【課題】 デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素濃度が5.0×10¹⁵〜10×10¹⁶atom/cm³の範囲である炭素添加シリコン基板の表面直下にゲッタリングシンクを形成する工程と、前記炭素添加シリコン基板の表面上に、第１エピタキシャル層を形成する工程と、該第１エピタキシャル層上に、第２エピタキシャル層を形成する工程とを具え、前記ゲッタリングシンクを形成する工程は、前記炭素添加シリコン基板に、1135〜1280℃の温度で高温短時間熱処理を施した後、該高温短時間熱処理の温度よりも低い温度で、600〜1150℃の温度で長時間熱処理を施すことにより、炭素・酸素系析出物領域を形成することを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率の高い固体撮像素子を製造するにあたって、電極パッドに腐食が無く、外部との電気的接続が良好で信頼性の高い固体撮像素子を製造する方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１表面に設けた複数の光電変換素子２の受光部に対応して該受光部に達する複数の凹部５を有する絶縁層４を該基板表面に形成し、該絶縁層の凹部を除く表面に外部との電気的接続のための電極パッド３を設け、該絶縁層の屈折率より高い屈折率を有する樹脂７にて該凹部を充填した固体撮像素子の製造方法であって、前記電極パッドを被覆し、かつ、該凹部を露出する保護膜６を形成する工程と、該凹部に高屈折率樹脂を埋め込む工程と、前記保護膜を除去する工程と、を上記の順に実行する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上方と内部で発生するクロストークを抑制できる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部を内部に有する基板と、前記基板の光入射側に光導波路を備え、前記光導波路が有する導波モードに変換されて該光導波路を伝播する入射光を、前記光電変換部に導く固体撮像素子であって、
前記光導波路は、前記入射光の伝播状態を変化させるモード変換部を有し、
前記モード変換部によって、前記光導波路を伝播する入射光の電場振幅が、前記基板の光入射側の表面において同符号で分布することが可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】平板部と枠部とで囲まれた凹部をウェットエッチングで形成する際、アンダーカットの発生を小さくすることで、段差部のエッチングダレに起因する光ノイズを可及的に小さくし、これにより小型実装が可能な光学用カバーガラスを提供すること。
【解決手段】平板部とその下面縁部に一体的に構成された枠部とを備え、前記平板部と前記枠部とで囲まれた凹部をウェットエッチングで形成する、光学用カバーガラスの製造方法であって、前記ウェットエッチングは、前記凹部を形成する箇所以外にレジストを形成するレジスト形成工程と、エッチング液を接触させることにより非レジスト部をエッチングするエッチング工程とからなる化学研磨処理を複数回繰り返すものであり、少なくとも最後の化学研磨処理後に前記レジスト形成工程にて形成されたレジストを除去するレジスト除去工程を行うことを特徴とする光学用カバーガラスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子と、光電変換素子とトランジスタまたはダイオードとの少なくとも一方と、をモノリシックに集積化すること、または、ｐ型熱電変換部とｎ型熱電変換部とが干渉を抑制すること。
【解決手段】本発明は、熱電変換を行なう半導体層３８を含む熱電変換素子１００と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層が光電変換を行なう光電変換素子１０２と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層を動作層とするトランジスタ１０４またはダイオードと、の少なくとも一方と、を具備する電子装置である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高屈折率、透明性および耐光性を有し、光学部品に適用可能な高屈折率樹脂組成物を提供することにある。また、上述のような高屈折率樹脂組成物を用いた樹脂成形体、光学部品および光学デバイスを提供することにある。
【解決手段】 本発明の高屈折率樹脂組成物は、光学部品として用いるものであって、ヒドロキシアミド重合体（ａ）と、酸化ジルコニウム粒子（ｂ）及び溶剤（ｃ）を含むものである。また、本発明の樹脂成形体は、上記に記載の高屈折率樹脂組成物に熱処理をすることにより得られるものである。また、本発明の光学部品は、上記に記載の樹脂成形体を有する。また、本発明の光学デバイスは、上記に記載の光学部品を有する。 （もっと読む）

【課題】実装部品を内蔵し、撮像素子の受光部に直交する方向から見たときのカメラモジュールの投影面積に対する撮像素子の面積の割合が大きく、かつ撮影光軸方向の厚みが小さなカメラモジュールを提供する。
【解決手段】撮像素子２０を実装した基板１６の上面に底面が開放されたケース１５を接合し、このケース１５の上にレンズユニット１２を取り付ける。ケース１５には、内面に導電性材料からなる回路パターンが形成された立体プリント基板を用いる。ケース１５の天板１５ａの内面に設けられた電極２８には、撮像素子２０の受光部２０ａが設けられた面に相対する向きで、複数の実装部品３２を実装する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図れるだけでなく感度および応答速度の向上を図れる赤外線センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板（支持基板）１ａは、熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。サーモパイル３０ａは、ｎ形ポリシリコン層（第１の熱電要素）３４とｐ形ポリシリコン層（第２の熱電要素）３５とを熱型赤外線検出部３においてシリコン基板１ａの空洞部１１に重なる領域で第１の接続金属部３６により接合することで形成された複数の温接点Ｔ１、ｎ形ポリシリコン層３４とｐ形ポリシリコン層３５とを熱型赤外線検出部３において空洞部１１に重ならない領域で第２の接続金属部３７により接合することで形成された複数の冷接点Ｔ２を有する。ジュール熱により温接点Ｔ１を温める自己診断用ヒータ部１３９は、熱型赤外線検出部３においてシリコン基板１ａの空洞部１１に重な域でサーモパイル３０ａと重ならないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図れるだけでなく、感度および応答速度の向上を図れる赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線吸収部３３および当該赤外線吸収部３３の温度変化を検出する感温部３０を有しシリコン基板（支持基板）１ａの一表面側に形成されてシリコン基板１ａに支持された熱型赤外線検出部３を備え、シリコン基板１ａにおいて熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。熱型赤外線検出部３のうち平面視において空洞部１１に重なる赤外線吸収部３３は、厚み方向の両側それぞれに複数の凹凸の高低差が均一で順テーパ状の傾斜面を有する凹凸面が形成された赤外線吸収層３９と、当該赤外線吸収層３９における空洞部１１側の凹凸面に接する形で形成され赤外線吸収層３９を透過した赤外線を反射する赤外線反射膜４０とを有し、赤外線反射膜４０における赤外線入射凹凸面の高低差が赤外線吸収層３９の厚さ寸法よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】斜め方向でのレンズ間ギャップが０．２μｍ以下のマイクロレンズアレイのレンズ間ギャップの製造バラツキを小さくする。
【解決手段】市松状に配置した第１のマイクロレンズを、第１のフォトマスクのパターンを感光性レンズ材料層に露光し現像することにより形成する第１の工程と、前記第１の工程において選択されなかった第２のマイクロレンズを市松状に配置した第２のマイクロレンズを、第２のフォトマスクのパターンを感光性レンズ材料層に露光し現像することにより形成する第２の工程とを有し、前記第１のフォトマスクに、八角形の遮光パターンと、前記遮光パターンの斜め方向の間の間隔に位置する光透過率が１００％の帯状の間隙パターンと、前記遮光パターンと前記帯状の間隙パターン以外の領域であって半透過性を有する半透光部とを有するフォトマスクを用いてマイクロレンズアレイを製造する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対応して利得率を簡易に安定させること。
【解決手段】ＳＰＥＣＴ装置のガンマカメラをＳｉＰＭにて構成する場合、ＳｉＰＭが有する全ＡＰＤ１４ｃを所定数のＡＰＤ１４ｃからなるＡＰＤアレイ１４ｄに分割し、各ＡＰＤアレイ１４ｄに対して、周辺温度の上昇に応じて抵抗値が低下し、かつ、周辺温度の低下に応じて抵抗値が上昇する半導体抵抗１４ｅと、半導体抵抗１４ｅと直列に接続され、抵抗値が周辺温度の変化に対して固定である固定抵抗１４ｆとから構成され、さらに、固定抵抗１４ｆがＡＰＤアレイ１４ｄの各ＡＰＤ１４ｃと並列接続される電圧制御機構を設置する。 （もっと読む）

【課題】重金属を捕捉するゲッタリングサイトを短時間で容易に形成することが可能な半導体デバイス向け半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置を構成するレーザ照射体２１の照射面２１ａからは、互いに平行な複数の光軸Ｃに沿って、複数本のレーザビームＲが同時に単結晶ウェーハ２の一面２ａに向けて照射される。レーザ照射体２１の照射面２１ａから同時に出射された複数本のレーザビームＲは、集光点（焦点）が単結晶ウェーハ２の一面２ａから数十μｍ程度深い位置になるように集光される。単結晶ウェーハ２の結晶構造が改質され、複数のゲッタリングシンク４が一回の照射で同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】
搭載されたイメージセンサで画像情報を得るイメージセンサ応用装置では、断面が円形の装置内に長方形のイメージセンサを搭載しているため、高解像度化、高感度化、さらには、装置外形の小型化に限界が存在していた。
【解決手段】
金属などから成る管の先端部に搭載され、少なくともレンズとイメージセンサと画像処理ＩＣとから構成されている撮像装置を有するイメージセンサ応用装置であって、前記イメージセンサの形状を円形あるいは五角形以上の多角形にする。 （もっと読む）

紫外線（ＵＶ）波長またはディープＵＶ波長で光を取り込むためのセンサは、多層反射防止膜（ＡＲＣ）を含む。２層ＡＲＣでは、第１の層が、基板または回路層のどちらかの上に形成され、第２の層が、第１の層の上に形成され、入射光ビームとして光を受光する。特に、第１の層の厚さは第２の層の少なくとも２倍であり、それによってＡＲＣでの電荷トラップに起因する基板表面での電場を最小限に抑える。４層ＡＲＣでは、第３の層が第２の層の上に形成され、第４の層が第３の層の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 ノイズの混入を抑制することができる受発光素子及びその製造方法、並びにその受発光素子を備える光センサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光素子１は、半導体基板３と、半導体基板３の一方の主面３ａに設けられた発光ダイオード５と、半導体基板３の前記一方の主面３ａに、発光ダイオード５と離間して設けられたフォトダイオード７と、を備えている。半導体基板３の一方の主面３ａにおいて発光ダイオード５とフォトダイオード７との間の位置には溝１９が形成されている。フォトダイオード７は、半導体基板３の一方の主面３ａにＰ型不純物を拡散して形成されたＰ型半導体領域７ｐと、Ｐ型半導体領域７ｐと離間して配置され、半導体基板３の前記一方の主面３ａにＮ型不純物を拡散して形成されたＮ型半導体領域７ｎとを有している。Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。 （もっと読む）

【課題】入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき発生した近接場光を応用し、色情報を確実に再現し得る２次元固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元固体撮像装置は、２次元マトリクス状に配置された画素領域を有し、各画素領域は、複数の副画素領域から構成されており、入射電磁波の波長よりも小さい開口径を有する開口部が設けられた金属層３０及び光電変換素子２１が絶縁膜３１を挟んで配置されており、開口部に対して少なくとも１つの光電変換素子２１が配置されており、開口部３１の射影像は光電変換素子２１の受光領域内に含まれており、開口部３１は入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき共鳴状態を発生させるように配列されており、共鳴状態により開口部近傍において発生する近接場光を光電変換素子２１にて電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】入射光の光量の損失を抑えながら、回折光や散乱光の隣接する画素への混入、及びそれに起因する混色を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列され、結像光学系からの光を受光する受光素子チップと、前記受光素子チップの上に形成され、前記結像光学系からの光が前記複数の画素のそれぞれに入射するように、前記結像光学系からの光を前記受光素子チップに導光するオンチップ光学系と、を有し、前記オンチップ光学系は、前記複数の画素の全てに対して共通の１つのフレネルレンズを含むことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の光学領域に透明部材が接着された半導体装置では、光学特性の低下を招来する場合があった。
【解決手段】半導体装置では、基板３の上面上に半導体素子４が設けられており、半導体素子４は導電性細線５を介して基板３に電気的に接続されている。半導体素子４の上面には光学領域が形成されており、この光学領域には第１透明部材１が透明接着剤６を介して接着されている。第１透明部材１の上面上には透明接着剤６を介して第２透明部材２が接着されており、第１透明部材１及び第２透明部材２は互いに同一の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】カメラユニットの受光面の縮小化及び小型、且つ低コストで製造できる光学デバイスモジュールを提供する。
【解決手段】光学デバイスモジュールの一形態としての固体撮像装置１は、表面及び裏面を有するサブストレート１０と、サブストレート１０の表面側に積層される固体撮像素子２０とを備える。サブストレート１０には、厚み方向に貫通する孔１１が形成されている。固体撮像素子２０は、固体撮像素子２０のサブストレート１０に対面する面と反対側の面に撮像回路２１を備え、且つサブストレート１０に対面する面から撮像回路２１に達する孔２２が形成されている。そして、該固体撮像装置１は、さらに、孔１１、２２を介して、撮像回路２１から出力される電気信号をサブストレート１０の裏面側に取り出す電極１２、２３を備える。 （もっと読む）

【課題】撮像エリアの周辺部分において色むら（色シェーディング）の発生を防止して射出瞳距離の短縮化に適した固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の受光部２を有する半導体基板１上に各受光部２に対応するマイクロレンズ１０とカラーフィルタ８Ｒ、８Ｇ、８Ｂとを有し、特定色のカラーフィルタ８Ｒは他の色のカラーフィルタ８Ｇ、８Ｂと異なる屈折率を有し、特定色のカラーフィルタ８Ｒに対応するマイクロレンズ１０と受光部２との間に、他の色に対応する受光部２と集光状態を合わせるための屈折率調整層６を備える。 （もっと読む）