【課題】感度均一性が向上した測距用固体撮像装置を実現することである。又、ＰＲＮＵの歩留まり向上によるチップの低コスト化を図ること。
【解決手段】第１導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第１導電型とは反対の導電型である第１の不純物拡散層により形成されたＰＮフォトダイオードと、前記ＰＮフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第１不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。
【解決手段】図４左に示すように、基板(１)にｐ−型半導体を用い、ｎ＋層(３)のドーピングを行う。隣接する検出素子間ではｎ−ｐ−ｎ接合となり、電流が流れない。また、図４中で示すように、ｎ層をドーピングする前にｐ層を作成することも考えられる。これは、検出素子間に選択的に作成した例である。上面全体にｐ層を作成し、その上からｎ＋層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。ｎ＋層には信号を取り出すための電極を設ける。また基板の反対側には共通電極を設けるものとする。共通電極側にはｐ＋層をドーピングなどにより作成しておいてもよい。さらにレーザ加工により、分離溝(６)を作成する。ここではｐのドーピングを行っていない例を示している。分離溝(６)の形成はカッター切り込みによることも可能である。
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【課題】複数の半導体が接合された半導体放射線検出器において、半導体同士の接合界面の接合状態を改善して適正な動作を可能とする。
【解決手段】異なる伝導型または異なる不純物濃度を有する複数の半導体を組み合わせて構成され、放射線を直接受けて電荷に変換する放射線吸収部１と、その放射線吸収部によって生成された電荷を検出する検出部２とを備えた半導体放射線検出器において、複数の半導体を組み合わせるのに際し、少なくとも２つの接合される半導体１ｃ、２ａの接合面を真空中において不活性ガスを用いてスパッタエッチングして互いに密着させた後に熱処理を行って接合界面の状態を改善する。 （もっと読む）

【課題】レンズ高さが制御可能であり、レンズ間ギャップが小さく、又は表面荒れの抑制された転写レンズを備える固体撮像素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１）複数色のカラーフィルターを形成する工程、２）該カラーフィルター上に透明樹脂層を形成する工程、３）該透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成する工程、４）該エッチング制御層上に、熱フロー樹脂材料を用いてレンズ母型を形成する工程、５）該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記エッチング制御層に転写し、中間マイクロレンズを形成する工程、及び６）該中間マイクロレンズのパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。
該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路チップに基板貫通孔を短時間に効率よく形成する。
【解決手段】 チップ表面に拡散層１５を形成して配線１４と接続させ、貫通孔底部の中心が拡散層１５と配線１４との接続部分の中心にくるようにし、且つ貫通孔底部径が配線１４と拡散層１５との接合部分の径と同一かそれよりもやや大きな径になるように径を制御しながら、半導体集積回路チップ裏面１３よりドライエッチングを開始して、貫通孔１６を形成する。本発明の半導体チップ構造では、ドライエッチングの際に使用するエッチングガスはシリコンを選択的にエッチングするガスだけでよい。従ってエッチング工程の途中でエッチングガスを他の種類のエッチングガスに交換する必要がなく、基板貫通孔を短時間に効率よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、放射線検出デバイスで使用する半導体回路基板に関する。上記放射線検出デバイスは、入射放射線に応じて電荷を発生するよう構成された複数の検出器セルを有する検出器基板を備え、各検出器セルは、検出器セルから電荷を半導体回路基板に結合する少なくとも１つの検出器セル接点を含む。より詳細には、本発明の実施形態では、半導体回路基板は、それぞれが対応する検出器セル接点から電荷を受け取るよう構成された複数のセル回路接点と、複数のセル回路接点と関連するセル回路と、セル回路へおよび／またはセル回路からの制御信号、読出し信号および電力供給信号少なくとも１つを供給するために構成された１つまたは複数の導電経路と、半導体回路基板を通して延びる１つまたは複数の信号経路とを備える。１つまたは複数の信号経路は、セル回路に対して外部信号インタフェースを形成するために、導電経路に電気的に結合する。それ故、本発明による実施形態は、半導体回路基板を通して、半導体回路基板の表面上の電気接点に信号を経路指定する手段を提供する。回路基板の表面上の電気接点は、マウント上の対応する電気接点に直接結合することができる。
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【課題】 光利用率の良い光検出器を持つＸ線検出装置、および、そのようなＸ線検出装置を備えたＸ線ＣＴ装置を実現する。
【解決手段】 Ｘ線をシンチレータで光に変換して光検出器で検出するＸ線検出装置であって、光検出器は、６角形の受光面がハニカム状の２次元アレイを形成するように配列された複数の受光素子（５４２）を具備する。６角形は正６角形である。２次元アレイは円筒状に湾曲したアレイである。２次元アレイは平面的なアレイである。受光素子は半導体受光素子である。半導体受光素子がはフォトダイオードである。フォトダイオードはシリコン・フォトダイオードである。フォトダイオードはバックリット型のフォトダイオードである。 （もっと読む）

フォトダイオードアレイは、光の入射面側にｐｎ接合型の複数のフォトダイオードがアレイ状に形成され、入射面の反対面が（１００）面からなる半導体基板と、フォトダイオード同士に挟まれた領域に形成され、半導体基板の入射面側から反対面側までを貫通した貫通孔と、入射面から貫通孔の壁面を通じて反対面まで連なる導電体層とを備え、貫通孔は入射面側に入射面に対して略垂直に形成された垂直孔部と反対面側に形成された四角錐形状の孔部とが、半導体基板内部で連結されることによって形成されており、四角錐形状の孔部の壁面が（１１１）面となっていることを特徴とする。
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【課題】 接続信頼性を確保しつつ樹脂ブリードを低減できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１主面(1a)から第２主面(1b)に貫通する貫通穴(17)を有する基台(1)と、撮像面を貫通穴(17)の第２主面(1b)側の開口に向け、かつ前記開口の周縁領域に封止樹脂(6)で固定された固体撮像素子(5)と、貫通穴(17)の第１主面(1a)側の開口の周縁領域に封止樹脂(8)で固定された透光性板材(7)とを含み、第１主面(1a)側の開口及び第２主面(1b)側の開口の少なくとも一方の周縁領域は、基台(1)の他の領域より粗面化されている固体撮像装置(100)とする。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性接着剤を含む複数の接着層を予め半導体ウエハに設けている場合においても、各接着層に対してガラスの確実なボンディング（接着）を行えるボンディング装置、ボンディング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シート保持台２に保持されているシートから、個片状のガラスを、第１吸着器５（ピックアップヘッド５ｄ）で吸着して剥がし、ガラス載置台３上に載置する。
ガラス載置台３への搬送中に、ガラスを除電器８にて除電する。ガラス載置台３上に載置されているガラスを、第２吸着器６（ボンディングヘッド６ｄ）で吸着して、ウエハ保持台１に保持される、表面に接着層がパターン形成された半導体ウエハ上に移動させ、ガラスを接着層に載せて加圧し、第２吸着器６（ボンディングヘッド６ｄ）の吸着機能を解除する。この際、第２吸着器６（ボンディングヘッド６ｄ）に内蔵したヒータ６ｅにより、ガラスを加熱する。 （もっと読む）

試験体の検査で使用するための可変ゲート電圧源３１０を使用する可変変調伝達関数（ＭＴＦ）の一例が開示される。本発明に係る実施形態では可変ゲート電圧がセンサの各ピクセルに印加され、可変ゲート電圧を各ピクセルに印加することによりピクセルのＭＴＦが調整される。ＭＴＦ調整により、エイリアシングなどの検査中に生じる悪影響が改善され、コントラストが維持される。
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本発明によれば、改善されたイメージ・センサは、シリコン基板と一体化され、シリコン読取り回路と一体化されたゲルマニウム光感受性エレメントのアレイを備える。これらのシリコン・トランジスタは、最初に、よく知られているシリコン・ウェーハ製造技法を使用してシリコン基板上に形成される。その後、これらのゲルマニウム・エレメントは、エピタキシャル成長により、このシリコン上に存在するように形成される。これらのゲルマニウム・エレメントは、誘電体クラッディングの表面開口部内に成長されることが有利である。ウェーハ製造技法がこれらのエレメントに適用されて、分離されたゲルマニウム光ダイオードが形成される。ゲルマニウム処理のために必要とされる温度は、シリコン処理のための温度よりも低いので、これらのゲルマニウム・デバイスの形成では、これらの以前に形成されたシリコン・デバイスに影響を及ぼす必要がない。次いで、絶縁層および金属層が、堆積させられ、パターン形成されて、これらのシリコン・デバイスを相互接続し、これらのゲルマニウム・デバイスをこれらのシリコン回路に接続する。このようにして、これらのゲルマニウム・エレメントは、エピタキシャル成長によってこのシリコンに一体化され、共通の金属層によってこのシリコン回路に一体化される。

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本発明は、検出画素のアレイ（１２）を有する放射線検出装置（１０）に関する。検出器の各々の画素（２０）は、入射放射線（ν，Ｘ）により生成された電荷が収集されるフォトゲート電極を有する。その電荷の変化は、電流センサ（４０）によりモニタリングされることが可能であるフォトゲート電極（２１）に接続されたフォトゲートライン（３２）における変位電流を生じさせる。それ故、フォトゲートラインに接続された全てのフォトゲート電極（２１）により収集された電荷は、継続している暴露中に測定され、照射の高性能の線量制御方法を可能にする。
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光検出装置パッケージと光検出装置のパッケージング方法が提供される。パッケージは、透明物質で形成された基板を有する組立体部分と少なくとも一つの光検出台を有した検出部を含む。組立体部分は、その前面領域に対して基板に配置された少なくとも一つの金属層、及び該金属層上に延長されるために形成された少なくとも一つのパッシベーション層から形成される。パッシベーション層は、金属層上の第１ソルダー可溶性パッドと少なくても一つの第２ソルダー可溶性パッドに対する第１及び第２アクセス開口を規定するためにパターン化される。夫々の第１パッドが検出部に形成されたソルダーバンプパッドに第１ソルダー結合部によって結合され、反面、第２パッドは、外部回路に第２ソルダー結合部によって結合される。 （もっと読む）

本発明は薄膜化されたシリコンの基板上に形成されるカラー画像センサーの製作に関する。センサーはその前面に半導体材料の薄い活性層（１２）を備えた半導体ウェーハ（１０）から製作され、このためにエッチングされた層が活性層の上に形成され、ウェーハがその前面において支持基板（４０）上へ結合され、半導体ウェーハがその背面において薄膜化され、次に材料の層がこのように薄膜化されたその背面において堆積され、エッチングされる。また結合作業の前にその前面においてウェーハ内へエッチングされた狭い垂直溝（２０、２２、２４、２６）が設けられ、これらの溝は薄膜化作業の後に残る残留半導体ウェーハ厚さにほぼ等しい深さにわたってウェーハ内へ延び、該溝は活性層から絶縁された導電性材料で充填され、そして薄膜化された層の前面と背面の間に導電性のバイアホール（２０'、２２'、２４'、２６'）を形成する。該溝の目的は薄膜化されたウェーハの前面と背面の間に電気的接続を確立することである。それらはまた、前面のパターンと背面のパターンの位置合わせ用のマーカーとしても役立つことができる。最後に、それらは活性層の領域をお互いから電気的に絶縁するために用いることができる。 （もっと読む）

ｎ型半導体基板５にはその表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。これにより、クロストークの発生を良好に抑制することと、初期的な接続エラーもしくは温度サイクル等による接続点の破損によって、あるホトダイオードが電気的にフローティングな状態になった場合においても、隣接するホトダイオードへのキャリアの流れ込みを抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射線検出装置が実現される。 （もっと読む）

【課題】 低コストで補色フィルタの色差順次方式を行うことのできるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。
【解決手段】 フォトダイオードとこのフォトダイオードで生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴと所定の補色フィルターとを有する画素がマトリクス状に配置され、第１のメモリを有し前記画素の出力にＣＤＳ処理を行い前記画素の列毎に設けたＣＤＳ回路を有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記ＣＤＳ回路に、第２のメモリ部と、前記第１のメモリ部への信号の入出力を制御する第１のスイッチと、前記第２のメモリ部への信号の入出力を制御する第２のスイッチ部とを設け、前記第１のメモリ部に蓄えた所定行の画素の第１の信号と前記第２のメモリ部に蓄えた前記所定行の次行の画素の第２の信号とを加算して補色の色差順次方式の信号を出力する。 （もっと読む）