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Fターム[4M112CA24]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | ビーム(梁)、重錘の構造、形状 (1,346) | ビーム(梁)、重錘を複数箇所で支持するもの (951)

Fターム[4M112CA24]に分類される特許

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【課題】加速度に応じて感度を変化させることができる信頼性の高い加速度センサを得る。
【解決手段】質量部5に可動電極6の一端が連結されている。質量部5及び可動電極6は、加速度に応じてシリコン基板1に対して変位可能である。固定電極7a,8aは、可動電極6の側面に対向して配置され、シリコン基板1に固定されている。容量・電圧変換回路12は、可動電極6と固定電極7aとの間の容量C11の変化と、可動電極6と固定電極8aとの間の容量C12の変化とを電気信号に変換する。固定電極7aは、固定電極8aよりも可動電極6に近く、可動電極6の変位量を規制するストッパとして機能する。固定電極7aと質量部5との距離は、固定電極8aと質量部5との距離とは異なる。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なMEMSセンサを得る。
【解決手段】シリコン基板4と、シリコン基板4の上下両面4a、4bに接合される一対の絶縁基板2、3と、シリコン基板4と絶縁基板2、3とを接合した時に形成される密閉空間部6とを備えたMEMSセンサ1において、絶縁基板2、3またはシリコン基板4の露出した外表面3bに、密閉空間部6と連通する貫通孔7を設ける。 (もっと読む)


【課題】全体の大形化を抑えながらも、外部応力に起因する可動電極部の変形を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板2上に絶縁層3を介して設けられた単結晶シリコン層4に溝を形成することにより、可動電極部6及び固定電極部7,8からなるセンサエレメント5を設ける。可動電極部6は、錘部6aから櫛歯状に延びる可動電極6dを有し、錘部6aの前後両端部に梁部6bを有すると共に、前端側に第1のアンカ部6cを有している。アンカ部6cの上面に、アルミ製の電極パッド9を設ける。アンカ部6cに、応力遮断用の2本のスリット12を単結晶シリコン層4全体が除去される深さで形成する。各スリット12は、アンカ部6cの左右の両側縁部から、電極パッド9の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法cを5μm以上とする。 (もっと読む)


【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第1支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第2支持基板と、第1支持基板と第2支持基板の少なくとも一方に設けられ、第1支持基板又は第2支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第1支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第1電極と、第2支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第2電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の第1主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の第1主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の第1主面2aに設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、貫通電極471を介してベース基板2の第2主面2bに設けられた配線42に接続されている。 (もっと読む)


【課題】最適化された感度を有するMEMSおよび/またはNEMS圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板2上で懸架された変形可能な膜4であって、膜の面の1つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜4の変形を検出する手段であって、基板2上に形成される検出手段6と、膜4の変形を増幅された形で検出手段6に伝達する変形不能なアーム14とを備え、アーム14が、膜4の面にほぼ平行な軸線Yの周りで回転可能に基板2にヒンジ留めされ、膜4の変形を増幅された形で検出手段6に伝達するように膜と一体である。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程S1と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程S2と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程S3と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程S4と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程S5と、を含み、配線の厚さ寸法t1を溝部の深さ寸法dよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法t1と突起部の厚さ寸法t2との和を、溝部の深さ寸法dよりも大きくすることを特徴とする(d>t1、且つ、d<(t1+t2))。 (もっと読む)


【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第1力学量センサR1の第1力学量検出部M1と第2力学量センサR2の第2力学量検出部M2とが、第1の基板10に変位可能な状態に形成され、第2の基板20が貼り合わされて第1空間K1と第2空間K2が互いに連通せずに形成されてなり、第1の基板10がSOI基板からなり、SOI層3からなる一部の半導体領域Sで第1力学量検出部M1と第2力学量検出部M2がそれぞれ構成されてなり、第2力学量検出部M2が、第2可動半導体領域S2aと第2固定半導体領域S2bの対向する面の静電容量の変化を測定して、第2力学量を検出する力学量センサ装置100とする。 (もっと読む)


【課題】センサー部やベース基板の損傷を抑制しつつ、製造時などにおけるベース基板とセンサー部との貼り付きを回避可能な物理量センサー、および物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサー1は、肉薄部6aおよび肉厚部6bが設けられたベース基板6と、ベース基板6の肉薄部6aの上方に揺動可能に配置されたセンサー部4と、を有し、ベース基板6には、平面視でセンサー部4の端部と重複する肉薄部6aの少なくとも一部に導電膜9,10が設けられ、導電膜9,10が、肉厚部6bの表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 従来に比べて、小型で且つ、高い感度を得ることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 可動電極部は、X1−X2方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部50と、各可動支持部50の側部から延出し、各可動支持部50にてY1−Y2方向に間隔を空けて配置された複数本の可動電極子60と、を有する。固定電極部は、X1−X2方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部50と、各固定支持部51の側部から延出し、各固定支持部51にてY1−Y2方向に間隔を空けて配置された複数本の固定電極子62と、を有する。複数本の可動支持部と複数本の固定支持部とがX1−X2方向に交互に配列されており、隣り合う可動支持部と固定支持部とが組66にされて、各組の可動支持部と固定支持部の間にて可動電極子60と固定電極子62とが交互に配列されている。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体2と、半導体基体2を実装する基体1と、半導体基体2を基体1側に接合する接合部3とを備えた電子デバイス10の製造方法であって、接合部3がAuを含む接合材料からなり、半導体基体2の接合部3側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体1に設けた接合部3を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Auと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体2を基体1側に接合する接合工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に気密性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第1の基材21と、第2の基材31と、可動部3及び枠体部5を備える機能部と、可動部3の変位を検出する検知部とを有し、第1の枠体部5aが第1の封止層23を有し、第2の基材31の第1の封止層23と対向する位置に第2の封止層33が形成され、第1の封止層23が第2の封止層33と対向する面に第1の接合面と第2の接合面とを有し、前記第1の接合面が前記第2の接合面よりも第2の基材31側に位置するように第1の封止層23と第2の封止層33とが接合されてなる物理量センサ1。 (もっと読む)


【課題】支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるMEMSデバイスを得る。
【解決手段】MEMSデバイスDは、支持基板2aの側面2eに露出させた貫通電極22a〜22eの断面部を、可動電極4、5および固定電極20a〜21bの電位取出口として利用可能とした加速度センサ(第1のセンサ)S1と、この加速度センサS1に支持基板2aを介して積層されるセンサ基板1Aを有した圧力センサ(第2のセンサ)S2とを備える。 (もっと読む)


【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス1は、第1の面10aに第1の電極11を有する半導体装置としてのICチップ10と、基部21、前記基部21から延伸された振動部を有し、第1の面10aと対向する第2の面20aに第2の電極としての引き出し電極29を有する振動片としての振動ジャイロ素子20と、を備えている。第1の面10aには、絶縁樹脂からなり第1の電極11と配線36を介して電気的に接続された第3の電極37の少なくとも一部を露出させる開口部32aを有する筒状支持部32が設けられ、第1の面10aおよび開口部32aにより形成された凹部に導電性接着剤98が埋設され、引き出し電極29に設けられたバンプ12が凹部内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】スティッキングをより抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部4(5)と当該錘部4(5)を揺動自在に支持する一対のばね部6a、6b(7a、7b)とが形成されたシリコン基板1と、シリコン基板1に接合されるとともに錘部4(5)と対向して配置される固定電極を有した支持基板2aと、を備える。前記固定電極は、前記一対のばね部6a、6b(7a、7b)を結ぶ直線を境界線として当該境界線の一方側および他方側にそれぞれ配置される第1の固定電極20a(21a)と第2の固定電極20b(21b)を備えており、この第1の固定電極20a(21a)と第2の固定電極20b(21b)との間の支持基板2aに、一対のばね部6a、6b(7a、7b)間に亘る対向領域を凹設させた凹部40を設ける。 (もっと読む)


【課題】出力特性の変動を低減することのできる静電容量式センサを提供する。
【解決手段】静電容量式センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極4,5と、可動電極4,5の一方面に対向して配置された上部固定板2aと、可動電極4,5の他方面に対向して配置された下部固定板2bと、可動電極4,5をフレーム部に対して揺動自在に支持するビーム部6a,6b,7a,7bと、上部固定板2aの可動電極4,5と対向する側に配置された固定電極20a,21aと、可動電極4,5と固定電極20a,21a間の静電容量の変化を検出する検出電極とを備え、可動電極4,5間にある中央部分のフレーム部である中央フレーム部22の一部または全部は、上部固定板2a及び下部固定板2bのうちの少なくとも1つと結合されていない。 (もっと読む)


【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体100は、第1の基板1と、第1の基板1の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層2と、多孔層2において第1の基板1が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板3とを備え、多孔層2における各孔2aの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔2aを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層2の厚さは、1μmよりも大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】固定電極に備えたシリコン接触部と可動電極とが、それらの接触する部分において、固着を低減させるMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】シリコン接触部14は、Rを有する凸状に形成され、可動電極5は、シリコン接触部14との対向面にR形状を有する凸部13を備える。これら、可動電極5と絶縁基板20は、シリコン接触部14および凸部13を介して接触し、シリコン接触部14と凸部13とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。 (もっと読む)


【課題】撓み部に発生する浅いクラックを感知する感知基板およびそれを用いた加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部11と、フレーム部11の内側に設けられた錘部12と、フレーム部11と錘部12との間をつなぎ錘部12が変位することで撓む撓み部13と、撓み部13に形成され錘部12の揺動に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗14と、フレーム部11に配置されピエゾ抵抗14からの信号を取り出すピエゾ抵抗用電極パッド15aと、ピエゾ抵抗14とピエゾ抵抗用電極パッド15aとの間をつなぐ拡散配線による拡散配線部16と、を備える感知基板20である。撓み部13の表面には、金属でなる金属配線部17を備え、金属配線部17は、フレーム部11に配置され金属配線部17からの信号を取り出す金属配線部用電極パッドにつながっている。 (もっと読む)


【課題】可動部を有するMEMS素子に対する外部からの静電気の影響を低減して信頼性を向上することができるMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】固定部及び可動部を有するMEMS素子と、所定の間隔をもって可動部を覆い、固定部でMEMS素子と固定された第1キャップと、第1キャップと導電部材により電気的に接続され、固定部上に配置され、且つグランド電位が供給される第1グランドパッドとを備えたMEMSデバイス。 (もっと読む)


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