、１２０℃以下で縮合反応させて多価フェノール類（ａ）を得た後、中和及び／又は水洗し、引き続きエピハロヒドリン（ｘ３）を加え、塩基性触媒（ＩＩ）の存在下にグリシジルエーテル化反応させてエポキシ樹脂（Ａ）を得ることを特徴とするエポキシ樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を成形、封止等する際の樹脂の充填性を向上させることができる半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、成形温度におけるゲル化時間が１５秒以上２７秒以下で、かつ、（Ｄ）成分の含有量が、半導体封止用樹脂組成物全体の８６〜９５重量％の範囲内に設定されている半導体封止用樹脂組成物である。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性、高温通電特性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】１５０℃を超える高温環境下での動作保証を要求される電子部品に使用される半導体装置を封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）一般式（１）で示される水酸化アルミニウム及び（Ｆ）一般式（２）で示される金属水酸化物固溶体を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Ａｌ₂Ｏ₃（Ｈ₂Ｏ）_n （１）
（ｎは２＜ｎ＜３の数）
Ｍｇ_(1-x)Ｍ²⁺_x（ＯＨ）₂ （２）
（式中Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺及びＺｎ²⁺からなる群から選ばれた少なくとも１種の二価金属イオンを示し、ｘは０．０１≦ｘ≦０．５の数を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体素子を成形、封止等する際の樹脂の充填性を向上させることができる、半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、成形温度における熱時硬度（ショアーＤ硬度）が７０以上８０以下である半導体封止用樹脂組成物である。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、液状樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面にはんだ電極を有する半導体チップを封止する半導体装置及び表示素子の製造方法において、良好なはんだ接続性と高信頼性を同時に満足する半導体装置及び表示素子を得ることである。
【解決手段】 常温で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂（Ａ）、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基と少なくとも１個の芳香族カルボキシル基を有する硬化剤（Ｂ）、及びフェノール性水酸基を１分子あたり3個以上有する硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 配線幅の狭い半導体装置においても漏れ電流が発生し難い高誘電率特性を有し、かつ成形性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）１〜１０重量％の酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムを必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくは前記酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体に対して７５〜９５重量％である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、シリコーンゴムを必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、該エポキシ樹脂の２０〜８０質量％がビフェニル型エポキシ樹脂であり、該無機充填材の９９．９質量％以上が粒径２０μｍ以下であり、該シリコーンゴムの添加量が全エポキシ樹脂組成物の３〜１０質量％であり、該エポキシ樹脂組成物のゲルタイムが４５〜８０秒であり、該硬化剤が特定の構造のフェノール樹脂からなり、該エポキシ樹脂のビフェニル型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂として、特定の構造の化合物を用いることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物は、ＷＬ−ＣＳＰ用の、充填性、低反り性、高信頼性を併せ持つ封止材として使用可能である。 （もっと読む）

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材および（Ｅ）トリアゾール系化合物を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくは上記トリアゾール系化合物が一般式（１）で示される化合物である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】


（式１）（式中、Ｒ１は水素原子、またはメルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基を末端に含む炭素数１〜８の炭化水素鎖を示す。） （もっと読む）

アンダーフィル材料として使用するための溶媒改質樹脂組成物が提供される。この組成物は、１種以上のエポキシ樹脂、１種以上の溶剤、及び官能化コロイダルシリカのフィラーを有する。この溶媒改質樹脂組成物は、透明なＢステージ樹脂フィルムを調製するのに有用である。開示の諸実施形態は、ウェハレベルのアンダーフィル、及び電子チップのための封止材としての使用を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性及び半田クラック性に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、モリブデン酸亜鉛、金属水酸化物固溶体又はほう酸亜鉛から選ばれる１種以上を、チタネート系カップリング剤又はアルミニウム系カップリング剤により表面処理し、該カップリング剤表面処理物を前記エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂の全部又は一部と予め溶融混練した後、前記残余の成分と混合して溶融混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高融点半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）軟化温度が６０〜９０℃、重量平均分子量が１０００以上で、メチロール基を有するフェノール樹脂であって、該フェノール樹脂単独で硬化させた成形品の抽出水電導度が１００μｓ／ｃｍ以下である高純度フェノール樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して前記（Ｄ）無機質充填剤を２５〜９３重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、その樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止された半導体封止装置である。 （もっと読む）

【解決手段】 硬化促進剤として下記一般式（１）で表されるホスフィンオキシド化合物を必須の成分とし、フェノール−ジシクロペンタジエン樹脂類から得られるエポキシ樹脂と、硬化剤として水酸基の１０モル％〜１００モル％が芳香族アシル基によりエステル化された２官能以上のエステル含有化合物またはエステル含有樹脂とを含有してなるエポキシ樹脂組成物。


（式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₆ は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基またはアラルキル基を示す。）
【効果】 従来にない低吸湿性を実現し、特に半導体封止材用途において、従来の硬化物に比べ、極めて優れた耐クラック性を有するパッケージを与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）