【課題】 検出電極を基板に固定せずに可動できるようにした高感度（＝狭ギャップ）な静電容量型の慣性センサにおいて、外乱振動や衝撃などで可動質量体の変位量を正しく測定できない虞がある。
【解決手段】 可動検出電極（２１Ａ）に対向して固定部（２５Ａ）を設け、可動検出電極（２１Ａ）を変位させた後、機械的に固定する。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】1/fノイズを低減したMEMS又はNEMSセンサを提供する。
【解決手段】所定方向の力を検出するMEMS又はNEMS装置であって、支持部(4)と、測定される力の影響下で、この力の方向に移動可能な振動質量体であって、少なくとも1つの旋回軸リンクにより上記支持部に対して連結された少なくとも1つの振動質量体(2)と、この振動質量体の運動を検出する手段(10)と、上記旋回軸リンクの軸線(Z)と前記振動質量体に対する力の働きの重心(G)との間の距離を変化させることができる手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】サスペンション・プレートと少なくとも１枚の固定された容量性プレートとを有する平面型サスペンション構造を用いた加速度計ないし地震計を提供する。
【解決手段】サスペンション・プレート２はワンピース部品として形成されており、外側枠体と、一対の可撓性エレメント集合体と、それら可撓性エレメント集合体の間に設けられた一体型のプルーフマス８とを備えている。可撓性エレメント６はプルーフマス８をサスペンションの平面内の感度軸方向に可動にすると共に、全ての軸外方向への移動を規制している。プルーフマス８の軸外方向の移動は可撓性エレメント６の間に配設された複数の中間枠体を用いる。 （もっと読む）

【課題】パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有するパッケージ２１と、所定の素子を有する半導体チップ１０と、上面の所定領域３２ａに半導体チップが固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面における所定領域３２ａ下以外の領域とキャビティ内のパッケージの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備え、半導体チップに形成された第１電極パッド１６と、パッケージに形成され、少なくとも一部がキャビティ内部で露出された配線パターン２３と、パッケージの底面に形成され、配線パターンと電気的に接続された第２電極パッド２２と、第１電極パッドと、露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤ２６とをさらに有する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型加速度センサにおいて可動部の許容変位量を超える加速度が加わった時の可動部と固定部の衝突による破壊を防止すること。
【解決手段】基板３５上に離間状態で配置された変位可能な重錘体３６と、この重錘体３６に設けられた可動電極３４と、この可動電極３４に対向して配置された固定電極３３とを備え、両電極３３，３４間の静電容量の変化を重錘体３６の変位に基づいて検出する。重錘体３６と基板３５の双方に重錘体３６の水平方向の変位を規制する相補型係止手段と、この相補型係止手段に電位を固定するための電位固定手段とを設ける。相補型係止手段は、重錘体３６に設けられた貫通孔３８と、基板３５上に設けられ、貫通孔３８に挿入する係止部材３７とからなっているので、衝突時の接触面積が大きく、応力集中による破壊を防止する。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸方向の影響をクーロン力により打ち消して、水平方向の加速度を正確に検出するようにした高感度の静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、重錘体４１に設けられた可動電極４１ａと、可動電極４１ａに対向して配置された固定電極４２ａとを備え、両電極４１ａ，４２ａ間の静電容量の変化を重錘体４１の変位に基づいて加速度を検出する。重錘体４１のＺ軸方向に働く加速度の影響を排除するためにＺ軸加速度検出部４４が設けられ、Ｚ軸加速度検出部４４により検出された出力電圧に合わせて、重錘体４１にクーロン力を与える電圧を印加する電圧発生部４５が設けられている。電圧発生部４５からの電圧により重錘体４１にクーロン力を与えるために、Ｘ・Ｙ平面上にクーロン力供給電極４３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】面外櫛形駆動の加速度計（１０）を提供すること。
【解決手段】ある例示的な加速度計が、応答を線形化する。ある例示的な加速度計が、基板（５８）の表面に平行な表面をもつ複数の歯を有する、１つまたは複数のステータ（４２、５０）を備える。歯の表面は、基板の表面から第１の距離にある。プルーフマス（５４）は、そのプルーフマスの端部に取り付けられた複数のロータ歯を含む１つまたは複数のロータ（３８、４６）を備える。ロータ歯には、ステータ歯の対応する歯が噛み合う。ロータ歯は、基板の表面に平行な表面を含む。ロータ歯の表面は、基板の表面から第２の距離にある。第１の距離と第２の距離は、閾値の量だけ異なる。面外方向でのステータに対するロータの動きにより、ロータとステータの両端で測定される容量値が線形に変化する。 （もっと読む）

【課題】印加される加速度が大きい域で構成部材を接触させずに広い範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、基板１と、基板１に対して基板１の厚み方向に変位可能に基板１の表面に支持され、かつ可動電極７を有する変位部材３と、可動電極７と対向するよう配置され、かつ可動電極７との間に静電力を発生させるための固定電極６とを備え、加速度が小さい域では、変位部材３が基板１の厚み方向に変位しても可動電極７と固定電極６との対向面積が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材３が基板１の厚み方向に変位すると可動電極７と固定電極６との対向面積が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）が開示される。このＭＥＭＳは、基板と、基板から上方へ延在する第１の枢動軸と、基板上に延在する第１の前後軸を有し、第１の枢動軸線のまわりを枢動するように第１の枢動軸に対して枢動可能に取り付けられた第１のレバーアームと、基板上の、第１のレバーアームの第１のキャパシタ部分の下の位置に形成された第１のキャパシタ層と、基板上の、第１のレバーアームの第２のキャパシタ部分の下の位置に形成された第２のキャパシタ層であって、第１の枢動軸が、第１のレバーアームを、第１のキャパシタ部分と第２のキャパシタ部分の間の位置で第１の前後軸に沿って支持する第２のキャパシタ層と、第１の前後軸にわたって延在し、第１の枢動軸線から離隔された第１の導体部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】機能上有効な部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】支持基板２に接合した半導体基板３をエッチング加工することで形成される可動部４０および固定部５０を備え、当該可動部４０および固定部５０は、第１の間隙６２をもって対向配置される可動電極４１および固定電極５１をそれぞれ有し、当該固定電極５１に対する可動電極４１の相対変位に基づいて物理量を検出するＭＥＭＳ構造体１において、半導体基板３の支持基板２と当接する領域に、網目状溝部１０を形成した。 （もっと読む）

【課題】可動部と固定部との間の間隙部の断面形状がテーパ状になった場合にも、その間隙部の干渉部分が破損するのを抑制できる半導体物理量センサを得る。
【解決手段】断面テーパ状となった間隙部δ３の幅狭となる側の端部に、当該間隙部δ３の対向壁部Ｔｗが干渉した際に面接触する面接触部８を形成する。 （もっと読む）

【課題】可動部および固定部が基板上の層の積層体によって形成されたアクティブ構造を備え、であって、可動部および固定部は対向する表面を備え、これらの表面は、システムの適用に応じて、たとえば停止部、検出または作動電極を形成し得るＭＥＭＳまたはＮＥＭＳシステムの簡略化された製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板ならびに基板上に配列された少なくとも２つの層の積層体と、積層体内に形成された可動部および積層体内に形成された基板に対する固定部と、固定部と可動部との間に形成された対向する表面とを備える微小機械構造を製造し、たとえば、積層体に実質的に垂直な方向への可動部の変位を制限する停止手段を形成するプロセスであって、基板と、積層体の材料に対して選択的にエッチングされるのに適した材料からなる積層体との間に少なくとも１つの犠牲層を使用するプロセス。 （もっと読む）

【課題】 特に、内部配線層への電気的接続性及び内部空間の高さ寸法のばらつきを小さくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板２１と、第２の基板２２と、前記第１の基板２１の表面に形成される第１のＳｉＯ₂層２５と、前記第１の基板２１と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に形成される内部配線層２４と、前記第１のＳｉＯ₂層２５の表面２５ａから前記内部配線層２４にかけて形成される貫通孔２６と、前記貫通孔２６内に形成され前記内部配線層２４と電気的に接続される電気接続層２８と、前記第２の基板２２と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に位置し、前記第２の基板２２と前記第１の基板２１間に形成される内部空間Ｓ２の高さ寸法を規制する突出形状の第１の窒化シリコン層３３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板Ｂ４であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが上面の表層部の所定領域Ｒ１に形成されてなるベース基板Ｂ４と、シリコンからなるキャップ基板Ｃ４であって、ベース基板Ｂ４の所定領域Ｒ１において、下面がベース基板Ｂ４の上面に貼り合わされるキャップ基板Ｃ４とを有してなる半導体装置１００において、下面が所定のベース半導体領域Ｂｓに接続し、キャップ基板Ｃ４を貫通するようにして、上面がキャップ基板Ｃ４の上面まで伸びる、金属４０で構成された引き出し電極Ｄｅ１が、当該引き出し電極Ｄｅ１の周りにおいて、キャップ基板Ｃ４との間に溝３５を有するように形成されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】強度や耐久性が高く、振動の減衰が図られるとともに、ばね定数の設定が容易な力学量センサを提供する。
【解決手段】内部ユニット３１１は、防振部材３１５により支持されている。防振部材３１５は、内部ユニット３１１を支持しつつ、内部ユニット３１１と支持面３３３との間の相対的な振動を吸収する。防振部材３１５の厚さや幅を変更することにより、防振部材３１５は強度およびばね定数を容易に変更可能である。また、パッド３２７とパッド３２８との間を接続するボンディングワイヤ３１６は、自身の外径をｄとし、パッド３２７から湾曲する頂点までの高さをｈとすると、２０×ｄ≦ｈに設定されている。これにより、内部ユニット３１１が振動した場合でも、ボンディングワイヤ３１６のひずみが緩和され、強度や耐久性の低下を招くことがない。 （もっと読む）

【課題】逆位相発振回路を付加するだけで発生できるクーロン力を増大させて動作試験の精度を向上させること。
【解決手段】重錘体１１の変位を重錘体１１と検出電極１２，１３間の容量変化として検出する。容量検出のために、矩形波（又は正弦波）電圧が重錘体１１に加わっている。重錘体１１と駆動電極１２との間に検出用励起信号と逆位相の電圧Ｖｄが印加される。これにより、直流電圧を試験電極に加える従来のものと比較して、大きなクーロン力を重錘体１１と電極１２間に発生させることができ、高精度の動作試験が行える。 （もっと読む）

【課題】絶縁溝と絶縁部材とで構成された絶縁部を有する半導体基板において、反りの発生を抑制する。
【解決手段】ミラーアレイデバイス１は、電極基板４を備えている。電極基板４は、その厚み方向に導通し且つ絶縁部５で囲まれることによって周辺の部分から絶縁された駆動電極４１を有している。絶縁部５は、電極基板４の表面４ａから形成された絶縁溝５１と、電極基板の裏面４ｂから埋め込まれて絶縁溝５１内に突出する絶縁部材５２とで構成されている。電極基板４には、電極基板４の応力を緩和するための応力緩和溝６が絶縁部材５２が埋め込まれた裏面４ｂ側から形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな角速度の振動マイクロ−メカニカルセンサーにおいて、信頼性が高くかつ効率的な測定を可能とする。
【解決手段】震動質量１、２がバネによってまたはバネと堅固な補助構造によって支持領域に接続され、これによって、震動質量によって形成されるウェハーの平面に垂直な回転軸に関する自由度、および、ウェハーの平面に平行な少なくとも１つの回転軸に関する自由度が、震動質量１、２に与えられる。 （もっと読む）