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Fターム[4M112CA24]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | ビーム(梁)、重錘の構造、形状 (1,346) | ビーム(梁)、重錘を複数箇所で支持するもの (951)

Fターム[4M112CA24]に分類される特許

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【課題】可動部を有するMEMS素子に対する外部からの静電気の影響を低減して信頼性を向上することができるMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】固定部及び可動部を有するMEMS素子と、所定の間隔をもって可動部を覆い、固定部でMEMS素子と固定された第1キャップと、第1キャップと導電部材により電気的に接続され、固定部上に配置され、且つグランド電位が供給される第1グランドパッドとを備えたMEMSデバイス。 (もっと読む)


【課題】信頼性のより高い力学量センサーを提供する。
【解決手段】基板に固定されたアンカーおよび固定電極と、前記アンカーと前記固定電極との間において、前記基板から離れて形成され、前記固定電極と接触すると前記固定電極と導通する可動電極と、前記アンカーに一端が接続され、前記可動電極に他端が接続され、かつ前記基板から離れて形成され、複数の直線ビームを含むビームとを有し、前記アンカーと前記固定電極と前記可動電極と前記ビームとは、せん断弾性率が異方性を有する結晶面方位を主面とするシリコン単結晶により構成され、前記複数の直線ビームの長手方向は、せん断弾性率が最小値となる方向と異なっていることを特徴とする力学量センサーを提供する。 (もっと読む)


【課題】物理量の入力に対して、高い線形性をもって容量素子の構造体が変位する物理量検出装置を提供すること。
【解決手段】物理量検出装置は、物理量に応じて変位する構造体を有し、前記構造体の変位に応じて静電容量が変化する物理量検出素子と、前記物理量検出素子に一定の電荷を供給する電荷供給回路と、前記電荷供給回路により電荷が供給された後で、前記物理量検出素子の静電容量に応じた信号を出力する出力回路とを有する。 (もっと読む)


【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部(2)であって、励振部(6)および検出部(8)を含む慣性質量部(2)と、前記慣性質量部(2)の平面内に含まれる、励振部(6)を少なくとも1つの方向(X)に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部(8)の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部(8、108)と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部(8)の上に配置された、少なくとも1つの懸架電極(16)を含み、前記電極(16)は、慣性質量部(2)を貫通する少なくとも1つの柱状体(22)によって、前記検出部(8)の上に保持される。 (もっと読む)


【課題】エアーダンピングを抑制することで慣性質量体が基板側に変位する場合と慣性質量体が基板と反対側に変位する場合との感度差を抑制することによって高精度の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板1と、検出電極2と、ねじれ梁3と、検出プレート4と、リンク梁5と、一方面6aと他方面6bとが対向する方向に変位可能にリンク梁5に支持された慣性質量体6とを備えている。慣性質量体6は、該方向に慣性質量体6を貫通するように設けられた複数の第1の貫通孔H1を含んでいる。検出プレート4は、該方向に検出プレート4を貫通するように設けられた複数の第2の貫通孔H2を含んでいる。第1の貫通孔H1は、第2の貫通孔H2より大きい開口面積を有している。 (もっと読む)


【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体10は、接続部12と、前記接続部12を中心に直交する軸を第1軸および第2軸としたときに、前記接続部から第1軸の方向に延出し、第1折曲部24で折り返され、端部に第1支持部26を有する第1バネ20と、前記接続部12から前記第2軸の方向に延出し、第2折曲部34で折り返され、端部に第2支持部36を有する第2バネ30と、前記第1軸および前記第2軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第1及び第2バネ20,30から離間する斜め方向に、前記接続部12からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第3折曲部44で折り曲げられ第3支持部45を端部に有し、他方のビームは第4折曲部46で折り曲げられ第4支持部47を端部に有する第3バネ40と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】主面16を有する基板12と、前記主面12上に配置された溝部(第1の溝部24、第2の溝部26)と、前記基板12上の前記溝部を跨いで配置された固定素子部(第1の固定電極指78、第2の固定電極指80)と、を有し、前記溝部の内部には、前記固定素子部に平面視で重複する位置に前記基板および前記固定素子部の少なくとも一方を用いて形成された凸部54、56が設けられ、前記凸部54、56は接合面(端面82)を有し、該接合面側に配線(第1の配線30、第2の配線36)が配置され、前記配線を介して前記基板12と前記固定素子部とが接続されたことを特徴とする機能素子。 (もっと読む)


【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、X軸、Y軸、Z軸からなる3軸方向の加速度を正確に検出でき、かつ、加速度検知素子の小型化および低背化を実施してもセンサ感度を維持できる3軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の3軸加速度センサは、基板21の略中央部に設けられた第1の錘部23と、支持枠部24と、梁状可撓部25,25′,26,26′と、歪抵抗素子Rx21,Rx22等とを備え、前記支持枠部内に一対の梁状可撓部の中心軸に関して略対称で平行な一対の薄肉部27,27′,28,28′,29,29′,30,30′を設けることにより、第2、第3、第4、第5の錘部31〜34を形成したものである。 (もっと読む)


【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム(MEMS)が、少なくとも2つの基板(5,6)、およびMEMS−層内の少なくとも1つの可動構造体(3.1,3.2)を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも2つの基板(5,6,7)の間に封止されたキャビティ(8.1,8.2)内に配置される。前記可動構造体(3.1,3.2)を囲む導電性フレーム(1)が、2つの基板(5,6)の接合面に配置される。フレーム(1)が、前記可動構造体(3.1,3.2)から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部(13.1,13.2,13.3;14)によって、前記第一基板(5)および第二基板(6)に、各々、電気的に接続される。フレーム(1)が、最大で150μm(マイクロメートル)、好ましくは、最大で50μm(マイクロメートル)の幅(w)を有してよい。 (もっと読む)


【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体1は枠体部1aと可動体部1bとを有し、可動体部1bは枠体部1aの内側にビーム1cを介して設けられており、第一の固定基板2には固定電極4が可動体部1b側表面に設けられており、第二の固定基板3にはダミー電極5が可動体部1b側表面に設けられており、可動体部1bは第一の固定基板2と可動体部1bとの距離の変化を測定するための可動電極6を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部1bには当該可動体部1bが固定電極4またはダミー電極5に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部7が固定電極4側とダミー電極5側に設けられており、固定電極4上とダミー電極5上の少なくともいずれかには可動体部1bが近接した際に第一接触部7と接触する第二接触部8が対向して設けられており、第一接触部7と第二接触部8の材料は絶縁体である。 (もっと読む)


【課題】放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制する。
【解決手段】センサチップ1の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。また保護壁12の一部である第1保護壁120は、放電防止用配線部25,26と可動電極4A,4Bを導通させる導電部11を放電防止用配線部25,26と隔てる位置に起立している。故に、放電防止用配線部25,26の切断部分Xの金属材料Yは、保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所(導電部11)への付着が抑制される。その結果、放電防止用配線部25,26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】長寿命化、歩留率の向上を実現する。
【解決手段】本体1は前記一面が開口した箱状の枠体部1aとその側壁部1a1内側に位置する可動体部1bとを有し、可動体部1bは当該可動体部1b両側と枠体側面部1aの内側とを接続する一対のビーム1cを回動軸として回動可能に設けられており、可動体部1bの第一の固定基板2側には可動電極6が設けられており、第一の固定基板2には平面視で前記回動軸を挟んだ両側となる部分に第一および第二の固定電極4A,4Bが可動電極6に対向するように設けられており、平面視において第一の固定電極4Aと第二の固定電極4Bに挟まれた第一の固定基板2の領域を間隔部分7Aとし、間隔部分7Aと対向する可動体部1bの領域を間隔対向部分7Bとした場合において、間隔部分7Aと間隔対向部分7Bの少なくともいずれか一方に凹部8を設けた。 (もっと読む)


【課題】電子部品と実装基板の電気的な接続信頼性を低下させることなく実装基板上の電子部品に加わる熱応力の影響を低減する。
【解決手段】本実施形態の電子部品は、MEMSチップの一種である加速度センサチップである。この加速度センサチップは、ガラス基板を用いて形成された底板部4、シリコン半導体基板を用いて形成された枠体部5、ガラス基板を用いて形成された蓋板部6からなるチップ本体2と半田実装パッド3とからなる。
本実施形態によれば方形の底面部を有する電子部品を半田実装する場合においても、熱膨張、熱集収縮が生じた際に対角線方向に加わる熱応力由来のストレスを減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性のより高い力学量センサーを提供する。
【解決手段】基板に固定されたアンカーおよび固定電極と、前記アンカーと前記固定電極の間において前記基板から離れて形成され、前記固定電極と接触すると前記固定電極と導通する可動電極と、前記アンカーに一端が接続され、前記可動電極に他端が接続され、前記基板から離れて形成されたビームとを有し、前記ビームは、複数の直線ビームと前記複数の直線ビームのうち隣接する2つの直線ビームの長手方向を異ならせて前記2つの直線ビームを接続するビーム接続部とを有する力学量センサーを提供する。 (もっと読む)


【課題】 製造工程に新たな工程を追加することなく、スティクションが発生し難い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持基板109と、支持基板109上の固定電極104、105と、ばね性を有し、支持基板109に固定アンカ106、106を介して固定される梁部102、102と、2つの梁部102の間にあって、可動電極103を有する質量部111とを含み、2つの固定アンカ106同士を結ぶ仮想的な直線を質量部111に平行移動させた直線rによって質量部111を第1質量部110と第2質量部120とに分けた場合、第1質量部110と第2質量部120の質量とが異なるように加速度センサを構成する。 (もっと読む)


【課題】検出精度の低下を抑制可能な力学量センサを提供する。
【解決手段】接合部300において、枠の外形を構成する外形輪郭線が矩形状の角部が除去された多角形状にする。これによれば、接合部が矩形枠状とされている従来の力学量センサに対して、角部が除去された部分では一辺の長さが短くなるために膨張量・収縮量が小さくなる。このため、角部が除去されることによって新たに形成された角部に発生する応力を低減することができ、当該角部からセンサ基板100に印加される応力を小さくすることができる。したがって、検出精度が低減することを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】可動電極に対向する固定電極の容量において、検出軸に垂直な方向に加速度がかかった際に、容量変化を起こさない電極配置パターン構造を有する静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】静電容量型加速度センサ100は、一側電極セルA1と他側電極セルA2とからなる電極セル構造Aを備えている。一側電極セルA1は、重錘体101の一側に設けられた一対の可動電極101a,101bと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極111a,112aと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極111b,112bとで構成されている。他側電極セルA2は、重錘体101の他側に設けられた一対の可動電極102a,102bと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極121a,122aと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極121b,122bとで構成されている。 (もっと読む)


【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室33内に設けられ基板31に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第1,第2のシリコン単結晶の振動梁32a、32bと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の一端に接続される板状の第1の電極板34aと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の間に設けられた第2の電極板34bと、第1,第2の振動梁の両側に第1,第2の振動梁を挟んで且つ第1,第2の振動梁と第1,第2の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第3,第4の電極板34c、34dと、振動梁と第2、第3,第4の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部37とを具備した。 (もっと読む)


【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ(部材)2とキャビティ部(空間形成部)5dを備えるキャップ(部材)5を重ね合わせて接合することで、密封された空間8が形成され、空間8内にセンサチップ(半導体チップ)1および複数のワイヤ4を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ2とキャップ5の接合部を封止する封止工程において、キャップ5の上面5a全体と、キャップ2の下面2b全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体9を形成する。これにより、封止工程において、キャップ5を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 (もっと読む)


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