多数のマイクロ光電子デバイス（１００−４００、７００）を含むウェハースタックを製造する方法が記載され、それは、以下の半導体材料を含む第１のウェハーを提供するステップ（１１１０）と、光学的に透明な材料を含む第２のウェハーを提供するステップ（１１２０）と、製造されるマイクロ光学デバイス（１００−４００、７００）のそれぞれのために第１のウェハー（３）の半導体材料（３ａ）において多数の光センサ配置（４Ａ−４Ｃ）を作るステップ（１１３０）と、多数のマイクロ光学素子（１Ａ−１Ｃ、１Ａ´−１Ｃ´）が製造されるマイクロ光電子デバイスのそれぞれのためにその中に形成されるように第２のウェハー（２）を構造化するステップ（１１４０）と、ウェハーボンディングによってウェハースタック（１００−４００、７００）を作るステップ（１１５０）であって、前記ウェハースタックは、第１のウェハー（３、３´）およびその上に配置される第２のウェハー（２）を含み、マイクロ光学素子のそれぞれは、マイクロ光学素子に入射する光の異なる部分（９Ａ−９Ｃ、１０Ａ−１０Ｃ）が少なくとも前記マイクロ光学素子の下に部分的に配置される光センサ配置（４Ａ−４Ｃ）の異なる光センサ素子（４ａ−４ｅ）に向けられるように配置されさらに光学的に構造化される、ステップと、多数のマイクロ光電子デバイス（１００−４００、７００）を作るためにウェハースタックをダイシングするステップ（１１９０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】光学性能が良好で、生産性に優れるウェハレベルレンズアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】一対の型部材の間に、複数の貫通孔が設けられた基板と前記複数の貫通孔の部位に供給されたレンズ材料とを挟み込んでエネルギーを付加することにより前記レンズ材料を成形し硬化させて、前記基板に複数のレンズを形成するウェハレベルレンズの製造方法であって、
前記レンズ材料を硬化させる工程において、前記レンズ材料の収縮が進むのに応じて前記一対の型部材の間隔を狭める。 （もっと読む）

ＰＥＴスキャナ（１０）は、イメージング範囲（１８）を取り囲む検出器モジュール（１６）のリングを有する。各検出器モジュールは、ガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられる１又はそれ以上のセンサ・アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）（３４）を有する。センサＡＰＤ（３４）は、入射光子に対応するシンチレーターからの光に応答してパルスを出力する。同じくガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられている基準ＡＰＤ（３６）は、任意に、光を遮られ、アナログ−デジタル・コンバータ（４４）によって測定される電圧を出力する。測定に基づき、バイアス制御フィードバックループ（４２）は、ブレイクダウンパルス（６８）の電圧と予め選択された論理電圧レベル（７０）との間の差が最小とされるように、可変電圧発生器（４８）にＡＰＤ（３４，３６）へ印加されるバイアス電圧を調整するよう指示する。
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【課題】入射光を連続して取り込むことができる光電変換回路を提供する。
【解決手段】２個の容量が設けられ、スイッチ２０〜２１がオンしてスイッチ２３がオフすることにより、容量２２に１回目の入射光による電気信号Ｖｌ１に基づいた電圧が蓄積され、その後、その電圧を信号処理回路３０が信号処理する前に、スイッチ２０及びスイッチ２３がオンしてスイッチ２１がオフすることにより、容量２４に２回目の入射光による電気信号Ｖｌ２に基づいた電圧が蓄積される。つまり、光電変換回路１０は１〜２回の入射光を連続して取り込むことができる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗による負帰還効果を抑制するとともに低ノイズかつ温度感度特性に優れた熱型赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】熱型赤外線検出素子は、画素ダイオード101と、画素ダイオードの両端電圧を設定する電圧設定回路3000と、画素ダイオードの電流を読み取る電流読み取り回路1104と、参照ダイオード901と、参照ダイオードの両端電圧を設定する参照用電圧設定回路4007と、参照ダイオードの電流を読み取る参照用電流読み取り回路4008とを備える。電圧設定回路は、その出力端子が一端に接続された抵抗素子を有する。電流読み取り回路は画素ダイオードの電流と抵抗素子に流れる電流との差分電流を読み取る。参照用電圧設定回路は、参照ダイオードの電流を参照用電流読み取り回路に供給し、参照用電流読み取り回路の出力はバッファ回路を介して電圧設定回路内の抵抗素子の他端に接続される。 （もっと読む）

【課題】導波路および中空部を備える固体撮像装置を、少ない工程数で製造する。
【解決手段】電荷生成部１０２が表面層に設けられている基板１００の上面を覆う絶縁膜層１１０において、電荷生成部１０２と対応する位置に導波路１４０を設けるともに、導波路１４０よりも外側に中空部１５０を設け、中空部１５０は空密とし間口を塞ぐ構造にする。製法においては、電荷生成部１０２が設けられている基板１００の上面に絶縁膜層１１０を形成する。絶縁膜層１１０において、電荷生成部１０２と対応する位置に導波路１４０用の開口部１４２と中空部１５０用の開口部１５２を形成する。絶縁膜層１１０上に光透過性のライナー膜１６０を形成するとともに、ライナー膜１６０により開口部１５２の間口を空密状態で塞ぐ。導波路１４０と中空部１５０を同時に形成できるし、導波路１４０と中空部１５０の間に絶縁膜層１１０の材料が介在するので反射界面が増える。 （もっと読む）

【課題】１つの半導体装置に対応する個別回路が設けられた半導体ウエハーと、透明基板と、これら同士を部分的に接合するスペーサとを有する半導体ウエハー接合体を、ダイシングソーを用いて個別回路毎に個片化して半導体装置を得る際に、ダイシングソーの劣化が早期に生じてしまうのを的確に防止または抑制された半導体ウエハー接合体、かかる半導体ウエハー接合体を用いた半導体装置の製造方法、および、かかる半導体装置の製造方法で製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハー接合体１０００は、半導体ウエハーと、透明基板と、スペーサ１０４とを有する半導体ウエハー接合体１０００であり、スペーサ１０４は、この半導体ウエハー接合体１０００をダイシングソーを用いて個片化して半導体装置を得る際に、ダイシングソーで切断するダイシングラインＡ、Ｂ上に、その少なくとも一部が欠損した欠損部１０７を有する。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化が進んでも焦点の検出精度がよい撮像素子、その撮像素子の製造方法およびその撮像素子を備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素を二次元的に並べて配置した裏面照射型撮像素子において、複数の画素には、撮像用画素とともに焦点検出用画素２１１が含まれ、撮像用画素および焦点検出用画素２１１は、一方の面に光電変換部１５ａを形成するとともに他方の面を受光面とする半導体層１６と、光電変換部１５ａからの信号を読み出す配線を有する配線層１７とを備え、撮像用画素の配線層および焦点検出用画素の配線層１７は、それぞれの半導体層１６の一方の面側に形成され、撮像用画素は、半導体層の他方の面側に、特定の波長域の光を通す色フィルタを備え、焦点検出用画素２１１は、撮像用画素の色フィルタに対応する層に、半導体層１６の他方の面に入射する光の一部を遮蔽する遮光膜１８を備える。 （もっと読む）

【課題】接着剤の接着強度を保ちつつ湿気進入を防いで、外気に対する機密性を向上させると共に、接着剤成分による汚染を防止する。
【解決手段】パッケージ内部に撮像チップ２を収容するパッケージ３の外周壁上面３ａにおける封止部の内側に、パッケージ封止用の接着剤６をパッケージ内部の封止内部８に対して封止する接着剤封止部材としてのＯリング７が配設されており、このＯリング７によって接着剤６が封止内部８のパッケージ内部空間側に面しておらず直接接することがないため、接着剤６の量および接着面積により接着強度を保ちつつ、接着剤６の内側のＯリング７によって外気に対する機密性が向上して、封止内部８への湿気進入が防止されると共に接着剤成分による汚染をも防止される。 （もっと読む）

【課題】薄膜が形成されたガラスウェハの反りを軽減し、かつ容易に製造が可能な撮像デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像デバイスの製造方法は、ガラスウェハ２０の第１表面上の一部にマスク２１を形成する工程と、前記ガラスウェハの前記第１表面上に薄膜３０を形成する工程と、前記マスクを除去し、前記ガラスウェハの前記第１表面上の前記一部における前記薄膜に溝を形成する工程と、前記ガラスウェハの前記第１表面に対向する第２表面に半導体ウェハ１０を接着する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】近赤外線に対する受光感度やダイナミックレンジを高めることを可能にして、車載用赤外線イメージセンサーに必要な高速性や、暗所監視イメージセンサーに求められる高感度化、高ダイナミックレンジ化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子１は、近赤外線ラインセンサー部２と近赤外線反射可動ミラー部３とからなる。近赤外線ラインセンサー部２は、ｐ型シリコン基板１１の上面１３側の一部にｎ型シリコン領域１２を形成してなるものであり、ｎ型シリコン領域１２は、ｐ型シリコン基板１１の側面１４側から入射する近赤外線の入射方向に沿って、その長さが数１０μｍ〜数１００μｍとなるように形成されている。シリコン層２４とシリコン基板２２との間にはミラー駆動用回路が形成され、ミラー駆動用電圧が印加されることにより、シリコン層２４の可動部２４ｂが斜め下方に傾く。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の貫通孔に形成される貫通電極において、シリコン基板と導電体層との間に発生するショート不良を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の第１の主面に撮像素子２１が形成され、シリコン基板１０の第１の主面に対向する第２の主面上にハンダボール１８が形成されている。シリコン基板１０に開けられた貫通孔内に絶縁膜３５が形成され、貫通孔内の絶縁膜３５上に貫通電極３６が形成されている。シリコン基板１０の第１の主面上及び貫通電極３６上に層間絶縁膜２３が形成され、層間絶縁膜２３上に内部電極３２が形成される。貫通電極３６と内部電極３２との間の層間絶縁膜２３内に、貫通電極３６と内部電極３２とを電気的に接続するコンタクトプラグ３７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に設けられた受光素子２と、半導体基板１の表面の上方に設けられた透光性基板４と、半導体基板１の表面と透光性基板４の表面との間に設けられ、透光性基板４を半導体基板１に固定する接着剤層５と、接着剤層５の透光性基板４および半導体基板１と接しない側面を覆う絶縁膜８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で、近赤外域の光を波長によらず一様に透過することができ、安定して高い製造歩留りを得ることができる、近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明の近赤外イメージセンサ１００は、波長１．２μｍ〜３μｍに受光感度をもつ受光素子アレイおよび信号読み出し回路のマルチプレクサを備え、筐体に収納されたセンサであって、真空封止されていて、筐体の本体部１の蓋部をなすリッド３が、波長１．２μｍ〜３μｍに透明な材料で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによるノイズの発生を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有するｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、裏面３ｂ側において、隣接するｐ型半導体領域５間に配置されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域７と、を備え、半導体基板３には、表面３ａとｎ型半導体領域７との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面３ａに達すると共に、ｎ型半導体領域７に達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制しつつ、改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１ａは、半導体基板３と、半導体基板３の裏面側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、隣接するｐ型半導体領域５間の領域３７には、領域３７の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、隣接するｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びて改質領域５０が形成され、隣接する４つのｐ型半導体領域５に囲まれる領域３８には、改質領域５０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】容易かつ高精度にアライメント用金属層を認識できる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成された光電変換を行う画素部、画素部につながる金属配線層およびアライメント用金属層と、半導体基板の裏面に形成された外部接続端子と、半導体基板を貫通して形成され外部接続端子を金属配線層に電気的に接続する貫通孔と、画素部とアライメント用金属層を除いて半導体基板の表面を一様に覆うように積層される非透光性の封止材層とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の寄生容量の動作状態に応じた変動を抑えて、寄生容量が小さい状態を保つことにより、安定的に光応答特性が良い状態を得ることが可能な光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により電流を発生する第１の光電変換素子（１０）と、前記第１の光電変換素子で発生した電流を増幅する第１の電流増幅素子（２０）と、前記第１の光電変換素子の逆バイアス電圧値を検出する第１の検出手段（４０）と、前記第１の検出手段の検出結果を基に前記第１の光電変換素子の逆バイアス電圧値を第１の定常値に設定する第１の設定手段（６０）とを有し、前記第１の定常値は、前記第１の光電変換素子の空乏化電圧よりも大きいことを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像素子の製造方法に関し、比較的簡素な工程で良品を得ることができるようにする。
【解決手段】フォトダイオード及び多層配線層を形成した第一シリコンウェーハの表面側に支持側の第二シリコンウェーハを貼り合わせる貼り合わせ工程（Ｓ２０）と、貼り合わせ工程（Ｓ２０）の後に、第一シリコンウェーハを裏面側から目標の厚みに薄膜化する薄膜化工程（Ｓ３０〜Ｓ８０）とを備えるとともに、薄膜化工程（Ｓ３０〜Ｓ８０）において、第一シリコンウェーハの裏面に局所プラズマエッチングを用いたドライケミカル平坦化（ＤＣＰ）加工を施し平坦化を行なうドライケミカル平坦化（ＤＣＰ）加工工程（Ｓ７０）を備える。 （もっと読む）

【課題】保護部材の側面からの光の入射による迷光の発生を低減すると共に、保護部材の上に付着した封止樹脂による不良が生じることがない固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、パッケージ１２と接着されたイメージセンサチップ１０と、イメージセンサチップ１０の受光面と接着された保護部材１８と、イメージセンサチップ１０の周囲を被覆する封止樹脂２６とを備えている。封止樹脂２６の上面の位置は、保護部材１８の上面の位置以下であり、封止樹脂２６における保護部材１８との接続部の上面は、封止樹脂２６における接続部以外の上面と比べて表面粗さが小さい。 （もっと読む）