【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】圧力を正確に測定可能な圧力測定器を提供する。
【解決手段】ガラス台座２０１と、ガラス台座１上に配置された半導体台座２と、半導体台座２上に配置された半導体圧力センサ３と、を備え、ガラス台座２０１の高さｈ₁及び半導体台座２の高さｈ₂の和に対する、ガラス台座２０１の高さｈ₁の比が、０．５乃至０．９である、圧力測定器。 （もっと読む）

【課題】平板状空洞を形成する際におけるホール半径Ｒと、ホールとホールの最短距離Ｓのプロセスマージンを広げ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の表面にホール４を複数形成し、非酸化性雰囲気のアニール処理により、該半導体基板１の表面を半導体の表面マイグレーションを利用して平坦化し、基板内部に平板状空洞６を形成する際に、前記ホール４の開口部が閉じる前に半導体のソースガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りが大きく、かつ検知感度の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された基板１０と、凹部１００内に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１から離間した位置において基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備え、可動電極２１と基板１０との間に、線膨張熱係数が互いに異なる半導体層２２１とキャップ層２２２とが積層された反り部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）が開示される。このＭＥＭＳは、基板と、基板から上方へ延在する第１の枢動軸と、基板上に延在する第１の前後軸を有し、第１の枢動軸線のまわりを枢動するように第１の枢動軸に対して枢動可能に取り付けられた第１のレバーアームと、基板上の、第１のレバーアームの第１のキャパシタ部分の下の位置に形成された第１のキャパシタ層と、基板上の、第１のレバーアームの第２のキャパシタ部分の下の位置に形成された第２のキャパシタ層であって、第１の枢動軸が、第１のレバーアームを、第１のキャパシタ部分と第２のキャパシタ部分の間の位置で第１の前後軸に沿って支持する第２のキャパシタ層と、第１の前後軸にわたって延在し、第１の枢動軸線から離隔された第１の導体部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、内部配線層への電気的接続性及び内部空間の高さ寸法のばらつきを小さくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板２１と、第２の基板２２と、前記第１の基板２１の表面に形成される第１のＳｉＯ₂層２５と、前記第１の基板２１と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に形成される内部配線層２４と、前記第１のＳｉＯ₂層２５の表面２５ａから前記内部配線層２４にかけて形成される貫通孔２６と、前記貫通孔２６内に形成され前記内部配線層２４と電気的に接続される電気接続層２８と、前記第２の基板２２と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に位置し、前記第２の基板２２と前記第１の基板２１間に形成される内部空間Ｓ２の高さ寸法を規制する突出形状の第１の窒化シリコン層３３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動部および固定部が基板上の層の積層体によって形成されたアクティブ構造を備え、であって、可動部および固定部は対向する表面を備え、これらの表面は、システムの適用に応じて、たとえば停止部、検出または作動電極を形成し得るＭＥＭＳまたはＮＥＭＳシステムの簡略化された製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板ならびに基板上に配列された少なくとも２つの層の積層体と、積層体内に形成された可動部および積層体内に形成された基板に対する固定部と、固定部と可動部との間に形成された対向する表面とを備える微小機械構造を製造し、たとえば、積層体に実質的に垂直な方向への可動部の変位を制限する停止手段を形成するプロセスであって、基板と、積層体の材料に対して選択的にエッチングされるのに適した材料からなる積層体との間に少なくとも１つの犠牲層を使用するプロセス。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサの一例であるシリコンマイク１は、開口５が貫通して形成されたシリコン基板２と、開口５に対向して設けられ、その対向方向に振動可能な振動膜６と、振動膜６に形成された圧電素子９とを含んでいる。 （もっと読む）

面外（または、垂直）サスペンション方式を使用するMEMS質量-バネ-ダンパシステム（MEMSジャイロスコープおよび加速度計を含む）であって、サスペンションがプルーフマスに対して垂直であるMEMS質量-バネ-ダンパシステムが開示される。そのような面外サスペンション方式は、そのようなMEMS質量-バネ-ダンパシステムが慣性グレード性能を達成するのを助ける。MEMS質量-バネ-ダンパシステム（MEMSジャイロスコープおよび加速度計を含む）において面外サスペンションを製造する方法も開示される。

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【課題】２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ部１０とキャップ部２０との積層体に、センサ部１０とキャップ部２０との界面４０を貫く凹部４１を設け、この凹部４１内に封止部材として絶縁膜４２および封止用外周金属層４３を設ける。これによると、凹部４１に配置された封止部材４２、４３が盾となるので、凹部４１よりも内側の界面４０に外力が直接伝わらない。したがって、センサ部１０とキャップ部２０との密着力の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】プレーナー技術を用いて作られる小型化されたセンサーを提案する。
【解決手段】（ａ）少なくとも１つの可動性の塊を形成する第１の厚さを示す、厚い領域と呼ばれる半導体材料の第１の領域、（ｂ）基板に対して可動性の塊における少なくとも１つのピボットリンクを形成する、半導体材料の第２の領域であって、基板の平面に平行に走るピボットリンクの軸を有する第２の領域、（ｃ）ピボットリンクの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用の吊るされたタイプの歪みゲージを形成する第２の領域の厚さより薄い厚さを有する、薄い領域と呼ばれる第３の領域であって、ピボットリンクの軸を含まない、基板の面に平行な平面において延長し、ピボットのねじり軸に垂直な平面において延長し、一側部において可動性の塊に結合され、他側部において基板に結合される第３の領域、を有するという事実によって特徴づけられる表面タイプのＭＥＭＳセンサーを含む。 （もっと読む）

【課題】 支持導通部（アンカ部）等と配線基板間のＡｌ層を備える接合構造に関し、特に、前記Ａｌ層の接合表面の酸化を抑制でき、適切に共晶接合又は拡散接合できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 支持導通部１２の表面１２ａには、第１の接続金属層４１が形成される。第１の接続金属層４１はＡｌ層５１と、その表面５１ａに形成された酸化防止層５２との積層構造で形成される。配線基板２の表面には第２の接続金属層３１が形成される。第２の接続金属層３１及び酸化防止層５２は例えばＧｅで形成される。そして、第１の接続金属層４１と第２の接続金属層３１とが共晶接合又は拡散接合される。 （もっと読む）

ＭＥＭＳセンサは、基板と、基板に連結されたＭＥＭＳ構造とを含む。ＭＥＭＳ構造は、基板に対して可動な質量を有する。また、ＭＥＭＳセンサは、ＭＥＭＳ構造から半径方向外側に位置付けられる基準構造を含む。基準構造は、その測定の正確性を向上させるために、ＭＥＭＳセンサに影響を及ぼし得る任意の環境変化を補償するための基準を提供するために使用される。一実施形態において、前基準構造は、前ＭＥＭＳ構造を実質的に包囲する。
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【課題】シリコンまたは多の単結晶材料のエピタキシャル成長と両立し、かつ厚さに限定されず化学エッチングに対して良好な選択性をもつ犠牲層を有する基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の単結晶材料の第１および第２の部分と、２つの単結晶ＳｉＧｅ層間に位置する少なくとも１つの単結晶Ｓｉ層からなるスタックによって構成された犠牲層とを含む不均質基板からコンポーネントを製造する方法であって、前記単結晶材料の前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置されたスタックに対して、前記第１および／または第２の部分ならびに前記第１および／または第２のＳｉＧｅ層に、少なくとも１つの開口２０を、前記Ｓｉ層に到達するように形成するステップと、該開口を通じて前記Ｓｉ層の全部または一部を除去するステップからなる。 （もっと読む）