【課題】光電変換素子の駆動用の配線レイアウトの制約が小さく、不要輻射によるＥＭＩを低減した撮像デバイス及びこれを用いた撮像モジュールを提供する。
【解決手段】被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部１１が一方の面に設けられた撮像デバイスチップ１０と、透明材料で形成され画素部１１を保護するために撮像デバイスチップ１０の一方の面に貼り付けられたサポート材２０と、を有する撮像デバイスであって、サポート材２０の撮像デバイスチップ１０との接合面に、画素部１１を囲うように設けられたシールド電極２２と、光電変換素子の駆動用の配線パターン１３とは独立して撮像デバイスチップ１０に形成され、サポート材２０が撮像デバイスチップ１０に貼り付けられることによりシールド電極２２と当接したＧＮＤパッド１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置の撮像領域と周辺回路領域とで配線パターンに疎密差がある場合における、配線層上の絶縁膜の平坦化後の膜厚のばらつきを低減する。
【解決手段】 本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。そして、周辺回路領域上の前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。
【解決手段】 本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素への光漏れによる混色の発生を低減させ、かつ光電変換素子にて取り込まれる光量の低下を抑制可能とする裏面照射型固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の裏面１１側に光が照射され、被写体像を撮像する裏面照射型固体撮像装置であって、半導体基板１に設けられ、入射した光を信号電荷へ変換させる光電変換素子と、半導体基板１の裏面１１側に設けられ、光電変換素子の各々に対応する開口１２を備える遮光部９と、半導体基板１及び遮光部９の上に設けられ、平坦面１３を構成する平坦化層３と、を有し、遮光部９の開口１２は、平坦面１３側から半導体基板１側に向かって狭められた形状を備える。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の信号電荷蓄積部を光電変換素子のカソード電位に初期化することでリセットトランジスタを省く構成とし、酸化物半導体層を用いたオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下の薄膜トランジスタを固体撮像素子の転送トランジスタに用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリコン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の製造方法において、重金属汚染等が混入した場合にも白キズ、暗電流等の発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、基板に対し、６００℃以上で且つ７５０℃以下、３０分以上で且つ１８０分以下の第１の熱処理を行なう工程（ａ）と、工程（ａ）の後、第１の熱処理の温度よりも高い温度において熱酸化を行ない、基板上に熱酸化膜を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、基板に対し、１０００℃以上で且つ１１００℃以下、４０分以上で且つ１８０分以下の第２の熱処理を行なう工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、基板に第１の不純物を導入し、光電変換部となる不純物層を形成する工程（ｄ）とを備える。第１の熱処理の温度から熱酸化の温度に昇温する際に、４℃／分以下の昇温速度で昇温を開始する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程数を抑えつつ、光の干渉を抑える段差形状を光の入射面に形成することができる固体撮像素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】光電変換素子３が形成されたシリコン基板２の表面に層間絶縁膜４を形成し、層間絶縁膜の表面にパッド電極８を形成し、層間絶縁膜とパッド電極を覆う保護膜１０を形成し、光電変換素子に対向する位置に形成された第１開口２０ａとパッド電極に対向する位置に形成された第２開口２０ｂを有するように保護膜の表面にレジスト２０をパターニングし、第１開口および第２開口を通して保護膜に対して等方性エッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を簡略化させ、且つバックサイドダメージを与える必要なしで、シリコンウェーハのゲッタリング能力を向上させるシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、炭素を添加したシリコンウェーハ（１）上にエピタキシャル層（２）を形成する工程と、該エピタキシャル層（２）を形成したシリコンウェーハ（１）に対して６５０℃〜１０００℃の熱処理を施して、シリコンウェーハ（１）中に生成する、炭素及び酸素を含む析出物を促進する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】光の乱反射を抑制することができる、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュール及びカメラモジュールを提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、半導体素子１１を備えた下側の配線基板１０と、その半導体素子１１に対応した位置に開口部２１を有し、その開口部２１の周辺に実装部品搭載可能領域を有する上側の配線基板２０とが、半導体素子１１の周囲において複数のはんだボール３０により電気的に接続されており、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ、開口部２１端面２０ｃ及び第２の主面２０ｂにかけて黒色の樹脂２６によって覆い、その樹脂２６の表面に凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高耐熱性および高透明性であり、かつ凹部への埋め込み性に優れ、光学部品を形成するために用いる樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上述したような樹脂組成物を用いて得られる性能に優れた光学部品および光学デバイスを提供することにある。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、光学部品を形成するために用いる樹脂組成物であって、屈折率が１．６以上の樹脂と、重量平均分子量が１００〜３，０００である低分子量化合物と、前記樹脂よりも屈折率が高い高屈折率粒子とを、含むことを特徴とする。また、本発明の光学部品は、上記に記載の樹脂組成物を用いて形成してなることを特徴とする。また、本発明の光学デバイスは、上記に記載の光学部品を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像素子の向きを変えることなく、異なる場所に位置する２つの被写体の画像を簡単に取得することができる構成を有する撮像素子を提供する。
【解決手段】受光部３が設けられた半導体基板２と、該半導体基板２上に積層された配線層４とを有する撮像素子本体１００を具備する撮像素子１であって、撮像素子本体１００の配線層４側に位置する、受光部３へ光を入光させる第１の面１ａと、撮像素子本体１００の半導体基板２側において第１の面１ａに対向して位置する、受光部３へ光を入光させる第２の面１ｂと、を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と支持基板との接合面からの剥離の進展を抑制することによって、半導体装置の製造歩留り、動作特性、信頼性等を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、受光部を有する活性層３が設けられた第１の面２ａと、受光面となる第２の面２ｂとを有する半導体基板２と、活性層３上に設けられた配線層５と、配線層５を覆う絶縁層６と、半導体基板２の第１の面２ａ上に絶縁層６を介して接合された支持基板８とを具備する。半導体基板２と支持基板８との接合体９の外周面Ｓと活性層３との間には、第２の面２ｂから半導体基板２と絶縁層６を貫通し、支持基板８内に達する介在部１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板への実装の際に半導体チップに割れや亀裂が生じることがなく、信頼性が高い半導体装置と、それを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に受光部を有する活性層が形成された半導体基板と、半導体基板の表面上に、受光部を囲むように設けられた接着層と、半導体基板の受光部上に所定の間隙をおいて配置され接着層を介して接着された光透過性保護部材と、半導体基板の裏面に所定の配列で配置された複数の外部接続端子とを備えている。そして、最外周に位置する外部接続端子において、少なくとも対向する２辺を形成する接続端子の中心点が、接着層の投影領域内に配置されていること特徴とする。 （もっと読む）

感光素子および関連方法が提供される。一側面では、例えば、感光撮像素子は、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域と、半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置される、テクスチャ加工領域と、半導体基板に連結され、少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能な電気伝導要素とを有する、半導体基板を含むことができる。一側面では、テクスチャ加工領域は、赤外線電磁放射の検出から電気信号の発生を促進するように動作可能である。別の側面では、電磁放射と相互作用するステップはさらに、テクスチャ加工領域を欠いている半導体基板と比較して、半導体基板の有効吸収波長を増加させるステップを含む。
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【課題】厚さ方向に小型化することが可能なセンサ素子モジュールを提供すること。
【解決手段】開口部１１ｏを有する第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層の開口部上を含むように該第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層１２と、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に挟設された導電体パターン２２と、機能面を有し、該機能面が第１の絶縁層の開口部からのぞくように第２の絶縁層中に埋め込まれかつ導電体パターン上にフリップ接続されたセンサ素子チップ４１と、を具備し、第２の絶縁層が、センサ素子チップの機能面とは反対の側の面に対向して補強材１２ａを含有している。 （もっと読む）

【課題】熱処理を伴わない薄膜化ストップ層の除去が可能で、このストップ層の除去作業が簡易化して基板の生産効率が高まり、熱処理による欠陥が発生せず、ウェーハ面内での研磨量均一性を保持してのストップ層の研磨が可能な貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせウェーハを活性層用ウェーハ側から薄膜化して薄膜化ストップ層を露出後、薄膜化ストップ層をＨＦ溶液によりポーラス化し、薄膜化ストップ層を研磨のみで除去する。これにより、熱処理を伴わない薄膜化ストップ層の除去が可能で、このストップ層の除去作業が容易化して基板の生産効率が高まり、熱処理による欠陥が発生せず、ウェーハ面内での研磨量均一性を保持してのストップ層の研磨が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 高酸素シリコン基板の表面直下にゲッタリングシンクを形成する工程と、前記高酸素シリコン基板の表面上に、第１エピタキシャル層を形成する工程と、該第１エピタキシャル層上に、第２エピタキシャル層を形成する工程とを具え、前記ゲッタリングシンクを形成する工程は、前記高酸素シリコン基板に、650〜1150℃の温度で長時間熱処理を施すことにより、酸素析出物領域を形成することを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素濃度が5.0×10¹⁵〜10×10¹⁶atom/cm³の範囲である炭素添加シリコン基板の表面直下にゲッタリングシンクを形成する工程と、前記炭素添加シリコン基板の表面上に、第１エピタキシャル層を形成する工程と、該第１エピタキシャル層上に、第２エピタキシャル層を形成する工程とを具え、前記ゲッタリングシンクを形成する工程は、前記炭素添加シリコン基板に、1135〜1280℃の温度で高温短時間熱処理を施した後、該高温短時間熱処理の温度よりも低い温度で、600〜1150℃の温度で長時間熱処理を施すことにより、炭素・酸素系析出物領域を形成することを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗時リーク電流の発生を抑えた裏面照射型固体撮像素子を製造可能な、裏面照射型固体撮像素子用ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】素材ウェーハ１１を急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置２１に入れ、熱処理を行う（ＲＴＡ工程）。この急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理時に、ＲＴＡ装置２１の炉内雰囲気を、窒素を含むように、ガスＧを流入させるのが好ましい。こうした急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）処理は、例えば、１１５０〜１３５０℃の範囲で、１〜６０秒行えばよい。 （もっと読む）