【課題】マスク形状を変更しなくとも、梁のバネ定数を調整することが可能な力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る基板に形成されたセンサ部は、絶縁層と半導体層とから成るアンカ部と、半導体層から成る浮遊部とを有し、浮遊部は、錘部と、錘部に設けられた可動電極と、可動電極と検出軸方向で対向する固定電極と、錘部を検出軸方向に変位可能とする梁部とを有し、錘部が梁部を介してアンカ部に支持されており、センサ部を形作るマスクを形成する工程と、マスクから露出された半導体層を除去する工程と、絶縁層の一部を除去する工程とを有し、梁部とアンカ部とを構成する半導体層が、上記した２つの方向に交差する方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が錘部から離れるにしたがって長くなるように、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板２０と、ＳＯＩ基板に支持されており、加速度の印加に応じてＳＯＩ基板の基板面と平行に変位する可動部２と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片４ａ〜４ｉと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片６ａ〜６ｉと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Ｅに並列接続された複数のスイッチＳ１〜Ｓ７が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる３軸方向の加速度を正確に検出できる３軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の３軸加速度センサは、基板２１の略中央部に設けられた錘部２３と、梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と、歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等とを備え、前記歪抵抗素子Ｒx21，Ｒx22等を形成した梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′と錘部２３との連結端部の幅寸法よりも幅寸法の小さいくびれ部２７，２７′，２８，２８′を前記梁状可撓部２５，２５′，２６，２６′内に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 検出軸以外の方向に生じる加速度によって物理量センサーの検出感度が低下することを抑制する。
【解決手段】 物理量センサーは、第１揺動体３００ａと第２揺動体３００ｂとを有し、
各揺動体３００ａ，３００ｂは、第１支持部４０ａと第２支持部４０ｂとによって基板に支持され、かつ、第１揺動体３００ａは、平面視で第１軸（支持軸）Ｑ１によって第１の領域ＰＴ１と第２の領域ＰＴ２とに区画され、第２揺動体３００ｂは、平面視で第２軸（支持軸）Ｑ２によって第３の領域ＰＴ１と第４の領域ＰＴ２とに区画され、第２の領域ＰＴ２の質量は第１の領域の質量よりも重く、第４の領域の質量は第３の領域よりも重く、第１の領域と第２の領域の並び方向と第３の領域と第４の領域の並び方向とは互いに同じであり、かつ、重力を受けた状態において第１揺動体３００ａおよび第２揺動体３００ｂは互いに反対向きに傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ストッパと相手側の対向壁部の接触面積を減少させて、スティッキングの発生をより抑制可能な半導体物理量センサを得る。
【解決手段】ストッパ６４ａと可動部５の対向壁部６４ｂ、５ｃを、間隙部δ５の深さ方向に沿う断面視で、互いに対向する仮想的な垂直面Ｓｗ、Ｔｗの各上端部Ｓｕ、Ｔｕおよび下端部Ｓｄ、Ｔｄから、当該上端部Ｓｕ、Ｔｕおよび下端部Ｓｄ、Ｔｄの範囲内で相手側に接近する位置に設けた頂点Ｓｐ、Ｔｐをそれぞれ結ぶ線対称形状となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】 ２以上のセンサー素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、第１支持層１００の上方に設けられる第１センサー素子ＳＥ１と、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、第２支持層２００の上方に設けられる第２センサー素子ＳＥ２と、を有する第２基板ＢＳ２と、を含み、第２基板ＢＳ２は、第１センサー素子ＳＥ１と第２センサー素子ＳＥ２とが互いに対向した状態で、第１基板ＢＳ１上にスペーサー３００を介して配置されている。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極の間隙部が形成される部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】半導体基板３の一方の面を少なくとも一部が当接しない状態で支持基板３に接合するとともに、当該半導体基板３の支持基板２と当接しない部位にエッチングにより複数の異なる幅の間隙部δ１〜δ５を形成することで、物理量の入力により相対変位する可動部５と固定部６とを形成する。前記可動部５および固定部６は、第１の間隙部δ１、δ２をもって対向配置される可動電極（櫛歯状可動電極）５１および固定電極（櫛歯状固定電極）６１を備えており、半導体基板３の一方の面（図２中下面）に、第１の間隙部δ１、δ２が形成される通常面３０よりも支持基板２側に突出する段差面１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】加速度センサ等の電子部品のリーク検査を高速且つ安価に行うことが可能な電子部品用リーク検査装置および電子部品用リーク検査方法を提供する。
【解決手段】筺体内部の慣性体が偏倚することで所定の電気的信号を出力する電子部品２００のリーク検査装置であって、前記電子部品２００に所定の周波数を有する変動成分を含んだ作動電圧を印加する電源装置１４０と、前記電子部品の出力を検出する検出装置１３０と、前記検出装置によって得られた出力値と基準値を比較して前記電子部品の気密性を判断する評価装置１６０と、を備えた電子部品用リーク検査装置とした。 （もっと読む）

【課題】熱応力や外部応力によって、力学量の検出精度が低下することが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプを介して、センサチップと基体とが接続された半導体装置であって、センサチップは、基板と、絶縁層と、半導体層と、が順次積層されて成る半導体基板を有し、半導体基板に形成されたセンシング部は、絶縁層と半導体層から成る、基板に固定されたアンカ部と、絶縁層が除去されて、半導体層から成る、基板に対して浮いた遊動部と、を有し、アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、遊動部は、固定アンカ部に支持された固定電極と、可動アンカ部に支持された可動部と、該可動部に設けられた可動電極と、バンプが接続される接続部と、を有し、接続部は、固定アンカ部を介して、固定電極と接続された固定接続部と、可動アンカ部を介して、可動部と接続された可動接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】装置全体が小型でありながら、検出感度の高いセンサを製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に形成される可動体として具現化される。その可動体は、第１枠体と、前記第１枠体に対して、互いに対向して、かつ部分的にあるいは完全に重なり合うように配置されている第２枠体と、第１ばね部を介して前記第１枠体と接続しており、かつ第２ばね部を介して前記第２枠体と接続している結合部と、第３ばね部を介して前記結合部と接続している、前記基板に固定された固定部を備えている。前記第１ばね部、前記第２ばね部および前記第３ばね部は、一方向のばね定数が他の方向のばね定数に比べて顕著に低く、実質的に当該一方向のみの相対変位を許容する。前記第１ばね部、前記第２ばね部および前記第３ばね部が相対変位を許容する方向は、互いに直交している。 （もっと読む）

【課題】ＸＹ軸方向の加速度の検出感度に優れた加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠１１と、支持枠１１に対して変位可能に設けられた錘部１２と支持枠１１と錘部１２と支持する可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に、梁部１３の幅方向の中心線上を含んで設けられている空隙部１４と、梁部１３に設けられているひずみ抵抗検出部Ｒとを備える加速度センサ１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、且つデバイスの小型化に貢献する金属埋込ガラス基板及びその製造方法、及びこの金属埋込ガラス基板を用いたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。貫通金属部材５５の径は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 支持基板に反りが発生したとしても、可動電極部と固定電極部の相対的な位置関係が維持されるＭＥＭＳ構造体を提供すること。
【解決手段】加速度センサ１０は、支持基板２１と、変位部４１と、可動電極部５１と、固定電極部５２と、第１梁部４２と、第１固定部４３と、第２梁部５３と、第２固定部５４とを備えている。固定電極部５２は、第２梁部５３を介して支持基板２１に支持されている。第１固定部４３と第２固定部５４の間の距離は、第１固定部４３と固定電極部５２の間の距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、半導体基板１０と貼り合わせ基板２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）