【課題】イメージセンサの大きさを変えずに、半導体チップまたは半導体パッケージの大きさを２種類に作り分けることのできる構成を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】収容部内に半導体チップが収容された半導体パッケージを具備する半導体装置であって、前記半導体パッケージに、前記半導体チップを除く領域を前記半導体パッケージの厚み方向に沿って切り落とす用の切り落とし領域が構成されている。 （もっと読む）

【課題】感度を劣化させることなく、短時間で、かつ低コストで製造することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のフォトダイオード層１４を有する半導体基板１３の主面上に、互いに離間するように複数のブロック状のレンズ体２０を形成する工程と、複数のブロック状のレンズ体２０を加熱して溶融することにより、互いに離間するように、半球状の複数の第１のレンズ体１２−１を形成する工程と、第１のレンズ体１２−１よりもエッチングレートが早い透明樹脂層１９−２を、複数の第１のレンズ体１２−１を含む半導体基板１３上を覆うように形成する工程と、透明樹脂層１９−２の全面を、第１のレンズ体１２−１の頂部Ｏが露出するまでエッチングすることにより、第１のレンズ体１２−１の頂部Ｏを除く表面に、透明樹脂層１９−２からなる第２のレンズ体１２−２を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ溝の端と画素注入分離層およびフォトダイオード形成層の境界との各距離ＡおよびＢ、画素注入分離層とフォトダイオード形成層の境界の距離Ｃの各ばらつきを低減することにより、画素毎の暗電流および飽和感度のばらつきを低減することができて良好な画像を得る。
【解決手段】トレンチ溝４１の端と高濃度Ｐ型拡散層４６の境界との距離Ａがサイドウォール幅（サイドウォールの膜厚）で決定され、また、トレンチ溝４１の端とフォトダイオード形成層である受光部３の境界との距離Ｂも、フォトダイオード形成層である受光部３と高濃度Ｐ型拡散層４６と境界が同一になるため、その距離もサイドウォール幅（サイドウォールの膜厚）で決定される。 （もっと読む）

【課題】光の角度を検出すると共に、光の受光量の低減が抑制された光センサ装置を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部がマトリックス状に配置されたイメージ部と、該イメージ部を走査する走査部と、イメージ部の出力信号を処理する処理部と、を備える光センサ装置であって、各光電変換部は、２行２列に配置された４つの受光素子と、４つの受光素子に対応して、受光素子の上方に位置する遮光膜に形成された１つの開口部と、を有し、処理部は、少なくとも１つの光電変換部の出力信号に基づいて、光の入射角度を検出する角度検出部と、全ての光電変換部の出力信号に基づいて、画像を生成する画像生成部と、を有し、４つの受光素子それぞれは平面矩形状を成し、隣り合う領域の間隔が等しく一定となっている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】混色による画質の劣化を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０に行列状に形成された複数の光電変換部１１と、半導体基板１０の上に形成された第１の屈折率の層間絶縁膜２０と、複数の光電変換部それぞれの上であって、層間絶縁膜２０に形成された複数の穴部２３と、各穴部２３内と、層間絶縁膜２０よりも上方とに形成された第２の屈折率の複数の光導波路３０と、複数の光導波路３０の上に形成された第３の屈折率の平坦化膜４０とを備え、前記第２の屈折率は前記第１の屈折率および第３の屈折率よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】測距精度の向上を図ることが可能となる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板の内部に形成された光電変換部と、該基板の光入射面の側に形成された光入射部とを備えた複数の画素を有する固体撮像素子であって、
前記複数の画素の少なくとも一部が、距離測定用の画素で構成されており、
前記距離測定用の画素が有する前記光入射部は、該光入射部の内部に特定入射角で入射した光を反射する導波モード共鳴フィルタを備え、
前記導波モード共鳴フィルタは、該導波モード共鳴フィルタの法線が該導波モード共鳴フィルタに入射する光束の主光線に対して傾きを有している。 （もっと読む）

【課題】信号処理回路に対して斜めに入射することで遮光層により遮られない光によって、信号処理回路の動作が不安定にならないようにし、且つ遮光層に照射される光によって生じる浮遊電荷の影響で信号処理回路の動作が不安定にならないようにする。
【解決手段】受光素子３６と受光素子３６から出力される信号を処理する信号処理回路３８とがＳＯＩ基板上に形成された光入射部１２において、信号処理回路３８上の配線層のうち最上層を、太陽光を遮光する遮光層４２とし、遮光層４２と電気的に接続される複数のコンタクトプラグ５２が遮光層の端部に沿ってＳＯＩ基板の厚さ方向に積層される。複数のコンタクトプラグ５２は、グランドもしくは遮光層に生じる浮遊電荷を引き抜くのに十分な電位とされている。 （もっと読む）

【課題】ビアなど外部接続のための配線工程を容易にして生産性を向上させ、さらに信頼性を向上させることができ、カメラモジュールに適用する際にフォーカス無調整を実現できるウェハーレベルのイメージセンサモジュールおよびその製造方法、そしてカメラモジュールを提供する。
【解決手段】イメージセンサモジュールは、ウェハー１１と、ウェハー１１の上面に実装されたイメージセンサ１２と、イメージセンサ１２を密封するようにウェハー１１の上面に設けられた透明部材１３と、ウェハー１１上の、透明部材１３の外側の領域に位置するように形成されたビア１４と、ビア１４の上端部に形成された上面パッド１５と、ウェハー１１の上面のうち透明部材１３の外側の領域上に形成されたカプセル化部１６と、ビア１４の下端部に電気的に接続された外部接続部材１８とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化することのできる２波長対応の光検出素子を提供する。
【解決手段】基板上に積層形成された第１の電極層、第１の光吸収層、第２の電極層、第２の光吸収層、第３の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層とを接続する第１の電極配線と、前記第２の電極層と前記第３の電極層とを接続する第２の電極配線と、前記第２の電極と前記第１の電極配線との接触部分に形成される第１のダイオードと、前記第２の電極と前記第２の電極配線との接触部分に形成される第２のダイオードと、を有することを特徴とする光検出素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサパッケージ構造を提供する。
【解決手段】基板１１０と、チップ１２０と、透光板１３０と、第１殻体１４０と、シール体１５０とから構成し、感光領域１２４を形成したチップを基板上に結合し、透光板１３０でチップの感光領域を覆ってチップ上に接着し、さらに、感光領域に対する開口を設けた第１殻体１４０を透光板上に接着する。
シール体１５０は、チップ及び透光板の周囲及び透光板及びチップ間の接着層１６０、１８０を覆って封止するので、水分が感光領域に侵入する経路を延長し、イメージセンサパッケージ構造の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、撮影される画像に影響なく、撮像面の上にマーキングすることを可能にした撮像素子及び前記撮像素子を搭載した撮像装置を提供すること。
【解決手段】光を電気信号に変換して、画像を形成する為の信号を出力する撮像素子を有し、上記撮像素子の光路上に可視光以外の光を透過させない光学フィルタを有し、前記撮像素子の撮像面の表面もしくは、撮像面の上に位置し、光を透過する保護材料の表面に、可視光を透過し、かつ可視光以外の光の一部波長を透過させない材料で記したマークを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】分光光度計において、スペクトルのＵＶ部分、可視部分およびＩＲ部分を検出するために自己走査形フォトダイオードアレイを用いて行われる測定の信号対雑音比を改善する。
【解決手段】自己走査フォトダイオードアレイは、読み出される前に低い信号ピクセルが所定の露光時間ｔ_０の倍数の間、電荷を蓄積することを可能にする。露光のパターン、すなわち整数Ｍ_ｉ（ｉはアレイ内の１からＮまでのピクセル数）は、当該のピクセルが飽和状態を超えずに可能な限り多くの電荷を蓄積するように選択される。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサパッケージ構造を提供する。
【解決手段】基板１１０と、チップ１２０と、透光板１３０と、第１殻体１４０と、シール体１５０とから構成し、感光領域１２４を形成したチップを基板上に結合し、透光板１３０でチップの感光領域を覆ってチップ上に接着し、さらに、感光領域に対する開口を設けた第１殻体１４０を透光板上に接着する。
シール体１５０は、チップ及び透光板の周囲及び透光板及びチップ間の接着層１６０、１８０を覆って封止するので、水分が感光領域に侵入する経路を延長し、イメージセンサパッケージ構造の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】直貼り構造において、透光性部材と受光領域の相対位置ズレが抑制され、良好な性能を示す光学デバイスを提供する。
【解決手段】光学デバイスは、受光領域１ａが表面に形成された半導体基板４と、半導体基板４上に受光領域１ａを覆うように形成され、受光領域１ａよりも外側の領域に半導体基板４の表面を露出する凹部５を有する透光性絶縁膜３と、透光性絶縁膜３の上に透光性接着層１０を介して接着された凸部を有する透光性部材２とを備えている。透光性部材２の凸部が透光性絶縁膜３の凹部５に差し込まれている。 （もっと読む）

【課題】導波路構造を有しシェーディングが抑制された固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】各マイクロレンズ１２の中心位置と各カラーフィルタ１０の中心位置と各導波路１５の入口中心位置と遮光層６の各開口部の中心位置とを、対応する受光素子３の中心よりも有効撮像領域の中央部方向にシフトさせるシフト量を、カメラレンズの射出瞳中心から各マイクロレンズの中心位置に入射した主光線が、境界両側の材質の屈折率の違いに対応して屈折し受光素子の中心に至る光路をとるものと想定して求められる前記光線の光路上の位置と、受光素子の中心に対応する位置との差から得られる想定シフト量に、収差補正係数ａ1を乗じた値と収差補正係数ａ2を乗じた値を求め、収差補正係数ａ1と前記収差補正係数ａ2を０．３９〜１．２６の範囲内で、ａ1＜ａ2の関係とする。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】電荷発生領域は、矩形形状を呈し且つ第１の方向Ｄ１に伸びる第１の領域Ｒ１内に配置される。信号電荷収集領域は、第１の領域Ｒ１の辺Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ側に設けられ且つ第１の方向Ｄ１での位置が互いにずれている複数の第２の領域Ｒ２内に配置される。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１と重複する部分の縁が第１の方向Ｒ１と交差する方向に伸びる２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂを含む。信号電荷収集領域は、その縁が辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂを含む。転送電極は、信号電荷収集領域の辺ＦＤ１ａ，ＦＤ１ｂ，ＦＤ２ａ，ＦＤ２ｂに沿って伸びる部分を有する。電荷発生領域は、その縁が第２の領域Ｒ２の２辺Ｒ２ａ，Ｒ２ｂに沿って伸びる２辺を含む。 （もっと読む）

【課題】実装基板上に固体撮像デバイスを実装してなる固体撮像モジュールにおいて、実装基板の配線と固体撮像デバイスの端子との半田の接着強度と共に放熱効果を維持しつつ、実装基板の実装面と固体撮像モジュールを水平に保ちながら容易かつ確実に実装でき、しかも画質不良を防止することができる半導体モジュールを得る。
【解決手段】実装基板１０２を、その表面にパールボール（スペーサ部材）１０５が位置決めされるよう形成した窪み部１０７を有する構造とし、半導体デバイス１０４を、その底面が、該実装基板１０２の窪み部１０７内に配置されたパールボール１０５と当接するよう該実装基板１０２上に載置する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤグリッド型偏光子技術に基づく、構成、構造が簡素な偏光素子を備えた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換素子６１、及び、光電変換素子６１の光入射側に設けられた偏光素子７０を備えた固体撮像素子４１を複数、有し、偏光方位が異なる２種類以上の偏光素子７０を備え、各偏光素子は、光電変換素子側から、ストライプ状の反射層７１、反射層７１上に形成された絶縁層７２、及び、絶縁層７２上に離間された状態で形成された複数の断片７３’から成る光吸収層７３の積層構造を有する。 （もっと読む）