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Fターム[4M109EE02]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 材料層の配列(組合せ) (593) | 機械的保護層の配列 (184) | 緩衝部材層、応力緩和層を含むもの (110)

Fターム[4M109EE02]に分類される特許

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【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物4b及び導電粒子5を含有する導電性接着剤層3bと、接着剤組成物4aを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層3aと、を備え、絶縁性接着剤層3aの厚みTiと、導電性接着剤層3bの厚みTcとが、下記式(1)の関係を満たす回路接続用接着フィルム10に関する。
Ti/Tc≧1.5 ・・・(1) (もっと読む)


【課題】インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能な電装ユニットを提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子22を第1モールド樹脂部26で封止した半導体素子モジュール21を金型50内に配し、金型50に設けられた流入口54Aから第2樹脂材料を金型50内に流入させて行うインサート成形により第2モールド樹脂部33が第1モールド樹脂部26を包囲するように形成される電装ユニット10であって、半導体素子モジュール21は、半導体スイッチング素子22と電気的に接続される複数の端子23B,24B,25Bを備え、第1モールド樹脂部26は、端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、第1モールド樹脂部26のうち端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部28Aが形成されており、この先細部28Aは、金型50における流入口54Aに対応する位置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂から半導体チップへ印加される応力を緩和することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、モールド樹脂により封止される半導体装置である。この半導体装置は、半導体チップ1と、半導体チップ1が載置される基台2とを備え、モールド樹脂から半導体チップ1へ印加される応力を緩和する応力緩和部材3が、半導体チップ1のコーナーの外側の基台2上に配置される。 (もっと読む)


【課題】封止材のクラック及び剥離の発生を抑制し、高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース板10と、実装基板30と、半導体素子50と、ホルダ20と、ホルダ端子21と、ケース90と、第1封止層71と、第2封止層72とを備えた半導体装置110が提供される。実装基板30は、ベース板10の上に設けられる。半導体素子50は、実装基板30の上に設けられる。ホルダ20は、実装基板30の上方に設けられる。ホルダ端子21は、ホルダ20に保持され、半導体素子50と電気的に接続される。ケース90は、実装基板30を実装基板30の側面に沿って取り囲み、ホルダ20をホルダ20の側面に沿って取り囲む。第1封止層71は、ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆う。 (もっと読む)


【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層2、(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層3、(C層)回路基板層4、を順番に有し、A層2の厚みが1〜200μmであり、B層3の厚みが100〜600μmであり、C層4の厚みが1〜100μmであり、パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面実装部品の2つの電極間のショートを防止して、表面実装部品を金属パターンにはんだ付けできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第1金属パターンと、該基板の上に形成された第2金属パターンと、一端に第1電極が形成され他端に第2電極が形成された表面実装部品と、該第1電極と該第1金属パターンを固定する第1はんだと、該第2電極と該第2金属パターンを固定する第2はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第1電極の外側と該第2電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して接合された半導体素子と、この半導体素子および表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、絶縁基板の表面で、少なくとも表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない部分と第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、第二の封止樹脂の弾性率は、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいとともに、第一の封止樹脂の半導体素子に対応する中央部分が周辺部分よりも厚みが厚くなるように段差を設けた。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージにおいて、半導体素子と、多層配線基板のギャップを液状アンダーフィルによって封止した後、この周囲をバックフィルで埋めるとき、多層配線基板上に搭載されている積層セラコンなどの受動部品が樹脂下に埋没することがある。このような半導体パッケージをPWBなどに2次実装する際、突起電極接合時の熱履歴によって、埋没した積層セラコン下ではんだフラッシュと呼ばれる短絡が発生することがある。
【解決手段】アンダーフィル封止後の半導体パッケージに塗布するバックフィルを、連続気泡多孔体材料とすることで、熱履歴時の樹脂と突起電極膨張から発生する内部圧力の緩和と放熱を行い、樹脂と受動部品間の剥離を防ぐ。これにより半導体パッケージをPWBに2次実装する際に起こりやすいはんだフラッシュを防止する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、絶縁基板の表面で、少なくとも表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない部分と第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、第二の封止樹脂の弾性率は、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さくした。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂のクラックの発生および剥離を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント基板11と、プリント基板に搭載された磁性体12と、磁性体の側面周囲からプリント基板の表面に至る部分に形成された応力緩和樹脂層14と、プリント基板、磁性体および応力緩和樹脂層の上に接着された樹脂強化層31と、樹脂強化層を覆うように形成された樹脂封止体15を備えている。 (もっと読む)


【課題】応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】リードフレーム1と、リードフレーム1のダイパッド部1B上に実装された半導体素子3と、半導体素子3の少なくとも一部を被覆する保護膜5と、半導体素子3及び保護膜5を封止している封止樹脂6とを備え、保護膜5と封止樹脂6との間に、保護膜5と封止樹脂6が密着していない空隙層7が少なくとも1箇所存在する、半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】電子部品をプリント配線板などにはんだ接続する際に、溶融したはんだによる電極間のショートの発生を防ぐことができるはんだペースト、電子部品、該電子部品を用いた電子機器の提供。
【解決手段】電極パッドを有する配線基板と、前記配線基板に実装され、複数の電極を有する部品と、前記部品を覆う封止樹脂と、前記配線基板内の配線を、外部の基板と接続する複数の端子とを有し、前記複数の電極が、前記電極パッドとはんだにより接続されており、前記はんだと前記封止樹脂との間に、前記はんだ側から、第1のヤング率を有する第1の樹脂層と、前記第1のヤング率よりも大きな値の第2のヤング率を有する第2の樹脂層とが順に形成されている電子部品である。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置において、パッケージ応力の分布の均一度を向上させる。
【解決手段】半導体チップ5の主平面と封止樹脂15との間に、半導体チップ5の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂15の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層9を備えている。応力調整用樹脂層9は、応力調整用樹脂層9が形成されていない場合の半導体チップ5の半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して配置されている。 (もっと読む)


【課題】放熱板に半導体素子が実装された半導体装置において、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することを目的とする。
【解決手段】銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板3の一方の面に半導体素子1が実装され、半導体素子1が封止樹脂8で樹脂封止され、封止樹脂8は、第1の封止樹脂8aと、第1の封止樹脂8aよりも大きな熱膨張係数を有する第2の封止樹脂8bとを含み、第1の封止樹脂8aは半導体素子1を覆うように形成され、第2の封止樹脂8bは第1の封止樹脂8aの外側に形成された。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、複数のベアチップを樹脂材料で封止した樹脂モールド基板の製造方法と樹脂モールド基板に関するものである。
【解決手段】 本発明の樹脂モールド基板の製造方法は、ベアチップを樹脂材料で封止した樹脂モールド基板の製造方法であって、1つ以上のベアチップの周りを囲む枠を第1の樹脂材料を用いて形成する枠形成工程と、ベアチップが配置された枠の内側に、第2の樹脂材料を充填してベアチップを封止する封止工程と、を有するよう構成する。 (もっと読む)


【課題】基板の一面に複数個の電子部品を搭載し、複数個の電子部品の一部に補強用樹脂による補強を施してなる電子装置において、補強用樹脂のはみだし防止のためのダム部を設けるにあたって、基板の一面における実装スペースの有効活用と、補強用樹脂の配置工程の簡素化とを実現するのに適した構成を提供する。
【解決手段】基板10の一面11には、基板10との接続部が補強用樹脂50により補強されている複数個の第1の電子部品20、22が配置されるとともに、基板10との接続部が補強用樹脂50により補強されていない第2の電子部品21は配置されない連続した1個の領域である第1の電子部品配置領域D1が設けられており、この第1の電子部品配置領域D1の外周には、基板10の一面11における第1の電子部品配置領域D1の外側に補強用樹脂50がはみ出すのを防止するダム部60が設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体部品を実装する基板自体の反りを低減させると共に、効果的にシールド機能を実現させることができる安価なモジュール部品を提供する。
【解決手段】本発明に係るモジュール部品100は、ランド・配線パターン3が形成された基板2に半導体部品1が実装され、基板2の表面に半導体部品1を被覆して設けられた樹脂5と、樹脂5の表面に積層された金属プレート7と、基板2のランド・配線パターン3と金属プレート7とを電気的に接続する導電性ペースト8と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐圧性および表面平坦性に優れ、低吸水率であり、オン/オフ比が高く、ヒステリシスが生じにくく、優れた大気安定性を備える樹脂膜を与えることができる樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】環状オレフィン重合体(A)、架橋剤(B)、およびシリコーンオイル(C)を含有してなり、前記シリコーンオイル(C)が、側鎖に、ハロゲン基、脂環式アルキル基、脂肪族アルキル基、アリール基、およびエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも1つの官能基を有することを特徴とする樹脂組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】放熱性、応力緩和性、及び接合強度を両立することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材11と、接合材16により支持基材11に接合された半導体素子15と、が含まれている。接合材16には、支持基材11及び半導体素子15と接触する多孔質金属材16aと、多孔質金属材16aの空隙16bの少なくとも一部に充填されたはんだと、が含まれている。前記半導体装置等によれば、多孔質金属材16aにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ16cにより良好な接合強度を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 (もっと読む)


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