【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁層の幅寸法Ｔ１と金属層の幅寸法Ｔ２を制御してアンカ部に応力が加わったときのセンサ部の変位量を小さくし、検出精度を向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１部材１１と、第２部材１２と、第１部材１１と第２部材１２との間に位置する中間部材１３と、中間部材１３に形成されたアンカ部１４及びアンカ部に接続されたセンサ部１５と、第１部材１１とアンカ部１４間に介在する絶縁層１６と、第２部材１２とアンカ部１４間に介在する金属層１７と、を有する。金属層１７の外周側面はアンカ部１４の外周側面よりも内側に後退している。絶縁層１６の幅寸法をＴ１、金属層１７の幅寸法をＴ２としたとき、Ｔ１／Ｔ２は、１．５以上で３．３以下の範囲内である。 （もっと読む）

駆動信号および／または駆動信号の加速度計感知電子部品への電子パススルーに関連する同相オフセット誤差等の、慣性センサの共振器に印加される駆動信号に関連する誤差源は、駆動信号を変調し、変調した駆動信号によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。慣性センサ共振器の空気力学に関連する誤差源は、共振器と下側の基板との間の距離を変調し、そのような変調によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。そのような誤差源によって引き起こされる誤差を実質的に相殺するために、補償信号が提供され得る。
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【課題】基板と蓋との位置合わせを高い精度で行うことが可能な、可動部を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外力により変位する、少なくとも上面及び側面に絶縁膜が形成された半導体からなる第１の可動部２１及び第２の可動部２２が表面に形成された基板１０と、封止された貫通孔８１を有し、第１の可動部２１及び第２の可動部２２との間に空間３００を形成するように基板１０上に配置された絶縁膜からなる蓋８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

最大化された双方向の対称的な減衰のために最適化されて数千Ｇを超える加速度範囲に対応するプルーフマスを備えた新たな高Ｇ範囲減衰加速度センサを提案する。この高Ｇ範囲加速度センサは、最大限の双方向の対称的な減衰を達成するために、プルーフマスの質量を最小にする一方でその表面積を最大化するように設計される。このような高Ｇ範囲減衰加速度センサは、極めて高い頻度での減衰（すなわちリンギングの抑制）が望まれるあらゆる用途に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

直交誤差に対する感度および微細加工の不正確さを低減した慣性センサは、デバイス面における２つの直交軸（感度軸）周りの回転を感知するための２つの特別に構成された１軸ジャイロスコープを組み込んだ、ジャイロスコープを含み、各１軸ジャイロスコープは、フォークによって相互接続された２つの回転可能にディザリングされたシャトルを含み、各シャトルは、感度軸に垂直な傾斜軸に沿って面外に傾斜するように構成され、かつ傾斜軸に垂直な（すなわち、感度軸に平行な）軸に沿って位置付けられる対応するコリオリ検出電極を含む。２つの１軸ジャイロスコープは、例えば、フォークおよび／またはシャトルを相互接続する１つ以上の同相または逆相カップリングによって相互接続され得る。
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【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】物理量の検出精度を向上させることができる力学量センサを提供する。
【解決手段】物理量に応じた電気信号を出力するセンシング部２０、３０を備えたセンサ基板１４と、センシング部２０、３０から出力された電気信号を処理し、センサ基板１４に積層される第１回路基板５０と、を備えた力学量センサであって、センサ基板１４に、第１回路基板５０が接合される一面と反対側の一面に積層部材６０を接合し、第１回路基板５０および積層部材６０を、センサ基板１４全体の熱膨張係数に対して全体の熱膨張係数が共に高くするか、もしくはセンサ基板１４全体の熱膨張係数に対して全体の熱膨張係数を共に低くする。 （もっと読む）

【課題】センサ基板を無駄に使用することを抑制することができると共に、実装面積を低減することのできる力学量センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板５０を第１回路基板６０および第２回路基板７０を有した構成にすると共に、第１、第２回路基板６０、７０を積層し、第１回路基板６０にてセンシング部２１、３１から出力された電気信号を処理し、第２回路基板７０にて、第１回路基板６０にて処理された当該電気信号を回路基板５０の外部に出力する。これにより、従来の力学量センサと比較して、回路基板５０の平面方向の寸法を小さくすることができるため、センサ基板１４のうちセンシング部を構成しない部分を大きくしてセンサ基板１４を無駄に使用することを抑制できると共に、実装面積の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、加速度検出素子と枠１１１に形成された電極パッド１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）とを接続するＡｌ配線１１６とからなるセンサ部１１０と、枠１１１上に形成されたＡｌ配線１１６と電極パッド１１５（１１５ａ〜１１５ｄ）の一部に積層される保護膜１１７と、センサ部１１０を覆って、センサ部１１０を密閉空間に収容するキャップ部１１８と、保護膜１１７上に積層され、センサ部１１０とキャップ部１１８とを接合する接着層１１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、加速度検出素子と枠１１１に形成された電極パッド１１５とを接続するＡｌ配線１１６とからなるセンサ部１１０と、センサ部１１０に実装されてセンサ部１１０を密閉空間に収容するキャップ部１１７と、センサ部１１０とキャップ部１１７とを接合する接着層１１８とを備え、電極パッド１１５は、センサ部１１０の密閉空間の方向に拡張された拡張部１１５Ａを有し、キャップ部１１７は、拡張部１１５Ａの端部と積層される接着層１１８によりセンサ部１１０と接合する。 （もっと読む）

【課題】オフセットの発生を抑制しつつ、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の加速度感度を調整できる、特性の良い３軸加速度センサを提供する。
【解決手段】Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の加速度検出用ピエゾ抵抗素子ｘ１〜ｘ４，ｙ１〜ｙ４，ｚ１〜ｚ４は、梁１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの長手方向に亘って形成されている。これに加えて、感度調整用ピエゾ抵抗素子２１〜２４が、梁１４ａ，１４ｃの長手方向に略直交する方向に亘って形成されており、感度調整用ピエゾ抵抗素子２１〜２４は、加速度検出用ピエゾ素子ｘ１〜ｘ４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板と垂直なＺ方向に変位する可動錘部の質量を増大させることができ、ＣＭＯＳプロセスを用いて自在かつ容易に製造可能なＭＥＭＳセンサーを提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部が、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層と、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。可動電極部１４０Ａは積層構造体にて形成され、これと対向する固定電極部１５０Ａとの間の対向面積が可動錘部のＺ方向変位に応じて変化する。 （もっと読む）

【課題】支持部に対する錘部の移動に伴ってこれらの間の可撓部が変形する半導体センサにおいて、その応答時間を短く設定でき、かつ、検出可能な物理量の周波数帯域を拡大できるようにする。
【解決手段】一部が可撓性を有する可撓部Ｆとして構成される薄肉部１２と、薄肉部１２の一方の主面１２ｄから突出して薄肉部１２と共に錘部Ｍを構成する錘用突出部１１Ｂと、これとの間に間隙を空けるように薄肉部１２の一方の主面１２ｄから突出し、薄肉部１２と共に支持部Ｓを構成する支持用突出部１３とを備え、その突出方向の先端面１３ｄが外方に露出するように、薄肉部１２の両方の主面１２ｃ，１２ｄ側が可撓部Ｆよりも弾性率の小さい粘弾性体１５，１６によって埋設され、支持用突出部１３の先端面１３ｄをなす延長部１４の弾性率が、粘弾性体１５，１６よりも大きく、かつ、延長部１４を除く支持部Ｓの他の構成部分よりも小さい半導体センサ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】中空のドーム構造内に可動素子が形成されたＭＥＭＳデバイスに、外部からの横揺れや衝撃が加えられた場合でも内部に配置された可動素子の破損を防止することができるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１０上にアンカー２２を介して形成され、第１の方向に伸長した振動子２１を有するＭＥＭＳ可動素子２０と、ＭＥＭＳ可動素子２０を覆うように基板１０上に設けられる、中空の薄膜ドーム構造の第２の絶縁膜４０と、基板１０上に設けられ、第２の絶縁膜４０の内側であって、ＭＥＭＳ可動素子２０の外側に設けられ、一部が振動子２１のON時の基板１０からの高さ位置とOFF時の基板１０からの高さ位置との間の高さ位置にある絶縁膜からなる立脚部３１と、備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、錘部の過剰な変位による衝突時の衝撃を緩和して可撓部の破損を防止するとともに金属配線の変形を防止して、検出信号の信頼性低下を防止する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に配置された錘部と、前記錘部と前記フレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、前記可撓部に形成された複数のセンサ素子と、前記可撓部及び前記錘部の上側に形成され、前記複数のセンサ素子と複数の接続端子とを電気的に接続する複数の配線と、前記複数のセンサ素子と前記複数の配線が形成された前記可撓部及び前記錘部の上方を覆うキャップ基板と、前記錘部側と前記キャップ基板側の何れか一方又は双方に配置され、前記錘部の過剰変位に伴う衝撃を緩和する緩衝部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接続不良が生じたか否かを判定することができる力学量センサ、及び該力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板、該半導体基板の一面側に形成された力学量を検出するセンサ部、及び該センサ部と電気的に接続された第１パッドを備えるセンサチップと、基板、及び第１パッドに対応して基板の一面に形成された第２パッドを備える基材と、第１パッドと第２パッドとを、機械的及び電気的に接続するバンプと、を備える力学量センサであって、第１パッドは、センサ部の信号を外部に出力するための第１出力パッドを含み、第１出力パッドの少なくとも１つは、半導体基板の第１パッド形成面における中央領域を取り囲む縁領域に配置され、半導体基板は、中央領域が縁領域に対して、基材側に凸となるように湾曲している。 （もっと読む）