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Fターム[4M118BA06]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 基本構造 (11,702) | 受光部(光電変換部)を複数持つもの (11,448) | 半導体結晶型 (10,136)

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【課題】光電変換により生成された複数の輝度値を含む画像の撮像信号において、太陽などの高輝度被写体の色または輝度の値を補正する。
【解決手段】信号処理装置4は、光電変換により生成された複数の輝度値を含む画像の撮像信号が入力される入力部61と、撮像信号の画像において輝度値が判定値Sopb以下となっている高輝度部分を判断する判断部63と、高輝度部分の輝度値を、判定値Sopbより大きい輝度値に補正する補正部63とを有する。 (もっと読む)


【課題】微弱な赤外線光を高感度、高S/N比で検出することができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板1上に形成された半導体材料を含む第1メサ部40、第1メサ部40と極性が異なる半導体材料を含む第2メサ部43を含む複数のフォトダイオードを含む赤外線センサを、複数のフォトダイオードの全てについて、フォトダイオードが占有する基板面積SWと、第1メサ部40と第2メサ部43との接触面積S12とが、0.7≦(S12/SW)≦0.98の関係になるように構成する。 (もっと読む)


【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板10上に形成された、フォトダイオード用の不純物領域31、32と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター41、42と、を含む。角度制限フィルター41、42は、フォトダイオード用の不純物領域31、32の上に半導体プロセスによって形成された遮光物質(光吸収物質または光反射物質)によって形成される。 (もっと読む)


【課題】電子回収効率を高め、かつ、長波長域での感度を高めるとともに電子回収の高速化を図る。
【解決手段】半導体基板の不純物濃度を深度が深くなるに従って標準的な濃度より高濃度へと移行する濃度勾配をつけることにより、半導体基板中での電子移動速度を増し、空乏層より深部の電子をすばやく表面方向に移動させ、かつ、迷走する電子の寿命を短時間とすることで電子回収の高速化を図り、時間分解能を向上させるようにするものである。 (もっと読む)


【課題】画素の高集積化を図ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置において、多層配線層と、多層配線層上に設けられ、第1導電型層を有する半導体基板と、第1導電型層を複数の領域に区画する第2導電型の不純物拡散領域と、半導体基板上に前記区画された領域毎に設けられたカラーフィルタと、半導体基板の下面における区画された領域以外の領域に形成されたメタリック層と、を設ける。 (もっと読む)


【課題】製造装置に改良を加えることなく製品の小型化を可能とする固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1と、前記基板1の一方の面上に設けられた透明支持基体3と、前記基板1の前記一方の面上に形成され、該基板と前記透明支持基体3とを固定する接着剤5と、前記透明支持基体3上であって、該透明支持基体3を介して、前記接着剤5と相対する領域に形成された第1導電層2と、前記基板1の他方の面上に配置された外部端子7と、前記基板1内に形成され、前記外部端子7に接続された第2導電層6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 熱型赤外線固体撮像素子において2次元画素アレイの画素数を多画素化にともない発生する、水平走査回路の動作速度低減、駆動線での電圧降下によるオフセット分布の問題の解決、及び素子温度変動による温度ドリフト抑制を同時に実現可能な熱型赤外線固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 熱型赤外線固体撮像素子において、画素エリアの水平走査を行う水平走査回路(8)を設け、画素の読み出しを行うとともに、画素エリアの両端部に配置した2つの垂直走査回路(4a、4b)により駆動線(3)を両端駆動し、さらに、差動積分回路(7)のバイアス線(19)に画素エリアの両端にて電圧供給することにより画素エリア端部に形成した参照画素(12)列の出力をフィードバックする。 (もっと読む)


【課題】ノイズを低減した高感度の赤外線固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた赤外線検出画素アレイ250と、基板上に設けられた検出回路部260と、を備えた赤外線固体撮像素子が提供される。赤外線検出画素アレイは、複数の行配線210と、複数の列配線220と、一端が複数の行配線のいずれかに接続され他端が複数の列配線のいずれかに接続され、受光する赤外線に基づいて第1電気信号sg1を生成する複数の赤外線検出画素110と、を有する。検出回路部は、列配線のそれぞれに接続され、第1電気信号を積分増幅して第2電気信号sg2を生成する複数の積分増幅回路40と、複数の積分増幅回路のそれぞれに接続され、第2電気信号と、予め定められた参照電圧Vrefと、を比較して、第3電気信号sg3を出力する複数の比較回路50と、を有する。 (もっと読む)


【課題】小型でアライメントが容易であり、光の利用効率の向上を図ることが可能となる入射光を色分解する分光装置を提供する。
【解決手段】入射光を色分解する分光装置であって、
導波層の上層に形成された、前記入射光における特定の波長の光に対応する第1の回折格子と、
前記導波層の下層における前記第1の回折格子との対向位置と異なる位置に形成された、前記特定の波長の光に対応するプラズモン共鳴を励起する金属微粒子構造を備えた第2の回折格子と、を備え、
前記第1の回折格子に入射し、前記第2の回折格子から取り出される前記入射光における特定の波長の光と、
前記第1の回折格子に入射し、前記導波層で導波光に変換されずにそのまま透過する前記入射光における特定の波長の光以外の波長の光と、
の混色を、前記プラズモン共鳴による選択的な反射によって抑制し、前記入射光を色分解する構成とする。 (もっと読む)


【課題】受光特性を損なうことなく、受光面内への異物の混入を防ぐ撮像モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の撮像モジュール10は、半導体基板21に設けられ、入射する光を電気信号に変換する撮像素子23と、撮像素子23に対向して設けられ、入射する光を撮像素子23に導くマイクロレンズ25とを具備する撮像チップ20を有し、入射する光の偏光方向を定める偏光子31がマイクロレンズ25に対向するように透明基板32の面に設けられている偏光フィルタガラス33と、偏光フィルタガラス33に連結され、偏光子31とマイクロレンズ25との間のギャップを規定するスペース部材34とを有する偏光ガラスチップ30を具備し、スペース部材34を半導体基板21上に溶着するためのスペース部材34の溶着面の端部を半導体基板21の面に溶着させる。 (もっと読む)


【課題】撮像画素と焦点検出画素を混載する撮像素子を備えたカメラにおいて、画像信号の品質を向上させる。
【解決手段】撮像画素があるべき画素位置に焦点検出用画素を配置し、焦点検出画素位置における画像信号を形成する場合、該焦点検出画素位置が合焦しているか否かを判定し(S210)する。肯定判定の場合は、該焦点検出画素位置の像高と、光学系の絞り開口径と、射出瞳距離とに応じて光量比を算出し(S220)、算出した該光量比と該焦点検出画素位置の焦点検出画素のデータとに基づき、該焦点検出画素位置の画像信号を算出する(S230)。否定判定の場合は、該焦点検出画素位置の焦点検出画素のデータと、該焦点検出画素位置の焦点検出画素を挟む2つの焦点検出画素のデータとに基づき、該焦点検出画素位置の画像信号を算出する(S240)。 (もっと読む)


【課題】直貼り構造を有する光学デバイス装置及びその製造方法において、素子領域に対する位置がずれることなく透光性部材を接着できる。
【解決手段】光学デバイス装置では、半導体基板4の上面4Aに素子領域1aが形成されており、透光性部材2は透光性接着剤を介して素子領域1aに接着されている。半導体基板4の上面4Aのうち素子領域1aよりも外側には堰部6が形成されており、堰部6の上面には凸部61が形成されている。 (もっと読む)


本発明は、デバイス領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に配置されたパッケージ層と、前記半導体基板と前記パッケージ層との間に配置され、前記デバイス領域を囲む間隔層と、前記間隔層内に形成された中空パターン、前記間隔層と前記デバイス領域との間に配置された実体パターン、または、それらの組み合わせを含む補助パターンと、を含むチップパッケージである。
(もっと読む)


【課題】受光面積、受光量、感度、光電荷の伝送効率、正確度を向上し、チップ上の占有面積を低減できるセンサー系を提供する。
【解決手段】本センサー系は、半導体基板上に形成され、それぞれが、第1フォトゲートと第2フォトゲートとを含む複数のフォトゲート対と、半導体基板内に形成された第1共有フローティングディフュージョン領域と、半導体基板上に形成された複数の第1伝送トランジスタと、を含む。複数の第1伝送トランジスタのそれぞれは、第1制御信号に応答して、複数のフォトゲート対のそれぞれの第1フォトゲート下に形成された複数の電荷を第1共有フローティングディフュージョン領域に伝送する。 (もっと読む)


【課題】良好な近赤外線遮断特性を有するとともに、撮像装置の十分な小型化、薄型化、低コスト化を図ることができる固体撮像素子、および、これを用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子101を備えた固体撮像素子10Aであって、固体撮像素子101上に、少なくともCuおよび/またはPを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が5〜200nmである近赤外線吸収粒子を含有する近赤外線吸収層107を具備する。また、撮像装置は、そのような固体撮像素子を具備する。 (もっと読む)


【課題】 クロストークの発生を良好に抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射
線検出装置を提供する。
【解決手段】 n型半導体基板5には、その表面側において、p型領域7がアレイ状に2次元配列されている。隣接するp型領域7同士の間には、高濃度n型領域9及びp型領域11が配置されている。高濃度n型領域9は、表面側から見てp型領域7を取り囲むように、基板5の表面側からn型不純物を拡散して形成されている。p型領域11は、表面側から見てp型領域7及び高濃度n型領域9を取り囲むように、基板5の表面側からp型不純物を拡散して形成されている。n型半導体基板5の表面側には、p型領域7に電気的に接続される電極15と、高濃度n型領域9及びp型領域11に電気的に接続される電極19とが形成されている。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の受光領域となる閉鎖空間の気密性を向上し、過酷な外部環境によっても受光領域の独立性が保たれ、長期にわたって性能を良好に維持できる固体撮像装置を提供することである。
【解決手段】シリコン基板1上層の固体撮像素子の上に枠壁6と封止ガラス板7により形成された受光領域の閉鎖空間11に、屈折率1.3以下の透明不活性オイル10、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 (もっと読む)


【課題】受光型半導体装置において、フレアの防止と結露の防止とを容易に且つ確実に行なえるようにする。
【解決手段】半導体装置10は、受光素子を有する半導体チップ11と、底面上に設けられた断面凹状のチップ保持部12aに固着材13により半導体チップ11を固着する無蓋のパッケージ12と、該パッケージ12の内側に沿って嵌め込まれ、半導体チップ11の受光領域と対向する領域に窓部16aを有すると共に該窓部16aの周縁が底面側に屈曲されてなるフリンジ部16bを有し、遮光性及び吸湿性を付与された遮光性除湿部材16と、少なくともパッケージ12の上端部に、封着材17により固着された板状の透光性部材18とから構成されている。 (もっと読む)


ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法が提供される。一つの方法は、ピクセル型固体フォトン検出器に、電荷分布が少なくとも2個のピクセルによって検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、少なくとも2個のピクセルから電荷情報を得るステップとを含んでいる。この方法はさらに、得られた電荷情報に基づいて電荷分布の複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の駆動用の配線レイアウトの制約が小さく、不要輻射によるEMIを低減した撮像デバイス及びこれを用いた撮像モジュールを提供する。
【解決手段】被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部11が一方の面に設けられた撮像デバイスチップ10と、透明材料で形成され画素部11を保護するために撮像デバイスチップ10の一方の面に貼り付けられたサポート材20と、を有する撮像デバイスであって、サポート材20の撮像デバイスチップ10との接合面に、画素部11を囲うように設けられたシールド電極22と、光電変換素子の駆動用の配線パターン13とは独立して撮像デバイスチップ10に形成され、サポート材20が撮像デバイスチップ10に貼り付けられることによりシールド電極22と当接したGNDパッド16と、を有する。 (もっと読む)


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