【課題】モールド樹脂で封止された半導体装置において、絶縁耐圧の高い電力制御用の半導体装置を提供する。
【解決手段】電力制御用の半導体装置１は、電極部４０Ａを有する低電圧側の第１電極端子４０と、電極部５０Ａを有する高電圧側の第２電極端子５０と、電極部４０Ａ，５０Ａに接続されているスイッチング素子１０と、スイッチング素子１０をモールド樹脂で封止する封止部８０とを備えている。絶縁シート４３，５３は封止部８０から露出するように電極部４０Ａ，５０Ａの第２面４２，５２に設けられている。絶縁シート４３，５３は第２面４２，５２よりも大きい形状とされている。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】本体部の外面上に複数の外部端子を配置した半導体装置において、本体部を大型化させたり部品点数を増加させることなく外部端子間の絶縁距離の増大を図る。
【解決手段】複数の外部端子１２の少なくとも一つに、他の外部端子側を向く部位を切り欠く切り欠き部１７が設けられ、この切り欠き部１７によって、前記一つの外部端子１２のネジ挿通孔１６が前記他の外部端子側に向けて開放される。 （もっと読む）

【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、スタックド構造のＭＣＰ製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低誘電正接、優れた耐熱性および難燃性を兼ね備え電子部品用途に好適な硬化物を与える活性エステル樹脂、熱硬化性樹脂組成物、及びそれからなる半導体封止材料、回路基板、ビルドアップフィルムを提供すること。
【解決手段】


（ｎは１以上の整数）と芳香族モノ及び／又はジカルボン酸のエステル樹脂（Ａ）および、（Ａ）を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物、該組成物の硬化物、該硬化物からなる半導体封止材料、回路基板、およびビルドアップフィルム。 （もっと読む）

【課題】寸法精度良くダイシングすることができるモジュール部品の製造方法、モジュール部品の製造装置及びモジュール部品集合体を提供する。
【解決手段】モジュール部品の製造方法は、回路基板の第一の面に複数の電子部品及び樹脂層が配置されたモジュール部品集合体の加工工程Ｓ０１と、前記モジュール部品集合体を加熱する加熱工程Ｓ０２と、前記加熱された前記モジュール部品集合体をダイシングするダイシング工程Ｓ０６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂５０を樹脂５０ａに磁性材料５０ｂを混入して構成する領域を有しるものとする。または、隣接するリード３０の間に配置されるモールド樹脂５０を、樹脂５０ａに誘電性材料５０ｃを混入して構成する。これによれば、半導体装置のインダクタンスまたは容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。したがって、増幅されるノイズの周波数を低くすることができ、当該ノイズが増幅されたとしても半導体チップ２０に対する影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐熱性、耐候性、耐油性、耐寒性、電気絶縁性等の一般的な特性を有する上、粉体状の成分を添加しなくても光透過性が低く、内部の構造を隠蔽でき、低粘度で流動性が良好なシリコーンゲル組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）組成が異なるオルガノポリシロキサンを含むオルガノポリシロキサン混合物であって、前記オルガノポリシロキサン混合物に含まれるオルガノポリシロキサンの２５℃における屈折率の差が０．０５〜０．１２であるオルガノポリシロキサン混合物、
（Ｂ）珪素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンシロキサン、及び
（Ｃ）白金系触媒
を含有するシリコーンゲル組成物であって、該シリコーンゲル組成物を硬化させた硬化物のＪＩＳＫ２２０７で規定される針入度が１０〜２００であることを特徴とするシリコーンゲル組成物。 （もっと読む）

【課題】その硬化物において低誘電率、低誘電正接でありながら、優れた耐熱性を兼備させた熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、これらの性能を発現する半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂用硬化剤とを必須成分とすることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂用硬化剤として、脂肪族環状炭化水素基を介してフェノール類が結節された分子構造を有するフェノール樹脂（ａ−１）、芳香族ジカルボン酸又はそのハライド（ａ−２）、及び、芳香族モノヒドロキシ化合物（a-３）を反応させて得られる構造を有する活性エステル樹脂（Ａ１）と、不飽和脂環式化合物とフェノール化合物とが重付加反応した構造を有する多官能フェノール化合物（Ａ２）とを併用する。 （もっと読む）

【課題】 電磁波を遮断することができる半導体素子、半導体パッケージ、及び電子装置を提供する。
【解決手段】 電子装置は、回路基板１００ｅ上の第１半導体パッケージＰＫＧＡ５を含む。前記回路基板１００ｅ上に、前記第１半導体パッケージＰＫＧＡ５と離隔された第２半導体パッケージＰＫＧＢ５が提供される。前記第１半導体パッケージＰＫＧＡ５の上部面及び側面上に絶縁性電磁波遮蔽構造体ＥＳＳ５が提供される。前記回路基板１００ｅ上に前記第１及び第２半導体パッケージＰＫＧＡ５、ＰＫＧＢ５、及び前記絶縁性電磁波遮蔽構造体ＥＳＳ５を覆う導電性電磁波遮蔽構造体ＣＳ５が提供される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、接着性、電気絶縁性、透明性、成形性およびプロセス安定性等の諸特性に優れるとともに、必要に応じて架橋を省略して生産性を改善することができる、エチレン系樹脂組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のエチレン系樹脂組成物は、以下の要件ａ）〜ｅ）を同時に満たすエチレン系重合体（Ａ）を、（Ｂ１）ビニルトリメトキシシランまたは３−アクロキシプロピルトリメトキシシランから選ばれる少なくとも１種と、（Ｂ２）ビニルトリエトキシシランを含む
エチレン性不飽和シラン化合物で変性して得られる変性体を含有する。
ａ）密度が９００〜９４０ｋｇ／ｍ^３
ｂ）ＤＳＣに基づく融解ピーク温度が９０〜１２５℃
ｃ）ＪＩＳ Ｋ−６７２１に準拠して１９０℃、２．１６ｋｇ荷重にて測定したメルトフローレ−ト（ＭＦＲ２）が０．１〜１００ｇ／１０分
ｄ）Ｍｗ／Ｍｎが１．２〜３．５
ｅ）金属残渣が０．１〜５０ｐｐｍ （もっと読む）

【課題】 架橋ポリエチレン被覆電線やポリプロピレンなどのオレフィンに対する良好な接着性を有し、かつＰＥＴ、ＰＢＴおよびガラエポ（ガラス布基材エポキシ樹脂基板）に対しても良好な接着性を有する樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 樹脂組成物全体を１００重量％としたとき、２０〜７０重量がプロピレン鎖を主成分とするポリマーであり、２０〜７０重量％がエチレン鎖を主成分とするポリマーであり、５〜４０重量％が酸変性オレフィンであり、かつ結晶性共重合ポリエステルが５〜４５重量％である樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】シールド構造を具備したモジュール部品において、小型・薄型化を低コストに実現する。
【解決手段】モジュール部品１０では、シールド構造として上面を比較的安い金属材料からなる金属薄膜７で構成し、側面のみ高価な導電性樹脂層８で形成することによって、導電性樹脂の使用量を減らしコスト低減を図る。
また、第１の絶縁性樹脂層５、第２の絶縁性樹脂層６を形成した後に、モジュール部品単位に個片化を行う。その後、比較的剛性のあるキャリア１４上に再配置し導電性樹脂層８を形成することで、導電性樹脂層８の硬化収縮による反りをキャリア１４によって抑制する。従って、高い精度で導電性樹脂層８をダイシングできることから、安定したシールド特性を得る。 （もっと読む）

【課題】配線の設計自由度を向上させた半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、前記回路基板の前記上面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止し、前記回路基板の前記上面に設けられた封止樹脂層と、を備える。さらに、半導体装置は、前記封止樹脂層の上面と、前記封止樹脂層の側面の一部と、を覆う導電性シールド層と、前記封止樹脂層の前記側面の一部を覆う前記導電性シールド層と、前記第１配線層を構成する複数の配線の少なくとも１つと、を電気的に接続する導電部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズを外部に放射しない点より信頼性の高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の上面から下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、回路基板の上面側に搭載された半導体素子と、半導体素子および導電部材を封止し、回路基板の上面に設けられた封止樹脂層と、封止樹脂層と、回路基板の端部の一部と、を覆う導電性シールド層と、を備える。複数のビアのいずれかと、導電性シールド層と、は、電気的に接続され、第２配線層を構成する複数の配線のいずれかは、グランド電位になることが可能であり、グランド電位になることが可能な第２配線層のそれぞれは、複数のビアのいずれかに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低粘度で、低温短時間での硬化が可能であり、優れた耐熱性、耐電圧性、電気絶縁性、耐湿性、機械強度、密着性を具備し、封止時のはんだボール補強性に優れ、かつ、ポットライフが長いエポキシ樹脂組成物、および、それを用いた半導体封止材の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、（Ｃ）イミダゾール系潜在性硬化剤、および、（Ｄ）フェノール樹脂よりなり、前記（Ａ）エポキシ樹脂および前記（Ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの合計質量に対する前記（Ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの含有量が０．５〜８０質量％であり、エポキシ樹脂組成物の全成分の合計質量に対する前記（Ｃ）イミダゾール系潜在性硬化剤の含有量が５〜２５質量％であり、エポキシ樹脂組成物の全成分の全成分の合計質量に対する前記（Ｄ）フェノール樹脂の含有量が０．５〜２５質量％であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】成形時において封止樹脂の流動性を損なうことなく耐トラッキング性を高めることができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、無機充填剤としてシリカおよび酸化マグネシウムを含有することを特徴としている。 （もっと読む）