【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】導線とリード線等との電気的接続強度を確実に維持できると共に、導線やリード線等の接続作業性を向上させることができる接触センサを提供する。
【解決手段】弾性変形可能な外側電極と、この外側電極の軸線上に配置された内側電極と、これら外側電極と内側電極との間に螺旋状に配索されたスペーサとを有し、外側電極の弾性変形に基づいてこの外側電極に異物が接触したことを検出する接触センサであって、外側電極の端末部に配置される端末処理装置５を備え、この端末処理装置５は、外部電極の外側導線や内部電極の内側導線が接続される導線接続部８と、外側電極内に挿入される挿入部７とを有し、挿入部７の外周面７ｂに、外部電極とスペーサとの相互位置関係を維持可能な螺旋溝部１０を形成した。 （もっと読む）

【課題】開口、該開口を開閉する開閉部材のうちの一方に設けられ、導電性を有する外部電極と、該外部電極と離間し、前記外部電極に沿って設けられ、前記外部電極と電気的に絶縁された内部電極とを有したセンサに関し、省スペースのセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】内部電極２０７とセンサ本体（外部電極）２０１との間が、熱可塑性を有し、液体状態での流し込みにより形成される電気抵抗を有する導電性樹脂部２５１によって、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗部と分離部の間のリーク電流を抑える技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基部１０と分離部２０と抵抗部３０と電流補償部４０を備えている。抵抗部３０は、高電位側に接続される高電位側接続部位３０Ｈと、低電位側に接続される低電位側接続部位３０Ｌを有する。分離部２０は、抵抗部３０の高電位側接続部位３０Ｈに隣接する第１部位２０Ｈが高電位側に接続され、抵抗部３０の低電位側接続部位３０Ｌに隣接する第２部位２０Ｌが低電位側に接続される。電流補償部４０は、第１部位２０Ｈと第２部位２０Ｌの間の少なくとも一部に配置されている。電流補償部４０と分離部２０の間の抵抗値は、抵抗部３０と分離部２０の間の抵抗値よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物の相転移を誘起するための相転移誘起方法は、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数ｋＶ／ｃｍよりも２桁低い４０Ｖ／ｃｍ〜８０Ｖ／ｃｍ程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させると共に、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術あるいはＮＥＭＳ技術を用いて形成された可動構造を有する微小３次元構造体要素が膜状弾性体内へ配置された３次元構造体において、所望の位置に微小３次元構造体要素を配置することで様々な仕様に対応することができるとともに、その製造における取り扱い性を良好なものとする。
【解決手段】基板部材に固定された微小３次元構造体要素を覆うようにその内部に配置するとともに、基板部材に固定された弾性体を有する複数の３次元構造体構成用素子が、互いの基板部材を離間させて状態にて膜状弾性体内に配置させて３次元構造体を構成することにより、膜状弾性体内にて、複数の３次元構造体構成用素子を、所望の配置間隔や位置に配置することができ、様々な仕様に対応することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化に寄与する半導体加速度センサ及びその製造方法を提供すること。また、構造の簡素化又は搭載工程の簡略化によりコストの低減に寄与する半導体加速度センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板を用いて製造される半導体加速度センサにおいて、加速度の発生により変位する平板状の錘と；前記半導体基板から突出し、前記錘と当該半導体基板とを連結する錘ポストと；半導体基板上に形成され、前記錘ポストと連結され、前記錘の動きに応じて加速度を検知する検知素子と；前記半導体基板に形成され、前記検知素子に接続された第１の配線と；前記半導体基板から前記錘ポストと同じ方向に突出し、前記第１の配線と電気的に接続された外部端子とを備える。そして、前記外部端子は、実装基板に対して直接実装される。 （もっと読む）

【課題】製品半導体チップの電極パッド数に制限されることなく、応力検出用半導体チップ全体の応力分布を検出する。
【解決手段】同一サイズの応力検出用半導体チップ１を同一の樹脂封止構造で樹脂封止した複数個の応力分布検出用半導体パッケージからなる応力分布検出用半導体パッケージ群を用いる。それらの応力分布検出用半導体パッケージにおいて応力検出用半導体チップ１は互いに異なる位置にピエゾ抵抗素子３を備えている。各応力検出用半導体チップ１について樹脂封止をする前にピエゾ抵抗素子３の抵抗値を測定する。半導体チップ１をそれぞれ樹脂封止して応力分布検出用半導体パッケージを形成した後、ピエゾ抵抗素子３の抵抗値を測定する。樹脂封止前後での各ピエゾ抵抗素子３の抵抗値の変動を半導体チップ１と同一平面サイズの１つの仮想半導体チップ９の平面内に重ね合わせて半導体チップ１に加わる応力の分布を検出する。 （もっと読む）

【課題】 回路基板と絶縁性基板を備えた回路装置において、表面電極と貫通電極を電気的に良好に接続するとともに、回路基板と絶縁性基板を接合したときに生じる不具合を抑制する。
【解決手段】 回路装置１００は、回路基板１２と絶縁性基板４を備えている。回路基板１２は、表面に作り込まれている回路素子と、その回路素子に電気的に接続されているとともに表面から突出する表面電極８を有する。絶縁性基板４は、表面と裏面の間を貫通している貫通電極２と、その貫通電極２の近傍に設けられているとともに他の領域よりも曲げ剛性が低い低剛性領域１６を有する。回路基板１２と絶縁性基板４は、表面電極８と貫通電極２が接した状態で接合している。 （もっと読む）

【課題】優れた圧力感度を有する新しい原理に基づく感圧体を提供することを目的とし、好ましくは２００℃の高温下でも使用可能である感圧体を提供し、さらに好ましくは１００ＭＰa以上の高圧下でも使用可能で信頼性の高い感圧素子を提供する。
【解決手段】第一の粉体１１中に第二の粉体１２が導電性の経路を形成した状態で分散した感圧体であって、その空隙率が２５％以上、５５％以下であり、加圧による前記第一の粉体１１と第二の粉体１２および前記第二の粉体１２同士の接触状態が変化して電気抵抗が変化する感圧体。 （もっと読む）

【課題】弁装置に作用する力学的負荷を精度良く遠隔監視できる弁装置の監視システムを提供する。
【解決手段】複数の不純物拡散抵抗で構成されるブリッジ回路を有する半導体基板を、弁装置の弁棒，バルブヨーク，トルクスプリング、軸のうちの何れかに設け、該ブリッジ回路の計測値からスラスト力とトルクを求め、弁装置の監視に供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からなるひずみ測定装置によりひずみを測定する場合、シリコン基板の剛性が大きいため、ひずみ感度のばらつきが大きい。
【解決手段】シリコン基板の主面に少なくともひずみ検出部が設けられており、前記ひずみ検出部の上面に絶縁膜、さらにその上面に保護層が設けられており、前記保護層には、ひずみ検出部と電気的に接続された電気配線が設けられ、かつ、前記保護層の表面に実装面が設けられることにより達成される。
【効果】剛性が大きいシリコン基板を介すことなくひずみ検出部を被測定物に近づけられるため、ひずみ追従性が安定する領域が拡大され、ひずみ感度のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】外圧の大きさおよび方向を高感度で検出することができるとともに製造が容易な触覚センサ、およびその製造方法ならびに触覚センサユニットを提供することである。
【解決手段】触覚センサ１００は、カンチレバーＣＬおよびエラストマー層１０５を有する。カンチレバーＣＬは、ノンドープ層１０３ａおよびドープ層１０３ｂを有する。ドープ層１０３ｂの格子定数はノンドープ層１０３ａの格子定数より小さい。これにより、カンチレバーＣＬは湾曲している。ドープ層１０３ｂは、結晶シリコン膜にホウ素を添加することにより形成されている。エラストマー層１０５に外圧が加わることにより、カンチレバーＣＬが変形する。カンチレバーＣＬが変形することにより、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗が変化する。したがって、ドープ層１０３ｂのピエゾ抵抗の変化を検出することにより、触覚センサ１００に作用する外圧の大きさおよび方向を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】特定方向のひずみ成分を精度良く測定することができる力学量測定装置を提供する。
【解決手段】半導体単結晶基板，半導体チップ内に少なくとも二組以上のブリッジ回路を形成し、前記ブリッジ回路のうち、ひとつのブリッジ回路が、電流を流して抵抗値の変動を測定する方向（長手方向）が該半導体単結晶基板の＜１００＞方向と平行であるｎ型拡散抵抗を形成し、もう一つのブリッジ回路は＜１１０＞方向と平行であるｐ型拡散抵抗を組み合わせて形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板からなる力学量測定装置の大きなひずみによる破壊を防止する。
【解決手段】ひずみ検出部を有する半導体単結晶基板からなるセンサチップの裏面にひずみ測定用の実装板を設ける。
【効果】被測定物に大きなひずみが発生した場合でも、実装板により半導体単結晶基板に生じるひずみを制御することが可能であるため、半導体単結晶基板が破壊することが無く、信頼性の高い力学量測定装置が提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術等を用いて形成される可動構造を有する微小３次元構造体要素が膜状弾性体内へ配置された３次元構造体において、上記膜状弾性体の柔軟性を阻害することなく効果的に活用できるような構造を提供する。
【解決手段】可動構造を有する複数の微小３次元構造体要素としてのカンチレバー２を膜状弾性体３の内部に、各カンチレバーの変形の方向が互いに異なるように配置し、かつこのカンチレバー２に外力検知機能を持たせることで、外力の作用により膜状弾性体３に生じた弾性変形を検知できる構造とする。 （もっと読む）

【課題】 検知感度を悪化させないで、力伝達ブロックと半導体基板との接合強度を強固にする。
【解決手段】 半導体基板２２と力伝達ブロック３２を備えた力検知装置である。半導体基板２２の表面の一部の領域には、その領域が歪むと抵抗が変化するドープ領域２５が形成されている。力伝達ブロック３２は、ドープ領域２５とそのドープ領域２５を囲繞する囲繞領域３４において、半導体基板２２表面に接している。力伝達ブロック３２は、その囲繞領域３４の外周輪郭３３よりも外部に突出していない。さらに、半導体基板２２表面と直交する方向の力伝達ブロック３２の高さは、ドープ領域２５において高く、囲繞領域３４において低く調整されている。 （もっと読む）

接触型圧力センサ（１０）及び２つの表面の間の接触圧力を検知するための接触型圧力センサの製造方法が開示される。開示された接触型圧力センサは、センサを支持するための基材（４０）及び接触型圧力センサに加えられた圧力に感応する接触圧力感応層（２６）を備える。開示された製造方法は、第１のプロセス支持基材（２０）上に形成されたプロセス後の構造物（８）を、該第１のプロセス支持基材から第２の接触型圧力センサ支持基材（４０）まで移動させることも含む。 （もっと読む）