【課題】 静電容量型加速度センサのスティクションの発生と共に基板の歪みによる特性変動をも抑止する。
【解決手段】 静電容量型加速度センサにおける錘として機能する質量部１０１と、質量部１０１に両端が支持される可動電極１０３と、可動電極１０３と対向して設けられる固定電極１０４、１０５と、固定電極１０４、１０５を、この固定電極下面の支持基板１０９に固定する固定アンカ１０７、１０８と、を含んで静電容量型加速度センサを構成する。そして、固定アンカ１０７、１０８は、固定電極１０４、１０５下面の中央部分のみと支持基板１０９とを接触させて固定する。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するＭＥＭＳデバイスは、基板と、第１導電領域に第１絶縁領域を介して第２導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第１導電補強領域に絶縁補強領域を介して第２導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】大きな加速度が加わった場合にも、上層支持部と下層支持部との境界部分が損傷を受けることがなく、信頼性の高い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に固定された固定電極１２１、１２２と、固定電極１２１、１２２の上面に対向するように配置された可動電極１０５と、可動電極１０５を基板１０１上面に直交する方向に変位可能に基板１０１上に弾性支持する弾性支持部１８０と、を備え、弾性支持部１８０は、基板１０１上に固定された絶縁体からなる下層支持部１２１、１２２と、下層支持部１２１、１２２上に固定された上層支持部１１７と、基板１０１上面に沿って長い形状を有し、且つ一端部が上層支持部１０７に結合され他端部が可動電極１０５に結合された梁部１０６と、を有し、下層支持部１２１、１２２は、梁部１０６と上層支持部１０７との結合部分の直下に位置する部分に空隙部１３０を有する。 （もっと読む）

【課題】測定精度の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板２０と、前記支持基板に固定された固定電極指３８、３９と、前記固定電極指と対向し、印加される物理量に応じて変位する可動電極指３６、３７とを含む静電容量検出型の物理量センサーであって、固定電極指３８、３９の一面が支持基板２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）

【課題】直線加速度の影響及び検出軸以外の他軸の角速度の影響の少なくとも一方を受けることがない物理量センサーを提供する。
【解決手段】物理量センサー１０は、基板と、基板上の空間平面に配置され、回転軸２２，３２を有した第１変位部及び第２変位部２１，３１と、基板の第１変位部及び第２変位部２１，３１の各々に対向する位置に設けられた固定電極部と、第１変位部及び第２変位部の各々の回転軸を支持する支持部４０と、バネ部６０を介して支持部４０を支持する固定部５０と、支持部４０を振動方向に振動させる駆動部７０と、を備え、第１変位部及び第２変位部は、回転軸を軸として空間平面に対して垂直方向に変位可能であり、回転軸の各々は、第１変位部又は第２変位部の重心からずれて設けられ、第１変位部２１の回転軸２２と第２変位部３１の回転軸３２とは、重心からのずれの方向が互いに反対である。 （もっと読む）

【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、Ｓ／Ｎ比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第１可動部および第２可動部と、これらの周辺に配置されている第１ダミー部および第２ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第１ダミー部と第２ダミー部は電気的に分離されており、第１可動部と第１ダミー部には第１電位が印加され、第２可動部と第２ダミー部には第２電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要である加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１と、変位可能に基板に支持され可動電極１２を有する変位部材３，７と、可動電極との間に静電力を発生させる第１固定電極１１とを備えた加速度センサであって、上記第１固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化する。 （もっと読む）

【課題】可動部の特性異常をもたらす静電気の影響を緩和するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本体部１と本体部１の一面に形成された第一の固定基板とその反対面に形成された第二の固定基板３からなる半導体素子と、半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、半導体素子には可動電極４が設けられ、第一の固定基板３には固定電極５が可動電極４と対向するように設けられ、ねじれ変形する支持ばね１４を中心に揺動することで変形当該両電極間の電気信号を検出する静電容量型ＭＥＭＳデバイスであって、両電極上のそれぞれには両電極が近接した際に互いに接触する接触部６ａ、６ｂが対向して設けられており、接触部６ａ、６ｂの材料は帯電列における正負順序が可動電極４側と固定電極５側とで異なり、前記正負順序の正負の向きは検出電界の正負の向きと逆である。これにより、接触帯電を起こりにくくするという効果がある。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な加速度センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に位置する第１の電極層と、第１の電極層の第１の面と対向して位置する第２の電極層と、第２の電極層を基板に支持する支持部と、を含み、第２の電極層は、上記第１の面に沿った方向に動くことができ、支持部は、第２の電極層が上記第１の面に沿った方向に動くことができるように第２の電極層を基板に支持する。これにより、感度と精度を確保しつつ、基板の面に垂直な方向における加速度センサーの厚みを低減し、加速度センサーを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第１導電体層と絶縁体層を貫通して第２導電体層に達する第１溝部を形成する工程と、前記第１溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第２導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第１溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 積層方向の変位の影響を受けることなく、積層方向に直交する方向の変位量を正確に検出することが可能な変位センサを提供する。
【解決手段】 本発明の変位センサは、基板と、基板に対して２軸方向に変位可能に支持された可動質量体と、積層方向に直交する方向の変位量を検出する第１固定電極および第１可動電極と、積層方向の変位量を検出するための第２固定電極および第２可動電極を備えている。その変位センサは、第１固定電極および第１可動電極の一方の外側端部が、第１固定電極および第１可動電極の他方の外側端部よりも内側にあり、第１固定電極および第１可動電極の前記一方の内側端部が、第１固定電極および第１可動電極の前記他方の内側端部よりも外側にあるように、第１固定電極と第１可動電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】精度、小寸法、及びコスト効率的な製造を可能とするＭＥＭＳセンサ設計を提供する。
【解決手段】一態様では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサは、複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばね（トーションばね）を備え、該ねじりばねは、可動要素すなわちプルーフマスを、その下にある基板の上に懸架している。さらなる一態様では、この複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばねは、熱によって誘起される応力による測定誤差を最小化するべく配向される。係るジグザグ形のねじりばねを有するＭＥＭＳセンサは、既存のＭＥＭＳ製法を用いて製造可能である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板１０に凹部１１を形成する工程と、凹部１１に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料２０ａを充填する工程と、ガラス材料２０ａを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料２０ａを焼結させる工程と、凹部１１にガラス材料２０ａが充填されたシリコン基板１０の表裏面においてガラス材料２０ａとシリコン基板１０とを露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ２０は、基板２６と、基板２６の平坦面２８に形成されたサスペンションアンカー３４、３６とを備える。ＭＥＭＳセンサ２０は、基板２６上に吊らされる、第１可動素子および第２可動素子をさらに備える。可撓性部材４２、４４が第１可動素子３８をサスペンションアンカー３４に相互接続し、可撓性部材４６、４８が第２可動素子４０をサスペンションアンカー３６に相互接続する。可動素子３８、４０は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるＬ形状可動素子１０８、１１０であってよい。可動素子３８、４０は、基板２６における点位置９４の周りに互いに回転対称に配向される。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に影響を与えてしまうのを抑制することのできる静電容量式デバイスの製造方法および静電容量式デバイスを得る。
【解決手段】固定側基板２ａの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂを固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとし、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面に金属膜２５を成膜するとともに、固定側基板２ａの表面における貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面以外の部位に金属膜２５と離間するように金属膜２６を成膜する。そして、可動体基板１と固定側基板２ａとを陽極接合する際に、金属膜２５，２６を用いて、固定側基板２ａと可動体基板１との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂと可動体基板１とが同電位となるようにした。 （もっと読む）

【課題】 特に、押圧部材と当接する受圧部表面の耐摩耗性を向上させた荷重センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における荷重センサ１は、荷重を受けて厚さ方向に変位可能な変位部４と、前記変位部４での変位量を検出可能な素子部（ピエゾ抵抗素子６）と、を有し、前記変位部４の荷重を受ける側の面から突出するシリコンからなる突起部５と突起部５の表面５ａに成膜された無機絶縁層３０とからなる受圧部１７が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）