【課題】単一光子検出の際に、より高い量子効率が得られる超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導受光材料からなる細線（１０２）を、密に詰めるようにメアンダ形状で、結晶基板（１０１）の表面に配置するとともに、そのメアンダ形状の細線の隙間に対応する位置で、結晶基板の裏面あるいは絶縁膜を介した上層に、別のメアンダ形状の細線（１０３）を配置する。これにより、複数組のメアンダ形状の細線が互いにずらされて、ほぼ隙間のなく重ねて設置される。最初のメアンダ形状の細線（１０２）の隙間に照射された光子（１０４）は、次のメアンダ形状の細線（１０３）に照射されるため、すべての光子は必ずいずれかの細線に照射され、光照射域での光子の取りこぼしが無いので、量子効率が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、サブミリ波帯受信に有用な超伝導素子などの薄層デバイスの作成方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ仮基板上にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ−ＳＩＳ接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてＳｉＯ₂を形成し、ついでエッチングにより前記ＭｇＯ仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。本発明の方法により作成した超伝導素子（薄層デバイス）は、性能に優れ、かつ機械的強度が高いため、サブミリ波用導波管への導入も容易である。 （もっと読む）

【課題】この発明は，超伝導体を磁化するための方法と装置に関する，特にフラックス・ポンプと新しい型の磁化された超伝導体に関する。
【解決手段】
超伝導体の磁化を変化させる方法であり，その方法は，前記超伝導体の表面の上を移動する変動磁束の波を発生させるための磁界を自動制御することを含む。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い臨界温度特性を持つＭｇＢ₂を上部電極および下部電極に用いた積層型全ＭｇＢ₂ＳＩＳ接合を得ることを目的とする。
【解決手段】基板上に成膜された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ₂）からなる下部電極と、該下部電極上に成膜された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる絶縁層と、該絶縁層上に成膜されたＭｇＢ₂からなる上部電極とを有することを特徴とする積層型全ＭｇＢ₂ＳＩＳ接合であって、下部電極としてＭｇＢ₂を成膜するステップと、絶縁層としてＡｌＮを成膜するステップと、上部電極としてＭｇＢ₂を成膜するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、二ホウ化マグネシウム超電導線と同種又は異種の超電導線との超電導接続により優れた通電特性及び安定性を有する二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造及びその接続方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、超電導被覆層によって覆われている二ホウ化マグネシウム超電導線と他の超電導線とが前記超電導被覆層を介して互いに接してはんだを充填させた接続金属管内にて接続されていることを特徴とする二ホウ化マグネシウム超電導線の接続構造にある。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウムを用いた積層型ジョセフソントンネル接合が、より高い温度で動作できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に超伝導体層１０２が形成された後、アルミニウム単体を蒸着源とした蒸着法により、超伝導体層１０２の上に、膜厚１．４ｎｍ程度のアルミニウムの膜が形成された状態とし、ついで、アルミニウム膜の上に酸素ガスが供給された状態としてアルミニウム膜が酸化された状態とすることで、超伝導体層１０２の上にバリア層１０３が形成された状態とする。この後、Ｍｇ及びＢ単体各々を蒸着源とした電子ビーム共蒸着法により、バリア層１０３の上に超伝導体層１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）

本発明の超伝導ワイアは、基板と自動的に配列する超伝導材料の連続層とを含む。本発明のワイアの長さは１０メートルを超える。
（もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた超伝導三端子素子がより容易に製造できるようにする。
【解決手段】シリコンからなる基板１０１の上に所定の間隔をあけて設けられたコバルト珪化物から構成された超伝導ソース電極１０２ａ及び超伝導ドレイン電極１０２ｂと、これらの間に架橋するように形成されたカーボンナノチューブ１０３と、この上に配置されたゲート電極１０５とにより、超伝導三端子素子を構成する。 （もっと読む）

物理的特性（例えば、電気的な特性及び超伝導性）だけでなく、制御された直径及び制御された化学特性（例えば、組成、添加剤添加）を備えた、例えばナノチューブ及びナノワイヤーのようなホウ素を基礎とするナノ構造体の成長のための製造方法が記載されている。そのホウ素ナノ構造体は、ほぼ４ナノメーター未満の均一な細孔直径である細孔を有する、金属が置換したMCM−４１鋳型上で成長し、このホウ素ナノ構造体には、Ｉａ族及びＩＩａ族の電子供与性の元素を、そのナノ構造体の成長過程及び成長後に添加することができる。予備的な磁気的な感受性測定試験のデータは、マグネシウムを添加されたホウ素ナノ構造体が、絶対温度１００Ｋのオーダーの超伝導遷移温度を有することを示唆した。

（もっと読む）