ＭＥＭＳセンサ
【課題】シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なＭＥＭＳセンサを得る。
【解決手段】シリコン基板４と、シリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂに接合される一対の絶縁基板２、３と、シリコン基板４と絶縁基板２、３とを接合した時に形成される密閉空間部６とを備えたＭＥＭＳセンサ１において、絶縁基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設ける。
【解決手段】シリコン基板４と、シリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂに接合される一対の絶縁基板２、３と、シリコン基板４と絶縁基板２、３とを接合した時に形成される密閉空間部６とを備えたＭＥＭＳセンサ１において、絶縁基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、錘部と当該錘部を揺動自在に支持するばね部とが形成されたシリコン基板と、このシリコン基板の上下両面に接合される一対の絶縁基板と、を備えたＭＥＭＳセンサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＭＥＭＳセンサにあっては、シリコン基板と絶縁基板とを陽極接合により接合するとともに、シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に、錘部と絶縁基板との間にギャップが形成されるようになっている。これにより錘部の動作性の確保が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０２２０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のＭＥＭＳセンサにあっては、錘部と絶縁基板との間に形成されるギャップが、絶縁基板により囲まれた密閉空間部となっている。そのため、シリコン基板と絶縁基板との陽極接合時に、ギャップとなる密閉空間部の圧力を調整することが困難となるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なＭＥＭＳセンサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明にあっては、シリコン基板と、前記シリコン基板の上下両面に接合される一対の絶縁基板と、前記シリコン基板と前記絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部とを備えたＭＥＭＳセンサにおいて、前記絶縁基板またはシリコン基板の露出した外表面に、前記密閉空間部と連通する貫通孔を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のＭＥＭＳセンサによれば、絶縁基板またはシリコン基板の露出した外表面に密閉空間部と連通する貫通孔を設けたので、密閉空間部の圧力を調整することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態にかかる加速度センサの平面図である。
【図２】図２は、図１に示す加速度センサの断面図である。
【図３】図３は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態にかかる加速度センサの平面図である。
【図５】図５は、図４に示す加速度センサの断面図である。
【図６】図６は、図５に示す加速度センサの貫通孔を封止材にて封止した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、ＭＥＭＳセンサとして、静電容量式の加速度センサを例示する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００１１】
［第１実施形態］
本実施形態の加速度センサ１は、図１〜図３に示すように、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板４と、このシリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂにそれぞれ接合される一対のガラス基板（絶縁基板）２，３と、を備えている。そして、本実施形態では、このシリコン基板４と第１のガラス基板２および第２のガラス基板３とを陽極接合により接合するようにしている。
【００１２】
シリコン基板４には、公知の半導体プロセスにより間隙５が形成されている。これによりシリコン基板４には、周縁部に形成される略矩形状の枠部４１、固定電極体４２、可動電極体となる錘部４３および当該錘部４３を揺動自在に支持するばね部４４が形成されている。
【００１３】
間隙５は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などにより垂直エッチング加工をすることで、間隙５の側壁面がシリコン基板４の表面と垂直となるように形成される。このようにして、垂直エッチング加工により形成された間隙５の側壁面同士は、互いに略平行に対向することになる。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置によるＩＣＰ加工を利用することができる。
【００１４】
固定電極体４２は、シリコン基板４のセンターラインＹを中心として左右２箇所に設けられており、複数の櫛歯状固定電極４２ｂの外側部が幹部４２ａによって連結されている。すなわち、複数の櫛歯状固定電極４２ｂは、幹部４２ａから所定間隔をもって平行に突設されている。
【００１５】
錘部４３は、左右に配置された固定電極体４２の間に配置されており、センターラインＹに沿って配置される幹部４３ａと、この幹部４３ａから櫛歯状固定電極４２ｂの延在方向と平行に延設される複数の櫛歯状可動電極４３ｂを備えている。
【００１６】
そして、複数の櫛歯状可動電極４３ｂは、幹部４３ａから隣り合う２つの櫛歯状固定電極４２ｂ間に挿入されるように所定間隔をもって平行に突設されている。すなわち、櫛歯状固定電極４２ｂと櫛歯状可動電極４３ｂとは、それぞれが交互に配置されることになる。
【００１７】
幹部４３ａの両端部には、上述したばね部４４がそれぞれ連結されており、このばね部４４を介して錘部４３を支持する枠部４１が錘部４３および固定電極体４２の周縁部に形成されている。
【００１８】
各ばね部４４は、連続する１本の細長い線状ばね４４ａを複数段のつづら折り状に折曲させた形状をしている。線状ばね４４ａの一端部４４ｂは、幅方向に延びる線状ばね４４ａの略中央部に設けられており、枠部４１の内壁部にそれぞれ連結されている。また、線状ばね４４ａの他端部４４ｃは、線状ばね４４ａの略中央部に設けられ、錘部４３の幹部４３ａにそれぞれ連結されている。
【００１９】
このように、ばね部４４を錘部４３と枠部４１に連結することで、ばね部４４が枠部４１に対して錘部４３を弾性的に可動支持するバネ要素として機能する。
【００２０】
これにより、本実施形態では、錘部４３に対し、バネ要素としてのばね部４４、ばね部４４に接続された枠部４１により支持される質量要素（マス）としての機能を与え、これらバネ要素と質量要素とによってバネ−マス系を構成している。そして、質量要素としての錘部４３の位置変位による錘部４３、固定電極体４２間の静電容量値の変化を検出し、検出された静電容量値の変化に基づき加速度センサ１に加えられた加速度や角加速度（物理量）を検知するようになっている。
【００２１】
具体的には、この静電容量値の変化は、錘部４３、固定電極体４２にそれぞれ形成された複数の櫛歯状可動電極４３ｂ、櫛歯状固定電極４２ｂからなる検出部４９ａ，４９ｂによって検出される。
【００２２】
例えば、図１に示すセンターラインＹ方向に加速度が与えられると、櫛歯状可動電極４３ｂがセンターラインＹ方向に変位する。そして、検出部４９ａの櫛歯状可動電極４３ｂ、櫛歯状固定電極４２ｂで検出される静電容量値と、検出部４９ｂの櫛歯状可動電極４３ｂ、櫛歯状固定電極４２ｂで検出される静電容量値とによって、センターラインＹ方向の加速度を検出することができる。
【００２３】
また、図２に示すように、錘部４３には櫛歯状可動電極４３ｃに電気的に接続される第１の導電層４６ａが設けられている。さらに、図２中４６ｂは、左側の固定電極体４２の櫛歯状固定電極４２ｂに電気的に接続される第２の導電層であり、４６ｃは、右側の固定電極体４２の櫛歯状固定電極４２ｂに電気的に接続される第３の導電層である。
【００２４】
そして、第１のガラス基板２の第１〜第３の導電層４６ａ〜４６ｃに対応する部位には、サンドブラスト加工等によってスルーホール２１が形成されている。そして、シリコン基板４上に設けられた第１〜第３の導電層４６ａ〜４６ｃを各スルーホール２１の奥にそれぞれ露出させている。そして、第１のガラス基板２の表面２ａ上から各スルーホール２１の内周面上にかけて電気的に接続された一連の導電性薄膜（図示せず）を成膜するようにして、各導電性薄膜から固定電極体４２および錘部４３の電位を検出できるようにしている。なお、各導電性薄膜は、第１のガラス基板２の表面２ａ上に互いに接触しないように形成される。また、第１のガラス基板２の表面２ａ上は、樹脂層（図示せず）によって被覆（モールド成形）するのが好適である。
【００２５】
また、図３に示す図１のＡ−Ａ線断面図のように、シリコン基板４と第１のガラス基板２および第２のガラス基板３との接合面にはギャップ４７および３１がそれぞれ形成されている。すなわち、シリコン基板４の少なくとも錘部４３と第１および第２のガラス基板２、３との間にギャップ４７、３１が形成されており、これにより、シリコン基板４各部の絶縁性や錘部（可動電極）４３の動作性の確保が図られている。
【００２６】
なお、本実施形態では、シリコン基板４の上面４ａを、錘部４３およびばね部４４の形成領域およびその周縁部を含めて凹設することで、錘部４３の上方への変位を許容するギャップ４７を形成している。また、第２のガラス基板３の上面３ａを、錘部４３の形成領域およびその周縁部を含めて凹設することで、錘部４３の下方への変位を許容するギャップ３１を形成している。
【００２７】
そして、第１のガラス基板２とシリコン基板４とを陽極接合するとともに、シリコン基板４と第２のガラス基板３とを陽極接合することにより、三層構造の加速度センサ１が形成される。このとき、第１のガラス基板２が接合されたシリコン基板４と第２のガラス基板３とを接合することによって、ギャップ４７および３１が一対のガラス基板２、３により囲われた密閉空間部６となる。このように、密閉空間部６が形成されてしまうと当該空間部６の圧力を調整することが困難となり、陽極接合時に密閉空間部６の圧力が高まってしまう。
【００２８】
そこで、本実施形態では、第２のガラス基板３の外表面となる下面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設けるようにしている。なお、この貫通孔７の形成部位は、一対のガラス基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面であればどこに設けてもよい。すなわち、本実施形態では上記外表面として、第１のガラス基板２の上面２ａおよび側面２ｃ、２ｄ、第２のガラス基板３の側面３ｃ，３ｄ、シリコン基板４の側面４ｃ，４ｄを含むものとする。第１のガラス基板２の側面２ｃ，２ｄや第２のガラス基板３の側面３ｃ，３ｄに貫通孔７を形成する場合には、密閉空間部６に向けて略Ｌ字状に折れ曲がるようにして開口を形成すればよい。
【００２９】
また、本実施形態では、このような貫通孔７が形成された第２のガラス基板３を、第１のガラス基板２が接合されたシリコン基板４に接合する際に、真空中で陽極接合するようにしている。
【００３０】
このような構成により、陽極接合時にシリコン基板４の錘部４３がガラス基板２に固着してしまう所謂スティッキングを抑制することができるという利点がある。すなわち、真空でない状態で陽極接合を行うと、電圧を印加した際の多大な静電吸引力により錘部４３がガラス基板２に引きつけられてしまうが、真空中で陽極接合を行うとその静電吸引力を低減することができる。
【００３１】
その一方で、真空中で陽極接合を行う構成では、内部の密閉空間部６が真空状態のままであるとエアダンピング効果がなくなり、一定の加速度が入力された際に密閉空間部に空気が存在するセンサと比べて、錘部が余分に動き過ぎてしまうという問題がある。
【００３２】
そこで、本実施形態では、シリコン基板４とガラス基板２、３との陽極接合後に、第２のガラス基板３に形成された貫通孔７を介して密閉空間部６に空気を充填するようにしている。その後、図３に示すように、本実施形態では貫通孔７を封止する封止部としてのパッキン材８を用いることで、貫通孔７を封止する。これにより、加速度センサ１の使用時に外部から液体や異物などが浸入してしまうのを防止することができる。なお、この封止部はパッキン材８に限定されず、例えば貫通孔７内に封止材を充填したり、貫通孔７を外側からシートで覆うようにしてもよい。
【００３３】
以上の構成により、本実施形態の加速度センサ１によれば、ガラス基板（絶縁基板）２、３またはシリコン基板４の露出した外表面としての第２のガラス基板３の下面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設けている。そのため、密閉空間部６の圧力を調整することができるようになる。これにより、シリコン基板４とガラス基板２、３との陽極接合時に、密閉空間部６の圧力が高まってしまうのを抑制でき、錘部４３やばね部４４などが損傷してしまうのを抑制できるという利点がある。
【００３４】
また、本実施形態では、シリコン基板４とガラス基板２、３とを真空中で陽極接合するようにしている。そのため、陽極接合時にシリコン基板４の錘部４３がガラス基板２に固着してしまう所謂スティッキングを抑制することができるという利点がある。その一方で、第２のガラス基板３の下面３ｂには貫通孔７が形成されているので、陽極接合後に貫通孔７を介して密閉空間部６に空気を導入することができる。これにより、密閉空間部６が真空状態のままとなることを阻止して、エアダンピング効果が得られなくなってしまうのを防止できる。
【００３５】
さらに、本実施形態では、第２のガラス基板３の下面３ｂに形成された貫通孔７を封止するパッキン材（封止部）８を備えるので、加速度センサ１の使用時に外部から液体や異物などが密閉空間部６に浸入してしまうのを防止できる。
【００３６】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について図面を参照して説明する。図４〜図６は、本実施形態にかかる加速度センサ１００を示した図である。上記第１実施形態に示す加速度センサ１が錘部の水平変位によって加速度を検出するのに対して、本実施形態の加速度センサ１００は錘部の上下変位によって加速度を検出するようになっている。
【００３７】
本実施形態の加速度センサ１００は、上記第１実施形態と同様に、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板１０４と、このシリコン基板１０４の上下両面１０４ａ、１０４ｂに接合される一対のガラス基板（絶縁基板）１０２，１０３と、を備えている。そして、このシリコン基板１０４と第１のガラス基板１０２および第２のガラス基板１０３とを陽極接合により接合するようにしている。また、第１のガラス基板１０２には、当該第１のガラス基板１０２の下面に錘部１０５の設置領域に対応した固定電極１２１（図５参照）が設けられている。なお、本実施形態では、固定電極１２１は第１のガラス基板１０２のシリコン基板１０４に形成したギャップ１０７と対向する領域に形成されている。
【００３８】
シリコン基板１０４は略矩形状に形成されており、このシリコン基板１０４には、第１のガラス基板１０２の厚み方向（図５中上下方向）に変位可能な錘部１０５が設けられている。さらに、本実施形態では、錘部１０５が可動電極を構成している。この錘部１０５は、当該錘部１０５を囲むように配置された略枠状の支持部１１６にばね部１０６としての２本のビーム１６１を介して支持されている。なお、各ビーム１６１は、厚み方向に可撓性を有するように厚み寸法を錘部１０５および支持部１１６のそれぞれの厚みよりも十分に小さく設定している。すなわち、ビーム１６１は、支持部１１６に対して錘部１０５を弾性的に可動支持するバネ要素として機能している。
【００３９】
このように、本実施形態では、錘部１０５に、バネ要素としてのビーム１６１によって可動支持される質量要素としての機能を与え、これらバネ要素と質量要素とによってバネ−マス系を構成している。そして、質量要素としての錘部１０５の変位から、その加速度や角加速度を得ることができるようになっている。
【００４０】
そして、図５に示すように、シリコン基板１０４と第１のガラス基板１０２および第２のガラス基板１０３との接合面にはギャップ１０７および１３１がそれぞれ形成されており、シリコン基板１０４各部の絶縁性や錘部１０５の動作性の確保が図られている。また、固定電極１２１と錘部１０５との間のギャップ１０７を検知ギャップとして、ギャップ１０７を介して相互に対向する固定電極１２１と錘部１０５との間の静電容量を検出するようになっている。なお、本実施形態では、アルカリ性湿式異方性エッチング液（例えば、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ＥＤＰ水溶液等）を用いたシリコン異方性エッチングによりシリコン基板１０４の一部を除去することでギャップ１０７を形成している。
【００４１】
また、錘部１０５の周囲にはビーム１６１の厚み方向に貫通した２つのスリット１１７が形成されており、各ビーム１６１は、これら２つのスリット１１７により幅寸法が規定されている。
【００４２】
このスリット１１７は、反応性イオンエッチングなどにより垂直エッチング加工をすることで、スリット１１７の側壁面をシリコン基板１０４の表面と垂直となるように形成される。このようにして、垂直エッチング加工により形成されたスリット１１７の側壁面同士は、互いに略平行に対向することになる。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマを備えたエッチング装置によるＩＣＰ加工を利用することができる。
【００４３】
本実施形態では、単結晶のシリコン基板（Ｓｉ基板）に公知のエッチング加工を施すことで錘部１０５と各ビーム１６１と支持部１１６とが形成されている。そして、錘部１０５が可動電極を構成し、錘部１０５の変位に応じた可動電極と固定電極１２１との間の静電容量値の変化として加速度や角加速度（物理量）を検知するようになっている。このとき、錘部１０５は、略四角錘台状に形成されており、固定電極１２１との対向面１０５ａが略平面になっている。なお、本実施形態では、錘部１０５が可動電極を構成しているが、錘部１０５における固定電極１２１との対向面１０５ａに可動電極を別途形成するようにしてもよい。
【００４４】
また、第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上に、第１の導電性薄膜１１１を成膜し、固定電極１２１の電位を取得する配線パターンとして用いるとともに、第２の導電性薄膜（図示せず）を成膜し、錘部１０５の電位を取得する配線パターンとして用いている。
【００４５】
本実施形態では、図４に示すように、第１のガラス基板１０２のギャップ１０７は、錘部１０５が形成される略枠状の部分から支持部１１６の一部まで延在させた延在部１０７ａを有している。そして、第１のガラス基板１０２の延在部１０７ａに対応する部位に、サンドブラスト加工等によって第１のスルーホール１２２を形成するとともに、第１のガラス基板１０２のギャップ１０７から外れた部位（即ち、平面視で第１のガラス基板１０２の固定電極１２１が形成されていない部位）に、第２のスルーホール１２３を形成している。そして、シリコン基板１０４の上面の一部を当該第１のスルーホール１２２および第２のスルーホール１２３の奥にそれぞれ露出させ、第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上から第１のスルーホール１２２および第２のスルーホール１２３の内周面上および第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上にかけて電気的に接続された一連の第１の導電性薄膜１１１および第２の導電性薄膜（図示せず）を成膜するようにして、当該第１の導電性薄膜１１１および第２の導電性薄膜（図示せず）から固定電極１２１および錘部１０５の電位を検出できるようにしている。なお、第１の導電性薄膜１１１および第２の導電性薄膜（図示せず）は、互いに接触しないように形成されている。
【００４６】
また、図５中、１０９は各導電性薄膜に導通される導電層であり、１１０はその導電層１０９とシリコン基板１０４とを絶縁する絶縁層である。そして、第１のスルーホール１２２に対応した導電層１０９は固定電極１２１に短絡されるとともに、第２のスルーホール１２３に対応した導電層１０９はシリコン基板１０４の支持部１１６に短絡されている。
【００４７】
ところで、本実施形態では、上述したように、シリコン基板１０４にギャップ１０７を形成するとともにシリコン基板１０４の厚み方向に貫通した２つのスリット１１７を形成することで、錘部１０５を支持部１１６に２本のビーム１６１を介して支持させている。これにより、錘部１０５、ビーム１６１および支持部１１６は一体に形成されている。したがって、錘部１０５、ビーム１６１および支持部１１６の電位はほぼ等電位とみなすことができる。なお、第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上は、樹脂層（図示せず）によって被覆（モールド成形）するのが好適である。
【００４８】
ここで、本実施形態では、ガラス基板１０２、１０３またはシリコン基板１０４の露出した外表面としてのシリコン基板１０４の側面１０４ｄに、ギャップ１０７および１３１により形成される密閉空間部６００と連通する貫通孔７００を設けている。
【００４９】
そして、本実施形態にあっても、このような貫通孔７００が形成されたシリコン基板１０４と第１のガラス基板１０２および第２のガラス基板１０３とを接合する際に、真空中で陽極接合するようにしている。そして、シリコン基板１０４とガラス基板１０２、１０３との陽極接合後に、貫通孔７００を介して密閉空間部６００に空気を充填し、その後、図８に示すように、貫通孔７００に封止部としての封止材８００を充填することで、貫通孔７００を封止する。これにより、加速度センサ１００の使用時に外部から液体や異物などが浸入してしまうのを防止することができる。なお、上記第１実施形態のように、パッキン材を用いて貫通孔７００を封止することも可能である。また、貫通孔７００を外側からシートで覆うようにしてもよい。
【００５０】
以上の構成により、本実施形態の加速度センサ１００によれば、ガラス基板（絶縁基板）１０２、１０３またはシリコン基板１０４の露出した外表面としてのシリコン基板１０４の側面１０４ｄに、密閉空間部６００と連通する貫通孔７００を設けている。そのため、密閉空間部６００の圧力を調整することができるようになる。これにより、シリコン基板１０４とガラス基板１０２、１０３との陽極接合時に、密閉空間部６００の圧力が高まってしまうのを抑制でき、錘部１０５やばね部１０６などが損傷してしまうのを抑制できる。
【００５１】
また、シリコン基板１０４とガラス基板１０２、１０３とを真空中で陽極接合するようにしているので、陽極接合時にシリコン基板１０４の錘部１０５がガラス基板１０２に固着してしまうのを抑制することができる。その一方で、シリコン基板１０４の側面１０４ｄには貫通孔７００が形成されているので、陽極接合後に貫通孔７００を介して密閉空間部６００に空気を導入することができる。これにより、密閉空間部６００が真空状態のままとなることを阻止して、エアダンピング効果が得られなくなってしまうのを防止できる。
【００５２】
さらに、シリコン基板１０４の側面１０４ｄに形成された貫通孔７００を封止する封止材（封止部）８００を備えるので、加速度センサ１００の使用時に外部から液体や異物などが密閉空間部６００に浸入してしまうのを防止できる。
【００５３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、ＭＥＭＳセンサとして静電容量式の加速度センサを例示したが、これに限定されず、その他のＭＥＭＳセンサ、例えば角速度センサや振動センサ等にあっても本発明を適用することができる。
【００５５】
また、錘部、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１、１００ 加速度センサ（ＭＥＭＳセンサ）
２、１０２ 第１のガラス基板（絶縁基板）
３、１０３ 第２のガラス基板（絶縁基板）
３ｂ 下面（外表面）
４、１０４ シリコン基板
４ｄ、１０４ｄ 側面（外表面）
３０、１０５ 錘部
４４、１０６ ばね部
６、６００ 密閉空間部
７、７００ 貫通孔
８ パッキン材（封止部）
８００ 封止材（封止部）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、錘部と当該錘部を揺動自在に支持するばね部とが形成されたシリコン基板と、このシリコン基板の上下両面に接合される一対の絶縁基板と、を備えたＭＥＭＳセンサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＭＥＭＳセンサにあっては、シリコン基板と絶縁基板とを陽極接合により接合するとともに、シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に、錘部と絶縁基板との間にギャップが形成されるようになっている。これにより錘部の動作性の確保が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０２２０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のＭＥＭＳセンサにあっては、錘部と絶縁基板との間に形成されるギャップが、絶縁基板により囲まれた密閉空間部となっている。そのため、シリコン基板と絶縁基板との陽極接合時に、ギャップとなる密閉空間部の圧力を調整することが困難となるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なＭＥＭＳセンサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明にあっては、シリコン基板と、前記シリコン基板の上下両面に接合される一対の絶縁基板と、前記シリコン基板と前記絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部とを備えたＭＥＭＳセンサにおいて、前記絶縁基板またはシリコン基板の露出した外表面に、前記密閉空間部と連通する貫通孔を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のＭＥＭＳセンサによれば、絶縁基板またはシリコン基板の露出した外表面に密閉空間部と連通する貫通孔を設けたので、密閉空間部の圧力を調整することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態にかかる加速度センサの平面図である。
【図２】図２は、図１に示す加速度センサの断面図である。
【図３】図３は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態にかかる加速度センサの平面図である。
【図５】図５は、図４に示す加速度センサの断面図である。
【図６】図６は、図５に示す加速度センサの貫通孔を封止材にて封止した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、ＭＥＭＳセンサとして、静電容量式の加速度センサを例示する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００１１】
［第１実施形態］
本実施形態の加速度センサ１は、図１〜図３に示すように、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板４と、このシリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂにそれぞれ接合される一対のガラス基板（絶縁基板）２，３と、を備えている。そして、本実施形態では、このシリコン基板４と第１のガラス基板２および第２のガラス基板３とを陽極接合により接合するようにしている。
【００１２】
シリコン基板４には、公知の半導体プロセスにより間隙５が形成されている。これによりシリコン基板４には、周縁部に形成される略矩形状の枠部４１、固定電極体４２、可動電極体となる錘部４３および当該錘部４３を揺動自在に支持するばね部４４が形成されている。
【００１３】
間隙５は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などにより垂直エッチング加工をすることで、間隙５の側壁面がシリコン基板４の表面と垂直となるように形成される。このようにして、垂直エッチング加工により形成された間隙５の側壁面同士は、互いに略平行に対向することになる。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置によるＩＣＰ加工を利用することができる。
【００１４】
固定電極体４２は、シリコン基板４のセンターラインＹを中心として左右２箇所に設けられており、複数の櫛歯状固定電極４２ｂの外側部が幹部４２ａによって連結されている。すなわち、複数の櫛歯状固定電極４２ｂは、幹部４２ａから所定間隔をもって平行に突設されている。
【００１５】
錘部４３は、左右に配置された固定電極体４２の間に配置されており、センターラインＹに沿って配置される幹部４３ａと、この幹部４３ａから櫛歯状固定電極４２ｂの延在方向と平行に延設される複数の櫛歯状可動電極４３ｂを備えている。
【００１６】
そして、複数の櫛歯状可動電極４３ｂは、幹部４３ａから隣り合う２つの櫛歯状固定電極４２ｂ間に挿入されるように所定間隔をもって平行に突設されている。すなわち、櫛歯状固定電極４２ｂと櫛歯状可動電極４３ｂとは、それぞれが交互に配置されることになる。
【００１７】
幹部４３ａの両端部には、上述したばね部４４がそれぞれ連結されており、このばね部４４を介して錘部４３を支持する枠部４１が錘部４３および固定電極体４２の周縁部に形成されている。
【００１８】
各ばね部４４は、連続する１本の細長い線状ばね４４ａを複数段のつづら折り状に折曲させた形状をしている。線状ばね４４ａの一端部４４ｂは、幅方向に延びる線状ばね４４ａの略中央部に設けられており、枠部４１の内壁部にそれぞれ連結されている。また、線状ばね４４ａの他端部４４ｃは、線状ばね４４ａの略中央部に設けられ、錘部４３の幹部４３ａにそれぞれ連結されている。
【００１９】
このように、ばね部４４を錘部４３と枠部４１に連結することで、ばね部４４が枠部４１に対して錘部４３を弾性的に可動支持するバネ要素として機能する。
【００２０】
これにより、本実施形態では、錘部４３に対し、バネ要素としてのばね部４４、ばね部４４に接続された枠部４１により支持される質量要素（マス）としての機能を与え、これらバネ要素と質量要素とによってバネ−マス系を構成している。そして、質量要素としての錘部４３の位置変位による錘部４３、固定電極体４２間の静電容量値の変化を検出し、検出された静電容量値の変化に基づき加速度センサ１に加えられた加速度や角加速度（物理量）を検知するようになっている。
【００２１】
具体的には、この静電容量値の変化は、錘部４３、固定電極体４２にそれぞれ形成された複数の櫛歯状可動電極４３ｂ、櫛歯状固定電極４２ｂからなる検出部４９ａ，４９ｂによって検出される。
【００２２】
例えば、図１に示すセンターラインＹ方向に加速度が与えられると、櫛歯状可動電極４３ｂがセンターラインＹ方向に変位する。そして、検出部４９ａの櫛歯状可動電極４３ｂ、櫛歯状固定電極４２ｂで検出される静電容量値と、検出部４９ｂの櫛歯状可動電極４３ｂ、櫛歯状固定電極４２ｂで検出される静電容量値とによって、センターラインＹ方向の加速度を検出することができる。
【００２３】
また、図２に示すように、錘部４３には櫛歯状可動電極４３ｃに電気的に接続される第１の導電層４６ａが設けられている。さらに、図２中４６ｂは、左側の固定電極体４２の櫛歯状固定電極４２ｂに電気的に接続される第２の導電層であり、４６ｃは、右側の固定電極体４２の櫛歯状固定電極４２ｂに電気的に接続される第３の導電層である。
【００２４】
そして、第１のガラス基板２の第１〜第３の導電層４６ａ〜４６ｃに対応する部位には、サンドブラスト加工等によってスルーホール２１が形成されている。そして、シリコン基板４上に設けられた第１〜第３の導電層４６ａ〜４６ｃを各スルーホール２１の奥にそれぞれ露出させている。そして、第１のガラス基板２の表面２ａ上から各スルーホール２１の内周面上にかけて電気的に接続された一連の導電性薄膜（図示せず）を成膜するようにして、各導電性薄膜から固定電極体４２および錘部４３の電位を検出できるようにしている。なお、各導電性薄膜は、第１のガラス基板２の表面２ａ上に互いに接触しないように形成される。また、第１のガラス基板２の表面２ａ上は、樹脂層（図示せず）によって被覆（モールド成形）するのが好適である。
【００２５】
また、図３に示す図１のＡ−Ａ線断面図のように、シリコン基板４と第１のガラス基板２および第２のガラス基板３との接合面にはギャップ４７および３１がそれぞれ形成されている。すなわち、シリコン基板４の少なくとも錘部４３と第１および第２のガラス基板２、３との間にギャップ４７、３１が形成されており、これにより、シリコン基板４各部の絶縁性や錘部（可動電極）４３の動作性の確保が図られている。
【００２６】
なお、本実施形態では、シリコン基板４の上面４ａを、錘部４３およびばね部４４の形成領域およびその周縁部を含めて凹設することで、錘部４３の上方への変位を許容するギャップ４７を形成している。また、第２のガラス基板３の上面３ａを、錘部４３の形成領域およびその周縁部を含めて凹設することで、錘部４３の下方への変位を許容するギャップ３１を形成している。
【００２７】
そして、第１のガラス基板２とシリコン基板４とを陽極接合するとともに、シリコン基板４と第２のガラス基板３とを陽極接合することにより、三層構造の加速度センサ１が形成される。このとき、第１のガラス基板２が接合されたシリコン基板４と第２のガラス基板３とを接合することによって、ギャップ４７および３１が一対のガラス基板２、３により囲われた密閉空間部６となる。このように、密閉空間部６が形成されてしまうと当該空間部６の圧力を調整することが困難となり、陽極接合時に密閉空間部６の圧力が高まってしまう。
【００２８】
そこで、本実施形態では、第２のガラス基板３の外表面となる下面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設けるようにしている。なお、この貫通孔７の形成部位は、一対のガラス基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面であればどこに設けてもよい。すなわち、本実施形態では上記外表面として、第１のガラス基板２の上面２ａおよび側面２ｃ、２ｄ、第２のガラス基板３の側面３ｃ，３ｄ、シリコン基板４の側面４ｃ，４ｄを含むものとする。第１のガラス基板２の側面２ｃ，２ｄや第２のガラス基板３の側面３ｃ，３ｄに貫通孔７を形成する場合には、密閉空間部６に向けて略Ｌ字状に折れ曲がるようにして開口を形成すればよい。
【００２９】
また、本実施形態では、このような貫通孔７が形成された第２のガラス基板３を、第１のガラス基板２が接合されたシリコン基板４に接合する際に、真空中で陽極接合するようにしている。
【００３０】
このような構成により、陽極接合時にシリコン基板４の錘部４３がガラス基板２に固着してしまう所謂スティッキングを抑制することができるという利点がある。すなわち、真空でない状態で陽極接合を行うと、電圧を印加した際の多大な静電吸引力により錘部４３がガラス基板２に引きつけられてしまうが、真空中で陽極接合を行うとその静電吸引力を低減することができる。
【００３１】
その一方で、真空中で陽極接合を行う構成では、内部の密閉空間部６が真空状態のままであるとエアダンピング効果がなくなり、一定の加速度が入力された際に密閉空間部に空気が存在するセンサと比べて、錘部が余分に動き過ぎてしまうという問題がある。
【００３２】
そこで、本実施形態では、シリコン基板４とガラス基板２、３との陽極接合後に、第２のガラス基板３に形成された貫通孔７を介して密閉空間部６に空気を充填するようにしている。その後、図３に示すように、本実施形態では貫通孔７を封止する封止部としてのパッキン材８を用いることで、貫通孔７を封止する。これにより、加速度センサ１の使用時に外部から液体や異物などが浸入してしまうのを防止することができる。なお、この封止部はパッキン材８に限定されず、例えば貫通孔７内に封止材を充填したり、貫通孔７を外側からシートで覆うようにしてもよい。
【００３３】
以上の構成により、本実施形態の加速度センサ１によれば、ガラス基板（絶縁基板）２、３またはシリコン基板４の露出した外表面としての第２のガラス基板３の下面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設けている。そのため、密閉空間部６の圧力を調整することができるようになる。これにより、シリコン基板４とガラス基板２、３との陽極接合時に、密閉空間部６の圧力が高まってしまうのを抑制でき、錘部４３やばね部４４などが損傷してしまうのを抑制できるという利点がある。
【００３４】
また、本実施形態では、シリコン基板４とガラス基板２、３とを真空中で陽極接合するようにしている。そのため、陽極接合時にシリコン基板４の錘部４３がガラス基板２に固着してしまう所謂スティッキングを抑制することができるという利点がある。その一方で、第２のガラス基板３の下面３ｂには貫通孔７が形成されているので、陽極接合後に貫通孔７を介して密閉空間部６に空気を導入することができる。これにより、密閉空間部６が真空状態のままとなることを阻止して、エアダンピング効果が得られなくなってしまうのを防止できる。
【００３５】
さらに、本実施形態では、第２のガラス基板３の下面３ｂに形成された貫通孔７を封止するパッキン材（封止部）８を備えるので、加速度センサ１の使用時に外部から液体や異物などが密閉空間部６に浸入してしまうのを防止できる。
【００３６】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について図面を参照して説明する。図４〜図６は、本実施形態にかかる加速度センサ１００を示した図である。上記第１実施形態に示す加速度センサ１が錘部の水平変位によって加速度を検出するのに対して、本実施形態の加速度センサ１００は錘部の上下変位によって加速度を検出するようになっている。
【００３７】
本実施形態の加速度センサ１００は、上記第１実施形態と同様に、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板１０４と、このシリコン基板１０４の上下両面１０４ａ、１０４ｂに接合される一対のガラス基板（絶縁基板）１０２，１０３と、を備えている。そして、このシリコン基板１０４と第１のガラス基板１０２および第２のガラス基板１０３とを陽極接合により接合するようにしている。また、第１のガラス基板１０２には、当該第１のガラス基板１０２の下面に錘部１０５の設置領域に対応した固定電極１２１（図５参照）が設けられている。なお、本実施形態では、固定電極１２１は第１のガラス基板１０２のシリコン基板１０４に形成したギャップ１０７と対向する領域に形成されている。
【００３８】
シリコン基板１０４は略矩形状に形成されており、このシリコン基板１０４には、第１のガラス基板１０２の厚み方向（図５中上下方向）に変位可能な錘部１０５が設けられている。さらに、本実施形態では、錘部１０５が可動電極を構成している。この錘部１０５は、当該錘部１０５を囲むように配置された略枠状の支持部１１６にばね部１０６としての２本のビーム１６１を介して支持されている。なお、各ビーム１６１は、厚み方向に可撓性を有するように厚み寸法を錘部１０５および支持部１１６のそれぞれの厚みよりも十分に小さく設定している。すなわち、ビーム１６１は、支持部１１６に対して錘部１０５を弾性的に可動支持するバネ要素として機能している。
【００３９】
このように、本実施形態では、錘部１０５に、バネ要素としてのビーム１６１によって可動支持される質量要素としての機能を与え、これらバネ要素と質量要素とによってバネ−マス系を構成している。そして、質量要素としての錘部１０５の変位から、その加速度や角加速度を得ることができるようになっている。
【００４０】
そして、図５に示すように、シリコン基板１０４と第１のガラス基板１０２および第２のガラス基板１０３との接合面にはギャップ１０７および１３１がそれぞれ形成されており、シリコン基板１０４各部の絶縁性や錘部１０５の動作性の確保が図られている。また、固定電極１２１と錘部１０５との間のギャップ１０７を検知ギャップとして、ギャップ１０７を介して相互に対向する固定電極１２１と錘部１０５との間の静電容量を検出するようになっている。なお、本実施形態では、アルカリ性湿式異方性エッチング液（例えば、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ＥＤＰ水溶液等）を用いたシリコン異方性エッチングによりシリコン基板１０４の一部を除去することでギャップ１０７を形成している。
【００４１】
また、錘部１０５の周囲にはビーム１６１の厚み方向に貫通した２つのスリット１１７が形成されており、各ビーム１６１は、これら２つのスリット１１７により幅寸法が規定されている。
【００４２】
このスリット１１７は、反応性イオンエッチングなどにより垂直エッチング加工をすることで、スリット１１７の側壁面をシリコン基板１０４の表面と垂直となるように形成される。このようにして、垂直エッチング加工により形成されたスリット１１７の側壁面同士は、互いに略平行に対向することになる。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマを備えたエッチング装置によるＩＣＰ加工を利用することができる。
【００４３】
本実施形態では、単結晶のシリコン基板（Ｓｉ基板）に公知のエッチング加工を施すことで錘部１０５と各ビーム１６１と支持部１１６とが形成されている。そして、錘部１０５が可動電極を構成し、錘部１０５の変位に応じた可動電極と固定電極１２１との間の静電容量値の変化として加速度や角加速度（物理量）を検知するようになっている。このとき、錘部１０５は、略四角錘台状に形成されており、固定電極１２１との対向面１０５ａが略平面になっている。なお、本実施形態では、錘部１０５が可動電極を構成しているが、錘部１０５における固定電極１２１との対向面１０５ａに可動電極を別途形成するようにしてもよい。
【００４４】
また、第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上に、第１の導電性薄膜１１１を成膜し、固定電極１２１の電位を取得する配線パターンとして用いるとともに、第２の導電性薄膜（図示せず）を成膜し、錘部１０５の電位を取得する配線パターンとして用いている。
【００４５】
本実施形態では、図４に示すように、第１のガラス基板１０２のギャップ１０７は、錘部１０５が形成される略枠状の部分から支持部１１６の一部まで延在させた延在部１０７ａを有している。そして、第１のガラス基板１０２の延在部１０７ａに対応する部位に、サンドブラスト加工等によって第１のスルーホール１２２を形成するとともに、第１のガラス基板１０２のギャップ１０７から外れた部位（即ち、平面視で第１のガラス基板１０２の固定電極１２１が形成されていない部位）に、第２のスルーホール１２３を形成している。そして、シリコン基板１０４の上面の一部を当該第１のスルーホール１２２および第２のスルーホール１２３の奥にそれぞれ露出させ、第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上から第１のスルーホール１２２および第２のスルーホール１２３の内周面上および第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上にかけて電気的に接続された一連の第１の導電性薄膜１１１および第２の導電性薄膜（図示せず）を成膜するようにして、当該第１の導電性薄膜１１１および第２の導電性薄膜（図示せず）から固定電極１２１および錘部１０５の電位を検出できるようにしている。なお、第１の導電性薄膜１１１および第２の導電性薄膜（図示せず）は、互いに接触しないように形成されている。
【００４６】
また、図５中、１０９は各導電性薄膜に導通される導電層であり、１１０はその導電層１０９とシリコン基板１０４とを絶縁する絶縁層である。そして、第１のスルーホール１２２に対応した導電層１０９は固定電極１２１に短絡されるとともに、第２のスルーホール１２３に対応した導電層１０９はシリコン基板１０４の支持部１１６に短絡されている。
【００４７】
ところで、本実施形態では、上述したように、シリコン基板１０４にギャップ１０７を形成するとともにシリコン基板１０４の厚み方向に貫通した２つのスリット１１７を形成することで、錘部１０５を支持部１１６に２本のビーム１６１を介して支持させている。これにより、錘部１０５、ビーム１６１および支持部１１６は一体に形成されている。したがって、錘部１０５、ビーム１６１および支持部１１６の電位はほぼ等電位とみなすことができる。なお、第１のガラス基板１０２の表面１０２ａ上は、樹脂層（図示せず）によって被覆（モールド成形）するのが好適である。
【００４８】
ここで、本実施形態では、ガラス基板１０２、１０３またはシリコン基板１０４の露出した外表面としてのシリコン基板１０４の側面１０４ｄに、ギャップ１０７および１３１により形成される密閉空間部６００と連通する貫通孔７００を設けている。
【００４９】
そして、本実施形態にあっても、このような貫通孔７００が形成されたシリコン基板１０４と第１のガラス基板１０２および第２のガラス基板１０３とを接合する際に、真空中で陽極接合するようにしている。そして、シリコン基板１０４とガラス基板１０２、１０３との陽極接合後に、貫通孔７００を介して密閉空間部６００に空気を充填し、その後、図８に示すように、貫通孔７００に封止部としての封止材８００を充填することで、貫通孔７００を封止する。これにより、加速度センサ１００の使用時に外部から液体や異物などが浸入してしまうのを防止することができる。なお、上記第１実施形態のように、パッキン材を用いて貫通孔７００を封止することも可能である。また、貫通孔７００を外側からシートで覆うようにしてもよい。
【００５０】
以上の構成により、本実施形態の加速度センサ１００によれば、ガラス基板（絶縁基板）１０２、１０３またはシリコン基板１０４の露出した外表面としてのシリコン基板１０４の側面１０４ｄに、密閉空間部６００と連通する貫通孔７００を設けている。そのため、密閉空間部６００の圧力を調整することができるようになる。これにより、シリコン基板１０４とガラス基板１０２、１０３との陽極接合時に、密閉空間部６００の圧力が高まってしまうのを抑制でき、錘部１０５やばね部１０６などが損傷してしまうのを抑制できる。
【００５１】
また、シリコン基板１０４とガラス基板１０２、１０３とを真空中で陽極接合するようにしているので、陽極接合時にシリコン基板１０４の錘部１０５がガラス基板１０２に固着してしまうのを抑制することができる。その一方で、シリコン基板１０４の側面１０４ｄには貫通孔７００が形成されているので、陽極接合後に貫通孔７００を介して密閉空間部６００に空気を導入することができる。これにより、密閉空間部６００が真空状態のままとなることを阻止して、エアダンピング効果が得られなくなってしまうのを防止できる。
【００５２】
さらに、シリコン基板１０４の側面１０４ｄに形成された貫通孔７００を封止する封止材（封止部）８００を備えるので、加速度センサ１００の使用時に外部から液体や異物などが密閉空間部６００に浸入してしまうのを防止できる。
【００５３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、ＭＥＭＳセンサとして静電容量式の加速度センサを例示したが、これに限定されず、その他のＭＥＭＳセンサ、例えば角速度センサや振動センサ等にあっても本発明を適用することができる。
【００５５】
また、錘部、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１、１００ 加速度センサ（ＭＥＭＳセンサ）
２、１０２ 第１のガラス基板（絶縁基板）
３、１０３ 第２のガラス基板（絶縁基板）
３ｂ 下面（外表面）
４、１０４ シリコン基板
４ｄ、１０４ｄ 側面（外表面）
３０、１０５ 錘部
４４、１０６ ばね部
６、６００ 密閉空間部
７、７００ 貫通孔
８ パッキン材（封止部）
８００ 封止材（封止部）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、前記シリコン基板の上下両面に接合される一対の絶縁基板と、前記シリコン基板と前記絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部とを備えたＭＥＭＳセンサにおいて、
前記絶縁基板またはシリコン基板の露出した外表面に、前記密閉空間部と連通する貫通孔を設けたことを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
【請求項２】
前記シリコン基板と前記絶縁基板とを真空中で陽極接合するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項３】
前記貫通孔を封止する封止部を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項１】
シリコン基板と、前記シリコン基板の上下両面に接合される一対の絶縁基板と、前記シリコン基板と前記絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部とを備えたＭＥＭＳセンサにおいて、
前記絶縁基板またはシリコン基板の露出した外表面に、前記密閉空間部と連通する貫通孔を設けたことを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
【請求項２】
前記シリコン基板と前記絶縁基板とを真空中で陽極接合するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項３】
前記貫通孔を封止する封止部を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＭＥＭＳセンサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−２４７６２（Ｐ２０１３−２４７６２Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６０６４７（Ｐ２０１１−１６０６４７）
【出願日】平成２３年７月２２日（２０１１．７．２２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２２日（２０１１．７．２２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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